ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel (2024)
Pusep, Yuri A. ; Teodoro, Marcio Daldin ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat
Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, v. 109, n. 7, p. 075429-1-075429-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G., & Bakarov, A. (2024). Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, 109( 7), 075429-1-075429-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.075429
NLM
Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
Vancouver
Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Artigo de periodico
Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics (2024)
Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Oliveira, Vinicius Andrade de ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat ; Pusep, Yuri A.
Source: Physical Review B. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO ELETROMAGNÉTICO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics. Physical Review B, v. 110, n. 4, p. 45411-1-45411-5, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.045411. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Oliveira, V. A. de, Teodoro, M. D., Gusev, G., Bakarov, A., & Pusep, Y. A. (2024). Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics. Physical Review B, 110( 4), 45411-1-45411-5. doi:10.1103/PhysRevB.110.045411
NLM
Patricio MAT, Jacobsen GM, Oliveira VA de, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep YA. Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 110( 4): 45411-1-45411-5.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.045411
Vancouver
Patricio MAT, Jacobsen GM, Oliveira VA de, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep YA. Magnetic field breakdown of electron hydrodynamics [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 110( 4): 45411-1-45411-5.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.110.045411
Curadoria
Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF (2024)
Coutinho, Kaline (cur) ; Miranda, Paulo Barbeitas (cur) ; Santos, Carlos Eduardo Fiore dos (cur) ; Canal, Gustavo Paganini (cur) ; Marcassa, Luís Gustavo (cur) ; Oliveira, Cristiano Luis Pinto (cur) ; Canal, Gustavo Paganini (cur) ; De Boni, Leonardo (cur) ; Rizzo, Luciana Varanda (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA ATÔMICA, ESTATÍSTICA COMPUTACIONAL, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FÍSICA MODERNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. . São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. . Acesso em: 12 set. 2024. , 2024
APA
Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. (2024). Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. 2024 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. 2024 ;[citado 2024 set. 12 ]
Artigo de periodico
Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel (2024)
Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Gennady ; Bakarov, Askhat ; Pusep, Yuri A.
Source: Physical Review B. Unidades: IF, IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel. Physical Review B, v. 109, n. 12, p. L121401-1-L121401-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G., Bakarov, A., & Pusep, Y. A. (2024). Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel. Physical Review B, 109( 12), L121401-1-L121401-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.L121401
NLM
Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep YA. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 12): L121401-1-L121401-6.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401
Vancouver
Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev G, Bakarov A, Pusep YA. Hydrodynamics of electron-hole fluid photogenerated in a mesoscopic two-dimensional channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 12): L121401-1-L121401-6.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.L121401
Artigo de periodico
Multifractal conductance fluctuations of helical edge states (2023)
Olshanetsky, E. B.; Gusev, Gennady ; Levine, Alexandre ; Kvon, Z. D.; Armand, Johnnier Perez
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLSHANETSKY, E. B. et al. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states. Physical Review Letters, v. 131, n. 7, p. 076301, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Olshanetsky, E. B., Gusev, G., Levine, A., Kvon, Z. D., & Armand, J. P. (2023). Multifractal conductance fluctuations of helical edge states. Physical Review Letters, 131( 7), 076301. doi:10.1103/PhysRevLett.131.076301
NLM
Olshanetsky EB, Gusev G, Levine A, Kvon ZD, Armand JP. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states [Internet]. Physical Review Letters. 2023 ; 131( 7): 076301.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301
Vancouver
Olshanetsky EB, Gusev G, Levine A, Kvon ZD, Armand JP. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states [Internet]. Physical Review Letters. 2023 ; 131( 7): 076301.[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 12 set. 2024. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 set. 12 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2024 set. 12 ]
Trabalho de evento
On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Huang, Tao-Yu; Yang, Yu-Chen; Goldman, Rachel S; Quivy, Alain André
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: TOMOGRAFIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
NLM
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Vancouver
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Artigo de periodico
Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET (2022)
Alberton, S. G. ; Aguiar, Vitor^Ângelo Paulino de ; Medina, Nilberto H. ; Added, Nemitala ; Macchione, E L A ; Menegasso, R. ; Cesário, G. J.; Santos, Hellen Cristine ; Scarduelli, V B ; Alcántara-Núñez, J. A.; Guazzelli, M. A.; Santos, R. B. B.; Flechas, D.
Source: Microelectronics Reliability. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, ÍONS PESADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALBERTON, S. G. et al. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, v. 137, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Alberton, S. G., Aguiar, V. ^Â. P. de, Medina, N. H., Added, N., Macchione, E. L. A., Menegasso, R., et al. (2022). Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET. Microelectronics Reliability, 137. doi:10.1016/j.microrel.2022.114784
NLM
Alberton SG, Aguiar V^ÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
Vancouver
Alberton SG, Aguiar V^ÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Menegasso R, Cesário GJ, Santos HC, Scarduelli VB, Alcántara-Núñez JA, Guazzelli MA, Santos RBB, Flechas D. Charge deposition analysis of heavy-ion-induced single-event burnout in low-voltage power VDMOSFET [Internet]. Microelectronics Reliability. 2022 ; 137[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114784
Artigo de periodico
Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides (2022)
Darriba, G N ; Muñoz, Emiliano L ; Richard, Diego ; Ayala, Alejandro Pedro ; Carbonari, A W ; Petrilli, Helena Maria ; Renteria, M
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DARRIBA, G N et al. Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides. Physical Review B, v. 105, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195201. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Darriba, G. N., Muñoz, E. L., Richard, D., Ayala, A. P., Carbonari, A. W., Petrilli, H. M., & Renteria, M. (2022). Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides. Physical Review B, 105. doi:10.1103/PhysRevB.105.195201
NLM
Darriba GN, Muñoz EL, Richard D, Ayala AP, Carbonari AW, Petrilli HM, Renteria M. Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides [Internet]. Physical Review B. 2022 ; 105[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195201
Vancouver
Darriba GN, Muñoz EL, Richard D, Ayala AP, Carbonari AW, Petrilli HM, Renteria M. Insights into the aftereffects phenomenon in solids based on DFT and time-differential perturbed γ−γ angular correlation studies in 111In (→ 111Cd)-doped tin oxides [Internet]. Physical Review B. 2022 ; 105[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.105.195201
Relatorio tecnico
Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3' (2022)
Ribeiro, Cauê Kaufmann ; Mello, Luiz Adolfo de; Cornejo, Daniel Reinaldo ; Silva Neto, M. B.; Fogh, E.; Rønnow, H. M.; Martelli, Valentina ; Jimenez, Julio Antonio Larrea
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, PARAMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO, Cauê Kaufmann et al. Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf. Acesso em: 12 set. 2024. , 2022
APA
Ribeiro, C. K., Mello, L. A. de, Cornejo, D. R., Silva Neto, M. B., Fogh, E., Rønnow, H. M., et al. (2022). Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf
NLM
Ribeiro CK, Mello LA de, Cornejo DR, Silva Neto MB, Fogh E, Rønnow HM, Martelli V, Jimenez JAL. Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3' [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf
Vancouver
Ribeiro CK, Mello LA de, Cornejo DR, Silva Neto MB, Fogh E, Rønnow HM, Martelli V, Jimenez JAL. Investigation of role of antisite disorder in the pristine cage compound 'FE''GA' IND. 3' [Internet]. 2022 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2208/2208.09064.pdf
Artigo de periodico
Excitonic effects in graphene-like C3N (2022)
Bonacci, Miki ; Zanfrognini, Matteo ; Molinari, Elisa ; Ruini, Alice; Caldas Marilia Junqueira ; Ferretti, Andrea ; Varsano, Daniele
Source: Physical Review Materials. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONACCI, Miki et al. Excitonic effects in graphene-like C3N. Physical Review Materials, v. 6, n. 3, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.034009. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Bonacci, M., Zanfrognini, M., Molinari, E., Ruini, A., Caldas Marilia Junqueira,, Ferretti, A., & Varsano, D. (2022). Excitonic effects in graphene-like C3N. Physical Review Materials, 6( 3). doi:10.1103/PhysRevMaterials.6.034009
NLM
Bonacci M, Zanfrognini M, Molinari E, Ruini A, Caldas Marilia Junqueira, Ferretti A, Varsano D. Excitonic effects in graphene-like C3N [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6( 3):[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.034009
Vancouver
Bonacci M, Zanfrognini M, Molinari E, Ruini A, Caldas Marilia Junqueira, Ferretti A, Varsano D. Excitonic effects in graphene-like C3N [Internet]. Physical Review Materials. 2022 ; 6( 3):[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.6.034009
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lía ; Mangiarotti, A. ; Martins, Marcos ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Source: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Relatorio tecnico
Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors (2020)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Santos, Raimundo R. dos; Oliveira, Luiz E.; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf. Acesso em: 12 set. 2024. , 2020
