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  • Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

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    • ABNT

      RAMOS, Luis Eugenio. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Ramos, L. E. (2002). Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Ramos LE. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Ramos LE. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER

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    • ABNT

      ZEVALLOS MARQUES, Angela Maria Ortiz de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Zevallos Marques, A. M. O. de. (2002). Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Zevallos Marques AMO de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Zevallos Marques AMO de. Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados. 2002 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, EFEITO MOSSBAUER

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      LIMA, Alexandre Pimenta. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Lima, A. P. (1999). Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Lima AP. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Lima AP. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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      CHOQUE, Nilo Mauricio Sotomayor. Análise da forma de linha dos espectros de fotorefletância de poços quânticos não dopados de GaAs/'IND.0,15''Ga IND.0,85'As/GaAs. 1998. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Choque, N. M. S. (1998). Análise da forma de linha dos espectros de fotorefletância de poços quânticos não dopados de GaAs/'IND.0,15''Ga IND.0,85'As/GaAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Choque NMS. Análise da forma de linha dos espectros de fotorefletância de poços quânticos não dopados de GaAs/'IND.0,15''Ga IND.0,85'As/GaAs. 1998 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Choque NMS. Análise da forma de linha dos espectros de fotorefletância de poços quânticos não dopados de GaAs/'IND.0,15''Ga IND.0,85'As/GaAs. 1998 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO

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      SANTOS, A. M. Influência do potencial elétrico nos estados de não equilibrio termodinâmico no espectro de fotorefletância. 1998. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Santos, A. M. (1998). Influência do potencial elétrico nos estados de não equilibrio termodinâmico no espectro de fotorefletância (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Santos AM. Influência do potencial elétrico nos estados de não equilibrio termodinâmico no espectro de fotorefletância. 1998 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Santos AM. Influência do potencial elétrico nos estados de não equilibrio termodinâmico no espectro de fotorefletância. 1998 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: SUPERFÍCIE FÍSICA

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      SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Estrutura atômica das superfícies (110), (111) e (001) do Nitreto de Gálio. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Silva, J. L. F. da. (1997). Estrutura atômica das superfícies (110), (111) e (001) do Nitreto de Gálio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Silva JLF da. Estrutura atômica das superfícies (110), (111) e (001) do Nitreto de Gálio. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Silva JLF da. Estrutura atômica das superfícies (110), (111) e (001) do Nitreto de Gálio. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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      SIPAHI, Guilherme Matos. Teoria do confinamento de buracos em heteroestruturas semicondutoras do tipo 'delta'-doping. 1997. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-31082012-132038/. Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Sipahi, G. M. (1997). Teoria do confinamento de buracos em heteroestruturas semicondutoras do tipo 'delta'-doping (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-31082012-132038/
    • NLM

      Sipahi GM. Teoria do confinamento de buracos em heteroestruturas semicondutoras do tipo 'delta'-doping [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-31082012-132038/
    • Vancouver

      Sipahi GM. Teoria do confinamento de buracos em heteroestruturas semicondutoras do tipo 'delta'-doping [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-31082012-132038/
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    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS

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      MARTINI, S. Propriedades óticas de poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos por MBE sobre subtratos desorientados de GaAs. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Martini, S. (1997). Propriedades óticas de poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos por MBE sobre subtratos desorientados de GaAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Martini S. Propriedades óticas de poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos por MBE sobre subtratos desorientados de GaAs. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Martini S. Propriedades óticas de poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos por MBE sobre subtratos desorientados de GaAs. 1997 ;[citado 2024 nov. 13 ]
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    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      BELIAEV, Dmitri. Propriedades eletronicas de super-redes com dopagem planar e de heteroestruturas epitaxiais. 1994. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Beliaev, D. (1994). Propriedades eletronicas de super-redes com dopagem planar e de heteroestruturas epitaxiais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
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      Beliaev D. Propriedades eletronicas de super-redes com dopagem planar e de heteroestruturas epitaxiais. 1994 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Beliaev D. Propriedades eletronicas de super-redes com dopagem planar e de heteroestruturas epitaxiais. 1994 ;[citado 2024 nov. 13 ]
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    Assunto: SEMICONDUTORES

