Tese

Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs (1997)

• Authors:
  • Orellana Muñoz, Walter Manuel
  • Ferraz, Armando Corbani (Orientador)
• Autor USP: MUÑOZ, WALTER MANUEL ORELLANA - IF
• Unidade: IF
• Sigla do Departamento: FMT
• Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS; ESTRUTURA ELETRÔNICA
• Language: Português
• Abstract: Apresentamos cálculos de primeiros princípios da geometria atômica, energia de formação e estrutura eletrônica para as impurezas substitucionais de oxigênio e nitrogênio em GaAs ('O IND. aS1''N IND.As 'e 'N IND. Ga'). Também estudamos a geometria atômica e estrutura eletrônica dos complexos neutros formados pelas mesmas impurezas substitucionais e átomos de hidrogênio intersticial ('O IND. As-H','N IND. As-H','N IND. Ga-H', 'N IND. As-H IND.2' e 'N IND. Ga-H IND 2'). Nossos resultados para os centros 'O IND. As'e 'N IND. Ga', em diferentes estados de carga, mostram distorções Jahn-Teller as quais induzem estados de carga não estáveis, observando-se um comportamento U-negativo para cada centro. Entretanto para o centro 'N IND. As' não foram observadas distorções. Em todos os sistemas estudados, as impurezas introduzem níveis profundos no gap. Para os complexos O-H e N-H foram encontradas várias configurações metaestáveis, correspondentes a diferentes posições de equilíbrio do átomo de hidrogênio, as quais apresentam energias entre 0.5 e 2.5 e V relativas à configuração estável. Na configuração estável do complexo 'O IND. As-H', oxigênio não interage diretamente com hidrogênio, ligando-se a três gálios primeiros vizinhos. Entretanto para os complexos 'N IND. As-H' e 'N IND. Ga'-Hg' é observada a formação de um dímero NH ligado à rede. Para os complexos N-'H IND. 2' também são encontradas várias configurações metaestáveis. O complexo'N IND. As'-'H IND. 2' apresenta umaconfiguração estável onde um dos hidrogênios forma o dímero NH, enquanto que o segundo fica ligado a um gálio primeiro vizinho, em simetria 'C IND. 3 v'. Para o complexo 'N IND. Ga'-'H IND.2' é observada a formação de uma molécula do tipo N'H IND.2', a qual também se liga à rede. As propriedades passivadora e ativadora do átomo de hidrogênio, como também sua interação com os níveis no gap, são discutidas para cada complexo
• Imprenta:
  • Publisher place: São Paulo
  • Date published: 1997
• Data da defesa: 28.11.1997


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How to cite

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• ABNT

  ORELLANA MUÑOZ, Walter Manuel. Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs. 1997. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/. Acesso em: 08 out. 2024.

• APA

  Orellana Muñoz, W. M. (1997). Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/

• NLM

  Orellana Muñoz WM. Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs [Internet]. 1997 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/

• Vancouver

  Orellana Muñoz WM. Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs [Internet]. 1997 ;[citado 2024 out. 08 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/

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