Exportar registro bibliográfico

Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores (1999)

  • Authors:
  • Autor USP: JANOTTI, ANDERSON - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS; SEMICONDUTORES
  • Language: Português
  • Abstract: As propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em bulk e superfície de semicondutores são estudadas através de cálculos de primeiros princípios. Apresentamos um estudo detalhado para as relaxações e distorções para diferentes estados decarga da vacância em Ge. Nosso principal resultado é que a vacância em Ge não é um sistema de U-negativo, ao contrário do Si. Nós estudamos a superfície Si(001) e comparamos imagens de STM para estados vazios gerados teoricamente com imagens deexperiências recentes de STM de alta resolução. Apresentamos também uma análise das possíveis configurações de dímero de Ge sobre Si(001) e um comparação de imagens de STM geradas teoricamente com imagens experimentais recentes do estágioinicial de crescimento de Ge sobre Si(001) na temperatura ambiente. Nós estudamos defeitos complexos em GaAs. Em particular, nós mostramos que o par de antiestrutura 'As IND.Ga' + 'Ga IND.As' pode existir em duas configurações, nn e nnn. Nossosresultados indicam que apesar da primeira estrutura se mais favorável energeticamente ela apresenta uma barreira de recombinação relativamente menor, e consequentemente sua concentração é muito menor que a da estrutura nnn em experiências deirradiação seguida por annealing. Por último, nós apresentamos resultados da implementação do método de Monte Carlo Cinétic para o estudo da difusão de As em Si baseada em resultados de primeiros princípios para as barreiras de migração. Oprincipal objetivo érelacionar processos microscópicos com propriedades de grande escala, e isto é alcançado com um certo grau de sucesso
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 20.12.1999
  • Acesso à fonte
    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      JANOTTI, Anderson; FAZZIO, Adalberto. Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores. 1999.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/pt-br.php >.
    • APA

      Janotti, A., & Fazzio, A. (1999). Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/pt-br.php
    • NLM

      Janotti A, Fazzio A. Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores [Internet]. 1999 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/pt-br.php
    • Vancouver

      Janotti A, Fazzio A. Propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos em Bulk e superfície de semicondutores [Internet]. 1999 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-20072012-150227/pt-br.php

    Últimas obras dos mesmos autores vinculados com a USP cadastradas na BDPI:

    Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2021