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Artigo de periodico
Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors (2020)
García, Dennis Cabrera; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Quivy, Alain André; Fonseca, Fernando Josepetti
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP
Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170
NLM
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Vancouver
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Artigo de periodico
Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach (2012)
Santos, J P T; Marques, M; Pelá, R R; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, NÍQUEL
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ABNT
SANTOS, J P T et al. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, n. 11, p. 112403, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4751285. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Santos, J. P. T., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2012). Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, 101( 11), 112403. doi:10.1063/1.4751285
NLM
Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
Vancouver
Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
Artigo de periodico
Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111) (2010)
Kellermann, Guinther; Rodriguez, Eugenio; Jimenez, Ernesto; Cesar, Carlos Lenz; Barbosa, Luiz Carlos; Craievich, Aldo Felix
Source: Journal of Applied Crystallography. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES
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ABNT
KELLERMANN, Guinther et al. Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111). Journal of Applied Crystallography, v. 43, p. 385-393, 2010Tradução . . Disponível em: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Kellermann, G., Rodriguez, E., Jimenez, E., Cesar, C. L., Barbosa, L. C., & Craievich, A. F. (2010). Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111). Journal of Applied Crystallography, 43, 385-393. Recuperado de http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf
NLM
Kellermann G, Rodriguez E, Jimenez E, Cesar CL, Barbosa LC, Craievich AF. Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111) [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2010 ; 43 385-393.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf
Vancouver
Kellermann G, Rodriguez E, Jimenez E, Cesar CL, Barbosa LC, Craievich AF. Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111) [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2010 ; 43 385-393.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf
Artigo de periodico
Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples (2010)
Carvalho, H B de; Godoy, M P F; Paes, R W D; Mir, M; Ortiz de Zevallos, A; Iikawa, F; Brasil, Maria José Santos Pompeu; Chitta, Valmir Antonio; Ferraz, W B; Boselli, M A; Sabioni, A C S
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
CARVALHO, H B de et al. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples. Journal of Applied Physics, v. 108, n. 3, p. 33914/1-33914/5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3459885. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Carvalho, H. B. de, Godoy, M. P. F., Paes, R. W. D., Mir, M., Ortiz de Zevallos, A., Iikawa, F., et al. (2010). Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples. Journal of Applied Physics, 108( 3), 33914/1-33914/5. doi:10.1063/1.3459885
NLM
Carvalho HB de, Godoy MPF, Paes RWD, Mir M, Ortiz de Zevallos A, Iikawa F, Brasil MJSP, Chitta VA, Ferraz WB, Boselli MA, Sabioni ACS. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 3): 33914/1-33914/5.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3459885
Vancouver
Carvalho HB de, Godoy MPF, Paes RWD, Mir M, Ortiz de Zevallos A, Iikawa F, Brasil MJSP, Chitta VA, Ferraz WB, Boselli MA, Sabioni ACS. Absence of ferromagnetic order in high quality bulk Co-doped ZnO samples [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 108( 3): 33914/1-33914/5.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3459885
Artigo de periodico
Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study (2009)
Arantes, José Tadeu; Lima, M P; Fazzio, Adalberto; Xiang, H; Wei, Su-Huai; Dalpian, G. M.
