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Artigo de periodico
A model potential for computing total ionization cross sections of atoms and molecules by electron impact (2021)
Falkowski, Alan Guilherme; Bettega, Marcio H F; Lima, Marco A P; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: European Physical Journal D. Unidade: IF
Subjects: ÁTOMOS, MOLÉCULA
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ABNT
FALKOWSKI, Alan Guilherme et al. A model potential for computing total ionization cross sections of atoms and molecules by electron impact. European Physical Journal D, v. 75, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1140/epjd/s10053-021-00323-0. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Falkowski, A. G., Bettega, M. H. F., Lima, M. A. P., & Ferreira, L. G. (2021). A model potential for computing total ionization cross sections of atoms and molecules by electron impact. European Physical Journal D, 75. doi:10.1140/epjd/s10053-021-00323-0
NLM
Falkowski AG, Bettega MHF, Lima MAP, Ferreira LG. A model potential for computing total ionization cross sections of atoms and molecules by electron impact [Internet]. European Physical Journal D. 2021 ; 75[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1140/epjd/s10053-021-00323-0
Vancouver
Falkowski AG, Bettega MHF, Lima MAP, Ferreira LG. A model potential for computing total ionization cross sections of atoms and molecules by electron impact [Internet]. European Physical Journal D. 2021 ; 75[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1140/epjd/s10053-021-00323-0
Trabalho de evento-resumo
DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap (2019)
Guilhon, I; Koda, D S; Marques, M; Teles, L K; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GUILHON, I et al. DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Guilhon, I., Koda, D. S., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2019). DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. In Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Guilhon I, Koda DS, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Guilhon I, Koda DS, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Artigo de periodico
Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials (2018)
Guilhon, Ivan; Koda, Daniel S; Ferreira, Luiz Guimarães; Marques, Marcelo; Teles, Lara Kuhl
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, FILMES FINOS
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ABNT
GUILHON, Ivan et al. Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials. Physical Review B, v. 97, n. 4, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.97.045426. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Guilhon, I., Koda, D. S., Ferreira, L. G., Marques, M., & Teles, L. K. (2018). Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials. Physical Review B, 97( 4). doi:10.1103/physrevb.97.045426
NLM
Guilhon I, Koda DS, Ferreira LG, Marques M, Teles LK. Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 4):[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.97.045426
Vancouver
Guilhon I, Koda DS, Ferreira LG, Marques M, Teles LK. Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 4):[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.97.045426
Trabalho de evento-resumo
Accurate bandgap calculations for AlGaInN alloys using the LDA-1/2 method (2015)
Freitas, Felipe Lopes de; Marcelo Marques,; Pelá, Ronaldo Rodrigues; Teles, Lara Kuhl; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FREITAS, Felipe Lopes de et al. Accurate bandgap calculations for AlGaInN alloys using the LDA-1/2 method. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0824-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Freitas, F. L. de, Marcelo Marques,, Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2015). Accurate bandgap calculations for AlGaInN alloys using the LDA-1/2 method. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0824-1.pdf
NLM
Freitas FL de, Marcelo Marques, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Accurate bandgap calculations for AlGaInN alloys using the LDA-1/2 method [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0824-1.pdf
Vancouver
Freitas FL de, Marcelo Marques, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Accurate bandgap calculations for AlGaInN alloys using the LDA-1/2 method [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0824-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Ab initio study of graphene/graphane interface using approximate quasiparticle approach LDA-1/2 method (2015)
Lucatto, Bruno; Marques, Marcelo; Pelá, Ronaldo Rodrigues; Teles, Lara Kühl; Ferreira, Luiz Guimarães; Bechstedt, Friedhelm
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LUCATTO, Bruno et al. Ab initio study of graphene/graphane interface using approximate quasiparticle approach LDA-1/2 method. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0950-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Lucatto, B., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Bechstedt, F. (2015). Ab initio study of graphene/graphane interface using approximate quasiparticle approach LDA-1/2 method. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0950-1.pdf
NLM
Lucatto B, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG, Bechstedt F. Ab initio study of graphene/graphane interface using approximate quasiparticle approach LDA-1/2 method [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0950-1.pdf
Vancouver
Lucatto B, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG, Bechstedt F. Ab initio study of graphene/graphane interface using approximate quasiparticle approach LDA-1/2 method [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0950-1.pdf
Artigo de periodico
HIV infection and antiretroviral therapy lead to unfolded protein response activation (2015)
Borsa, Mariana; Ferreira, Pedro L. C.; Petry, Andrea; Ferreira, Luiz Guimarães; Camargo, Maristela Martins de ; Bou-Habib, Dumith Chequer; Pinto, Aguinaldo Roberto
Source: Virology Journal. Unidade: ICB
Subjects: IMUNOLOGIA, HIV, WESTERN BLOTTING
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ABNT
BORSA, Mariana et al. HIV infection and antiretroviral therapy lead to unfolded protein response activation. Virology Journal, v. 12, p. 1-11, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/s12985-015-0298-0. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Borsa, M., Ferreira, P. L. C., Petry, A., Ferreira, L. G., Camargo, M. M. de, Bou-Habib, D. C., & Pinto, A. R. (2015). HIV infection and antiretroviral therapy lead to unfolded protein response activation. Virology Journal, 12, 1-11. doi:10.1186/s12985-015-0298-0
