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Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' (1996)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: FRANCA, ECIO JOSE - IF
  • Unidades: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS; ESTRUTURA ELETRÔNICA
  • Language: Português
  • Abstract: Apresentamos aqui resultados de propriedades eletronicas relacionadas a defeitos complexos em 'GA''AS'. Os calculos autoconsistentes da estrutura eletronica foram feitos usando o metodo do espalhamento multiplo x 'ALPHA' junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superficie saturados com a esfera de watson. Demonstramos que as caracteristicas fisicas dos complexos estao relacionadas aos diferentes tipos de interacao entre defeitos e entre defeitos e atomos hospedeiros. A analise cuidadosa que fizemos aqui gerou um novo enfoque para o estudo das interacoes das impurezas no 'GA''AS'
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 25.02.1996
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    • ABNT

      FRANÇA, Ecio Jose; ASSALI, Lucy Vitória Credidio. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS'. 1996.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/pt-br.php >.
    • APA

      França, E. J., & Assali, L. V. C. (1996). Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS'. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/pt-br.php
    • NLM

      França EJ, Assali LVC. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/pt-br.php
    • Vancouver

      França EJ, Assali LVC. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/pt-br.php

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