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Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos (2002)

  • Authors:
  • USP affiliated authors: RAMOS, LUIS EUGENIO - IF
  • Unidades: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ÓPTICOS; DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
  • Language: Português
  • Abstract: Nitretos do grupo III (BN, AlN, GaN e InN) são comumente utilizados em dispositivos optoeletrônicos operando na faixa de comprimentos de onda do azul ao ultravioleta tais como lasers, diodos emissores de luz, transistores, fotodetetores, anúncios luminosos e revestimento de ferramentas abrasivas. Os nitretos do grupo III em geral apresentam elevada tolerância a altas temperaturas, suportam altas injeções de corrente elétrica em dispositivos, apresentam rigidez mecânica e formam ligas do tipo cátion-cátion-nitrogênio o que permite a engenharia dos gaps fundamentais de energia requerida para aplicações em ótica. A estrutura mais estável e mais utilizada em aplicações dos nitretos do grupo III é a estrutura wurtzita com exceção de BN para o qual a estrutura cúbica zincblende é a mais estável. Recentemente AlN, GaN e InN têm sido sintetizados em sua fase zincblende que em princípio oferece vantagens com relação à fase wurtzita como mais alta simetria da rede. Cristais semicondutores em geral apresentam imperfeições ou defeitos (vacâncias, deslocamentos etc) bem como certa quantidade de impurezas. Para obter as propriedades desejadas no material semicondutor é usual a introdução de impurezas no processo conhecido como dopagem. Como a síntese dos nitretos do grupo III e suas ligas na fase zincblende é recente, apresentamos no que segue um estudo das propriedades estruturais e eletrônicas dos nitretos cúbicos utilizando a teoria do funcional densidade (DFT), supercélulas, aaproximação de densidade local (LDA) e a aproximação do gradiente gneralizado (GGA). Em seguida, combinamos métodos ab initio e de mecânica estatística para o estudo de defeitos nas ligas ternárias 'Al IND.X''Ga IND.1-X'N tomando como exemplo a vacância de nitrogênio em vários estados de carga. Um estudo de impurezas do grupo IV (C, Si e Ge) substitucionais em AlN e GaN, as quais são tradicionalmente utilizadas em tecnologia de semicondutores é ) apresentado bem como o estudo de impurezas do grupo V (P, As e Sb), abordando niveis de impureza no gapo fundamental, geometria da rede e energia de relaxação. Estudamos com mais detalhe a impureza de carbono substitucional ao sítio de nitrogênio em BN, AlN, GaNe InN, utilizando supercélulas contendo até 274 átomos a fim de investigar o efeito da interação impureza-impureza resultante da aproximação de supercélula bem como propriedades óticas (deslocamentos de Franck-Condon, níveis de emissão e absorção), energias de relaxação da rede cristalinae níveis de defeito. Visto que carbono tem-se mostrado um material dopante promissor, analisamos também a estabilidade de defeitos complexos que incorporam dois átomos de carbono em posições substitucionais e nas denomidas configurações split-intersticiais
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 10.09.2002

  • How to cite
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    • ABNT

      RAMOS, Luis Eugenio; LEITE, J. R. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002.
    • APA

      Ramos, L. E., & Leite, J. R. (2002). Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Ramos LE, Leite JR. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002 ;
    • Vancouver

      Ramos LE, Leite JR. Impurezas e defeitos nativos em nitretos do grupo III cúbicos. 2002 ;

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