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      PENA, Marilene Goncalves. Modos vibracionais do complexo b-h em silicio. 1989. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Pena, M. G. (1989). Modos vibracionais do complexo b-h em silicio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Pena MG. Modos vibracionais do complexo b-h em silicio. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Pena MG. Modos vibracionais do complexo b-h em silicio. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      DAL PINO JUNIOR, Arnaldo. Dinâmica de redes perturbadas: vacancias em 'SI' e 'GA''AS'. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Dal Pino Junior, A. (1989). Dinâmica de redes perturbadas: vacancias em 'SI' e 'GA''AS' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Dal Pino Junior A. Dinâmica de redes perturbadas: vacancias em 'SI' e 'GA''AS'. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Dal Pino Junior A. Dinâmica de redes perturbadas: vacancias em 'SI' e 'GA''AS'. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      ALVES, Horacio Wagner Leite. Niveis profundos de defeitos e impurezas em diamante e germanio. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Alves, H. W. L. (1989). Niveis profundos de defeitos e impurezas em diamante e germanio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Alves HWL. Niveis profundos de defeitos e impurezas em diamante e germanio. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Alves HWL. Niveis profundos de defeitos e impurezas em diamante e germanio. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
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    Assunto: SEMICONDUTORES

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      SILVA, Euzi Conceicao Fernandes da. Propriedades vibracionais de defeitos e impurezas em semicondutores. 1988. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Silva, E. C. F. da. (1988). Propriedades vibracionais de defeitos e impurezas em semicondutores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Silva ECF da. Propriedades vibracionais de defeitos e impurezas em semicondutores. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Silva ECF da. Propriedades vibracionais de defeitos e impurezas em semicondutores. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO

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    • ABNT

      ALVES, Horacio Wagner Leite. Niveis profundos associados a vacancia e nitrogenio em diamante. 1985. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1985. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Alves, H. W. L. (1985). Niveis profundos associados a vacancia e nitrogenio em diamante (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Alves HWL. Niveis profundos associados a vacancia e nitrogenio em diamante. 1985 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Alves HWL. Niveis profundos associados a vacancia e nitrogenio em diamante. 1985 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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      BEZERRA, George Humberto. Metodo celular variacional linear. 1984. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1984. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Bezerra, G. H. (1984). Metodo celular variacional linear (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Bezerra GH. Metodo celular variacional linear. 1984 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Bezerra GH. Metodo celular variacional linear. 1984 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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      SILVA, Euzi Conceição Fernandes da. Propriedades elasticas e momento de dipolo de moleculas diatomicas. 1982. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1982. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Silva, E. C. F. da. (1982). Propriedades elasticas e momento de dipolo de moleculas diatomicas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Silva ECF da. Propriedades elasticas e momento de dipolo de moleculas diatomicas. 1982 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Silva ECF da. Propriedades elasticas e momento de dipolo de moleculas diatomicas. 1982 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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      CALDAS, Marília Junqueira. Teoria de niveis profundos em silicio. 1981. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1981. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-26022014-150737/. Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Caldas, M. J. (1981). Teoria de niveis profundos em silicio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-26022014-150737/
    • NLM

      Caldas MJ. Teoria de niveis profundos em silicio [Internet]. 1981 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-26022014-150737/
    • Vancouver

      Caldas MJ. Teoria de niveis profundos em silicio [Internet]. 1981 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-26022014-150737/
  • Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DE PARTÍCULAS

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      SANTOS, Maria Cristina dos. Polarização de spin no metodo celular variacional. 1981. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1981. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Santos, M. C. dos. (1981). Polarização de spin no metodo celular variacional (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Santos MC dos. Polarização de spin no metodo celular variacional. 1981 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Santos MC dos. Polarização de spin no metodo celular variacional. 1981 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: ESPALHAMENTO

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    • ABNT

      WATARI, K. Modelo do sub-aglomerado molecular no metodo do espalhamento multiplo. 1980. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1980. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Watari, K. (1980). Modelo do sub-aglomerado molecular no metodo do espalhamento multiplo (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Watari K. Modelo do sub-aglomerado molecular no metodo do espalhamento multiplo. 1980 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Watari K. Modelo do sub-aglomerado molecular no metodo do espalhamento multiplo. 1980 ;[citado 2024 nov. 13 ]
  • Unidade: IF

    Assunto: RAIOS X

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      LANDGRAF, Tereza Cristina. Niveis de energia e desvios isotopicos do uranio atomico. 1980. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1980. . Acesso em: 13 nov. 2024.
    • APA

      Landgraf, T. C. (1980). Niveis de energia e desvios isotopicos do uranio atomico (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Landgraf TC. Niveis de energia e desvios isotopicos do uranio atomico. 1980 ;[citado 2024 nov. 13 ]
    • Vancouver

      Landgraf TC. Niveis de energia e desvios isotopicos do uranio atomico. 1980 ;[citado 2024 nov. 13 ]

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