Source: Journal of Physical Chemistry B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
ARANTES, José Tadeu et al. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, v. 113, n. 16, p. 5376-5380, 2009Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Arantes, J. T., Lima, M. P., Fazzio, A., Xiang, H., Wei, S. -H., & Dalpian, G. M. (2009). Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study. Journal of Physical Chemistry B, 113( 16), 5376-5380. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
NLM
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Vancouver
Arantes JT, Lima MP, Fazzio A, Xiang H, Wei S-H, Dalpian GM. Effects of side-chain and electron exchange correlation on the band structure of perylene diimide liquid crystals: a density functional study [Internet]. Journal of Physical Chemistry B. 2009 ; 113( 16): 5376-5380.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdfplus/10.1021/jp8101018
Artigo de periodico
Antilocalization of hole carriers in `Pb IND.1-x´`Eu IND.x´ Te alloys in the metallic regime (2009)
Peres, Marcelo L; Chitta, Valmir Antonio; Oliveira Jr., N. F.; Maude, D K; Rappl, P H O; Ueta, A Y; Abramof, E
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PERES, Marcelo L et al. Antilocalization of hole carriers in `Pb IND.1-x´`Eu IND.x´ Te alloys in the metallic regime. Physical Review B, v. 79, n. 8, p. 085309/1-085309/5, 2009Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000008085309000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Peres, M. L., Chitta, V. A., Oliveira Jr., N. F., Maude, D. K., Rappl, P. H. O., Ueta, A. Y., & Abramof, E. (2009). Antilocalization of hole carriers in `Pb IND.1-x´`Eu IND.x´ Te alloys in the metallic regime. Physical Review B, 79( 8), 085309/1-085309/5. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000008085309000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Peres ML, Chitta VA, Oliveira Jr. NF, Maude DK, Rappl PHO, Ueta AY, Abramof E. Antilocalization of hole carriers in `Pb IND.1-x´`Eu IND.x´ Te alloys in the metallic regime [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 8): 085309/1-085309/5.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000008085309000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Peres ML, Chitta VA, Oliveira Jr. NF, Maude DK, Rappl PHO, Ueta AY, Abramof E. Antilocalization of hole carriers in `Pb IND.1-x´`Eu IND.x´ Te alloys in the metallic regime [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 8): 085309/1-085309/5.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000008085309000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD) (2009)
Dionysio, D. Olzon; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Faria, Roberto Mendonça; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Program. Conference titles: International Symposium on Advanced Materials and Nanostructures - ISAMN. Unidades: IF, IFSC
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), DIODOS, EMISSÃO DE LUZ, QUÍMICA ORGÂNICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
DIONYSIO, D. Olzon et al. Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). 2009, Anais.. Santo André: Universidade Federal do ABC - UFABC, 2009. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Dionysio, D. O., Chubaci, J. F. D., Faria, R. M., & Guimarães, F. E. G. (2009). Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). In Program. Santo André: Universidade Federal do ABC - UFABC.
NLM
Dionysio DO, Chubaci JFD, Faria RM, Guimarães FEG. Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). Program. 2009 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Dionysio DO, Chubaci JFD, Faria RM, Guimarães FEG. Electro-optical characterization of non-abrupt metal/organic interfaces prepared by ion beam assisted deposition (IBAD). Program. 2009 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Trabalho de evento-resumo
A few contributions in synchrotron x-ray analysis of nanostructured semiconductor devices and amorphous thin films: charactrization during dip coating (2006)
Morelhão, Sérgio Luiz
Source: ORAL SESSION G4. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais (SBPMat. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS (PESQUISA), FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz. A few contributions in synchrotron x-ray analysis of nanostructured semiconductor devices and amorphous thin films: charactrization during dip coating. 2006, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2006. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/SympG.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Morelhão, S. L. (2006). A few contributions in synchrotron x-ray analysis of nanostructured semiconductor devices and amorphous thin films: charactrization during dip coating. In ORAL SESSION G4. Rio de Janeiro: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/5encontro/SympG.pdf
NLM
Morelhão SL. A few contributions in synchrotron x-ray analysis of nanostructured semiconductor devices and amorphous thin films: charactrization during dip coating [Internet]. ORAL SESSION G4. 2006 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/SympG.pdf
Vancouver
Morelhão SL. A few contributions in synchrotron x-ray analysis of nanostructured semiconductor devices and amorphous thin films: charactrization during dip coating [Internet]. ORAL SESSION G4. 2006 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/5encontro/SympG.pdf
Trabalho de evento-resumo
Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons (2005)
Lopes, K. C.; Matsuoka, M; Sucasaire, W; Mittani, J C R; Avanci, L H; Chubaci, J F D; Salvadori, M C B S; Leite, J. R.; Sant'Ana, A. C. de; Temperini, Márcia Laudelina Arruda ; Freitas, J. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IQ
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, FEIXES
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ABNT
LOPES, K. C. et al. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Lopes, K. C., Matsuoka, M., Sucasaire, W., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., et al. (2005). Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
NLM
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
Vancouver
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
Tese (Doutorado)
Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos (2004)
Lamas, Tomás Erikson; Quivy, Alain André, (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, SEMICONDUTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
LAMAS, Tomás Erikson. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Lamas, T. E. (2004). Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
NLM
Lamas TE. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
Vancouver
Lamas TE. Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos [Internet]. 2004 ;[citado 2024 jun. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27072004-160748/
Artigo de periodico
Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions (2004)
Chitta, Valmir Antonio; Coaquira, J A H; Fernandez, J R L; Duarte, C A; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
NLM
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Vancouver
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Trabalho de evento-resumo
Passivação de filmes de cobre através de implantação iônica (2003)
Attie, Márcia Regina Pereira; Tabacniks, Manfredo Harri
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ATTIE, Márcia Regina Pereira e TABACNIKS, Manfredo Harri. Passivação de filmes de cobre através de implantação iônica. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Attie, M. R. P., & Tabacniks, M. H. (2003). Passivação de filmes de cobre através de implantação iônica. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Attie MRP, Tabacniks MH. Passivação de filmes de cobre através de implantação iônica. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Attie MRP, Tabacniks MH. Passivação de filmes de cobre através de implantação iônica. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Trabalho de evento-resumo
Characterization of a new amorphous mixed iron-vanadium oxides thin films (2002)
Lourenço, A; Gorenstein, A; Tabacniks, Manfredo Harri
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, A e GORENSTEIN, A e TABACNIKS, Manfredo Harri. Characterization of a new amorphous mixed iron-vanadium oxides thin films. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Lourenço, A., Gorenstein, A., & Tabacniks, M. H. (2002). Characterization of a new amorphous mixed iron-vanadium oxides thin films. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Lourenço A, Gorenstein A, Tabacniks MH. Characterization of a new amorphous mixed iron-vanadium oxides thin films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Lourenço A, Gorenstein A, Tabacniks MH. Characterization of a new amorphous mixed iron-vanadium oxides thin films. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Artigo de periodico
Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field (2002)
Bykov, A A; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Goran, A V; Kudryashev, V M; Toropov, A I
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BYKOV, A A et al. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field. Physical Review B, v. 65, n. 3, p. 35302/1-35302/7, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Bykov, A. A., Gusev, G. M., Leite, J. R., Bakarov, A. K., Goran, A. V., Kudryashev, V. M., & Toropov, A. I. (2002). Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field. Physical Review B, 65( 3), 35302/1-35302/7. doi:10.1103/physrevb.65.035302
NLM
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Bakarov AK, Goran AV, Kudryashev VM, Toropov AI. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 3): 35302/1-35302/7.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302
Vancouver
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Bakarov AK, Goran AV, Kudryashev VM, Toropov AI. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 3): 35302/1-35302/7.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302
Artigo de periodico
Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures (2002)
Husberg, O; Khartchenko, A; Vogelsang, H; As, D J; Lischka, K; Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HUSBERG, O et al. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1090-1093, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7. Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Husberg, O., Khartchenko, A., Vogelsang, H., As, D. J., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, 13( 2-4), 1090-1093. doi:10.1016/s1386-9477(02)00310-7
NLM
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Vancouver
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 jun. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Dissertação (Mestrado)
Crescimento e caracterização de semicondutores crescidos por mbe (1993)
Lima, Alexandre Pimenta; Shibli, Suhila Maluf (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Alexandre Pimenta. Crescimento e caracterização de semicondutores crescidos por mbe. 1993. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1993. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Lima, A. P. (1993). Crescimento e caracterização de semicondutores crescidos por mbe (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Lima AP. Crescimento e caracterização de semicondutores crescidos por mbe. 1993 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Lima AP. Crescimento e caracterização de semicondutores crescidos por mbe. 1993 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo da modalidade eletronica reduzida pela interação eletron-fonon em sistemas quase-unidimensionais (1991)
Baldan, Mauricio Ribeiro; Lima, Ivan Costa da Cunha (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BALDAN, Mauricio Ribeiro. Estudo da modalidade eletronica reduzida pela interação eletron-fonon em sistemas quase-unidimensionais. 1991. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1991. . Acesso em: 26 jun. 2024.
APA
Baldan, M. R. (1991). Estudo da modalidade eletronica reduzida pela interação eletron-fonon em sistemas quase-unidimensionais (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Baldan MR. Estudo da modalidade eletronica reduzida pela interação eletron-fonon em sistemas quase-unidimensionais. 1991 ;[citado 2024 jun. 26 ]
Vancouver
Baldan MR. Estudo da modalidade eletronica reduzida pela interação eletron-fonon em sistemas quase-unidimensionais. 1991 ;[citado 2024 jun. 26 ]

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