APA
Silva, A. J. R. da, Santos, R. R. dos, Oliveira, L. E., & Fazzio, A. (2020). Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
NLM
Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Santos RR dos, Oliveira LE, Fazzio A. Disorder and the effective 'MN'-'MN' exchange interaction in 'GA' IND. 1−x' 'MN' IND. x''AS' diluted magnetic semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0505500.pdf
Relatorio tecnico
Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Kycia, Stefan; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo
Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. . Melville: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf. Acesso em: 12 set. 2024. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2020). Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Melville: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
NLM
Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
Relatorio tecnico
Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters (2020)
Mamani, Rolando Larico; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Unidades: IF, EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAMANI, Rolando Larico et al. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf. Acesso em: 12 set. 2024. , 2020
APA
Mamani, R. L., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2020). Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf
NLM
Mamani RL, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf
Vancouver
Mamani RL, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Cobalt-related impurity centers in diamond: electronic properties and hyperfine parameters [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1307.2866.pdf
Artigo de periodico
Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors (2020)
García, Dennis Cabrera; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Quivy, Alain André; Fonseca, Fernando Josepetti
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP
Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170
NLM
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Vancouver
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Artigo de periodico
Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak (2020)
Santos, A. O.; Komatsu, Wilson ; Canal, Gustavo Paganini ; Severo, Jose Helder F. ; Sá, W. P. de; Kassab Junior, Fuad ; Ferreira, J. G.; Andrade, M. C. R. de; Piqueira, José Roberto Castilho ; Nascimento, Ivan Cunha ; Galvão, R. M. O.
Source: Fusion Engineering and Design. Unidades: EP, IF
Subjects: FÍSICA DE PLASMAS, FUSÃO NUCLEAR, TOKAMAKS, ELETRÔNICA DE POTÊNCIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, BOBINAS ELÉTRICAS, PLASMA (MICROELETRÔNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, A. O. et al. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, v. 159, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698. Acesso em: 12 set. 2024.
APA
Santos, A. O., Komatsu, W., Canal, G. P., Severo, J. H. F., Sá, W. P. de, Kassab Junior, F., et al. (2020). Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak. Fusion Engineering and Design, 159. doi:10.1016/j.fusengdes.2020.111698
NLM
Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698
Vancouver
Santos AO, Komatsu W, Canal GP, Severo JHF, Sá WP de, Kassab Junior F, Ferreira JG, Andrade MCR de, Piqueira JRC, Nascimento IC, Galvão RMO. Development of high-current power supplies for the TCABR tokamak [Internet]. Fusion Engineering and Design. 2020 ; 159[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.fusengdes.2020.111698
Relatorio tecnico
A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor (2020)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Antonelli, Alex; Fazzio, Adalberto
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da e ANTONELLI, Alex e FAZZIO, Adalberto. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf. Acesso em: 12 set. 2024. , 2020
APA
Silva, A. J. R. da, Antonelli, A., & Fazzio, A. (2020). A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
NLM
Silva AJR da, Antonelli A, Fazzio A. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Antonelli A, Fazzio A. A possible route to grow a ('MN':'SI' IND. (1−x)''GE' IND. x')-based diluted magnetic semiconductor [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0310770.pdf
Relatorio tecnico
Band structure model of magnetic coupling in semiconductors (2020)
Dalpian, Gustavo M.; Wei, Su-Huai; Gong, X. G.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo M. et al. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf. Acesso em: 12 set. 2024. , 2020
APA
Dalpian, G. M., Wei, S. -H., Gong, X. G., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Band structure model of magnetic coupling in semiconductors. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
NLM
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XG, Fazzio A, Silva AJR da. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf
Vancouver
Dalpian GM, Wei S-H, Gong XG, Fazzio A, Silva AJR da. Band structure model of magnetic coupling in semiconductors [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 12 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0504084.pdf

USP Schools

ReP

Filtros

Document Types

USP Schools

Departament

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Publisher

Conference titles

Countries/Territories

Grupo de pesquisa

Funding Agencies

Indexado em

Normalized affiliation

Non normalized affiliation

Countries of institutions of collaboration

Área de concentração