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Artigo de periodico
Protective carbon layer for chemical corrosion of stainless steel (2003)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Massi, Marcos; Santos, Ana Paula Mousinho dos; Zambom, Luís da Silva ; Gonçalves Neto, Luíz
Source: Diamond and Related Materials. Unidades: EESC, EP
Subjects: FILMES FINOS, CORROSÃO DOS MATERIAIS, AÇO INOXIDÁVEL
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ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues et al. Protective carbon layer for chemical corrosion of stainless steel. Diamond and Related Materials, v. 12, n. 3-7, p. 749-752, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0925-9635(02)00270-4. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Mansano, R. D., Massi, M., Santos, A. P. M. dos, Zambom, L. da S., & Gonçalves Neto, L. (2003). Protective carbon layer for chemical corrosion of stainless steel. Diamond and Related Materials, 12( 3-7), 749-752. doi:10.1016/s0925-9635(02)00270-4
NLM
Mansano RD, Massi M, Santos APM dos, Zambom L da S, Gonçalves Neto L. Protective carbon layer for chemical corrosion of stainless steel [Internet]. Diamond and Related Materials. 2003 ; 12( 3-7): 749-752.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0925-9635(02)00270-4
Vancouver
Mansano RD, Massi M, Santos APM dos, Zambom L da S, Gonçalves Neto L. Protective carbon layer for chemical corrosion of stainless steel [Internet]. Diamond and Related Materials. 2003 ; 12( 3-7): 749-752.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0925-9635(02)00270-4
Artigo de periodico
Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using dichlorosilane and ammonia (2003)
Zambom, Luís da Silva ; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: Vacuum. Unidade: EP
Assunto: PLASMA (MICROELETRÔNICA)
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ABNT
ZAMBOM, Luís da Silva e MANSANO, Ronaldo Domingues. Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using dichlorosilane and ammonia. Vacuum, v. 71, n. 4, p. 439-444, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(03)00002-2. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Zambom, L. da S., & Mansano, R. D. (2003). Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using dichlorosilane and ammonia. Vacuum, 71( 4), 439-444. doi:10.1016/s0042-207x(03)00002-2
NLM
Zambom L da S, Mansano RD. Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using dichlorosilane and ammonia [Internet]. Vacuum. 2003 ; 71( 4): 439-444.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(03)00002-2
Vancouver
Zambom L da S, Mansano RD. Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using dichlorosilane and ammonia [Internet]. Vacuum. 2003 ; 71( 4): 439-444.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(03)00002-2
Artigo de periodico
LPCVD deposition of silicon nitride assisted by high density plasmas (1999)
Zambom, Luís da Silva ; Mansano, Ronaldo Domingues ; Furlan, Rogério ; Verdonck, Patrick Bernard
Source: Thin Solid Films. Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
ZAMBOM, Luís da Silva et al. LPCVD deposition of silicon nitride assisted by high density plasmas. Thin Solid Films, v. 343-344, p. 299-301, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01587-9. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Zambom, L. da S., Mansano, R. D., Furlan, R., & Verdonck, P. B. (1999). LPCVD deposition of silicon nitride assisted by high density plasmas. Thin Solid Films, 343-344, 299-301. doi:10.1016/s0040-6090(98)01587-9
NLM
Zambom L da S, Mansano RD, Furlan R, Verdonck PB. LPCVD deposition of silicon nitride assisted by high density plasmas [Internet]. Thin Solid Films. 1999 ; 343-344 299-301.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01587-9
Vancouver
Zambom L da S, Mansano RD, Furlan R, Verdonck PB. LPCVD deposition of silicon nitride assisted by high density plasmas [Internet]. Thin Solid Films. 1999 ; 343-344 299-301.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01587-9
Artigo de periodico
Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode (1998)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Source: Sensors and Actuators A. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode. Sensors and Actuators A, v. 65, n. 2-3, p. 180-186, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1998). Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode. Sensors and Actuators A, 65( 2-3), 180-186. doi:10.1016/s0924-4247(97)01681-6
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode [Internet]. Sensors and Actuators A. 1998 ; 65( 2-3): 180-186.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Anisotropic reactive ion etching in silicon, using a graphite electrode [Internet]. Sensors and Actuators A. 1998 ; 65( 2-3): 180-186.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0924-4247(97)01681-6

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