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  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      MORAIS, R R O et al. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 40, n. 1, p. 15-21, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003. Acesso em: 26 jun. 2024.
    • APA

      Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Lourenço, S. A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2010). Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 40( 1), 15-21. doi:10.1590/s0103-97332010000100003
    • NLM

      Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
    • Vancouver

      Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
  • Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 21, n. 15, p. 155601/1-155601/7, 2009Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
    • APA

      Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Silva, M. A. T. da, Cesar, D. F., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., et al. (2009). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 21( 15), 155601/1-155601/7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
    • NLM

      Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
    • Vancouver

      Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
  • Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESPALHAMENTO

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    • ABNT

      SILVA, M A T da et al. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 20, n. 25, p. 255246/1-255246/9, 2008Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d. Acesso em: 26 jun. 2024.
    • APA

      Silva, M. A. T. da, Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2008). The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 20( 25), 255246/1-255246/9. Recuperado de http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
    • NLM

      Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
    • Vancouver

      Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      CESAR, Daniel Ferreira et al. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
    • APA

      Cesar, D. F., Lopes, È. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Franchello, F., Laureto, E., et al. (2008). Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
    • NLM

      Cesar DF, Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Franchello F, Laureto E, Guimarães PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
    • Vancouver

      Cesar DF, Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Franchello F, Laureto E, Guimarães PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      MORAIS, R R O et al. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk". 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
    • APA

      Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., Laureto, E., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2008). Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk". In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
    • NLM

      Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
    • Vancouver

      Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      CESAR, D F et al. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
    • APA

      Cesar, D. F., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Lopes, E. M., Frachello, F., & Lamas, T. E. (2007). Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
    • NLM

      Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
    • Vancouver

      Cesar DF, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Lopes EM, Frachello F, Lamas TE. Comportamento da energia de ligação excitônica em poços quânticos duplos de AlGaAs/GaAs em função da largura do "spike [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0810-1.pdf
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      LOURENÇO, Sidney Alves et al. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
    • APA

      Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Silva, M. A. T. da, Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2007). Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
    • NLM

      Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
    • Vancouver

      Lourenço SA, Duarte JL, Silva MAT da, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0894-1.pdf
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      LOPES, E M et al. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
    • APA

      Lopes, E. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Poças, L. C., Laureto, E., Cesar, D. F., & Lamas, T. E. (2007). Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
    • NLM

      Lopes EM, Duarte JL, Dias IFL, Poças LC, Laureto E, Cesar DF, Lamas TE. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
    • Vancouver

      Lopes EM, Duarte JL, Dias IFL, Poças LC, Laureto E, Cesar DF, Lamas TE. Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0183-1.pdf
  • Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, INTERAÇÕES NUCLEARES

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    • ABNT

      LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 29, n. 2, p. 225-231, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
    • APA

      Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Iwamoto, H., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 29( 2), 225-231. Recuperado de http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
    • NLM

      Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
    • Vancouver

      Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, ÓPTICA, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, v. 89, n. 11, p. 6159-6164, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1367875. Acesso em: 26 jun. 2024.
    • APA

      Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Meneses, E. A., Leite, J. R., & Mazzaro, I. (2001). Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, 89( 11), 6159-6164. doi:10.1063/1.1367875
    • NLM

      Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875
    • Vancouver

      Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875

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