Teoria de niveis profundos em silicio (1981)
- Authors:
- Autor USP: CALDAS, MARILIA JUNQUEIRA - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Data da defesa: 18.12.1981
-
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira. Teoria de niveis profundos em silicio. 1981. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1981. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-26022014-150737/. Acesso em: 19 mar. 2025. -
APA
Caldas, M. J. (1981). Teoria de niveis profundos em silicio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-26022014-150737/ -
NLM
Caldas MJ. Teoria de niveis profundos em silicio [Internet]. 1981 ;[citado 2025 mar. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-26022014-150737/ -
Vancouver
Caldas MJ. Teoria de niveis profundos em silicio [Internet]. 1981 ;[citado 2025 mar. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-26022014-150737/ - Determinacao do processo de polimerizacao da quinona catecol
- Electronic structure of catechol melanins
- Transient surface defects in Si-H nanoparticles
- Estudo da estrutura eletrônica de cadeias associadas com eumelaninas
- Study of the diamond crystal by semiempirical methods
- Finite-temperature behavior of PPP and PPV chains from first-principles: torsion angle dynamics and phonons
- Dependência do Gap com a temperatura em PPP e PPV
- Eletronic transport in guanine stacks
- Automontagem de oligômeros em redes unidimensionais
- Defects in organic semiconductors: polaron states in polyanilines
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