NLM
Borsa M, Ferreira PLC, Petry A, Ferreira LG, Camargo MM de, Bou-Habib DC, Pinto AR. HIV infection and antiretroviral therapy lead to unfolded protein response activation [Internet]. Virology Journal. 2015 ; 12 1-11.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1186/s12985-015-0298-0
Vancouver
Borsa M, Ferreira PLC, Petry A, Ferreira LG, Camargo MM de, Bou-Habib DC, Pinto AR. HIV infection and antiretroviral therapy lead to unfolded protein response activation [Internet]. Virology Journal. 2015 ; 12 1-11.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1186/s12985-015-0298-0
Artigo de periodico
Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells (2013)
Matusalem, Filipe; Ribeiro, Mauro; Marques, Marcelo; Pela, Ronaldo R.; Teles, Lara K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Optics Express. Unidade: IF
Subjects: MOLÉCULA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATUSALEM, Filipe et al. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Optics Express, v. 88, n. 22, p. 224102, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Matusalem, F., Ribeiro, M., Marques, M., Pela, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2013). Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Optics Express, 88( 22), 224102. doi:10.1103/PhysRevB.88.224102
NLM
Matusalem F, Ribeiro M, Marques M, Pela RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. Optics Express. 2013 ; 88( 22): 224102.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102
Vancouver
Matusalem F, Ribeiro M, Marques M, Pela RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. Optics Express. 2013 ; 88( 22): 224102.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102
Trabalho de evento-resumo
Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction (2013)
Teles, Lara K; Marques, M; Pelá, R R; Ribeiro Junior, M; Ferreira, Luiz Guimarães
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, Lara K et al. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Teles, L. K., Marques, M., Pelá, R. R., Ribeiro Junior, M., & Ferreira, L. G. (2013). Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
NLM
Teles LK, Marques M, Pelá RR, Ribeiro Junior M, Ferreira LG. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
Vancouver
Teles LK, Marques M, Pelá RR, Ribeiro Junior M, Ferreira LG. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
Artigo de periodico
All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces (2013)
Silva Filho, O. P.; Ribeiro, M., Jr.; Pela, R. R.; Teles, L. K.; Marques, M.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: ESPECTROMETRIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA FILHO, O. P. et al. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 114, n. 3, p. 033709 , 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4812493. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Silva Filho, O. P., Ribeiro, M., Pela, R. R., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2013). All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 114( 3), 033709 . doi:10.1063/1.4812493
NLM
Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
Vancouver
Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
Trabalho de evento-resumo
Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections (2012)
Filho, Octavio Pereira da Silva; Marques, Marcelo; Teles, Lara Kuhl; Junior, Mauro Ribeiro; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FILHO, Octavio Pereira da Silva et al. Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Filho, O. P. da S., Marques, M., Teles, L. K., Junior, M. R., & Ferreira, L. G. (2012). Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf
NLM
Filho OP da S, Marques M, Teles LK, Junior MR, Ferreira LG. Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf
Vancouver
Filho OP da S, Marques M, Teles LK, Junior MR, Ferreira LG. Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf
Artigo de periodico
CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections (2012)
Ribeiro, M; Ferreira, Luiz Guimarães; Fonseca, L.R.C.; Ramprasad, R.
Source: Materials Science and Engineering: B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, ESTRUTURA ELETRÔNICA (MODELOS MATEMÁTICOS), SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS), FÍSICA ATÔMICA, FÍSICA MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO, M et al. CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections. Materials Science and Engineering: B, v. 177, n. 16 p. 1460–1464 2012, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.044. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Ribeiro, M., Ferreira, L. G., Fonseca, L. R. C., & Ramprasad, R. (2012). CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections. Materials Science and Engineering: B, 177( 16 p. 1460–1464 2012). doi:10.1016/j.mseb.2011.12.044
NLM
Ribeiro M, Ferreira LG, Fonseca LRC, Ramprasad R. CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections [Internet]. Materials Science and Engineering: B. 2012 ;177( 16 p. 1460–1464 2012):[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.044
Vancouver
Ribeiro M, Ferreira LG, Fonseca LRC, Ramprasad R. CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections [Internet]. Materials Science and Engineering: B. 2012 ;177( 16 p. 1460–1464 2012):[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.044
Artigo de periodico
Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach (2012)
Santos, J P T; Marques, M; Pelá, R R; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, NÍQUEL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, J P T et al. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, n. 11, p. 112403, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4751285. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Santos, J. P. T., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2012). Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, 101( 11), 112403. doi:10.1063/1.4751285
NLM
Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
Vancouver
Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
Artigo de periodico
GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations (2012)
Pela, R R; Marques, M; Ferreira, Luiz Guimarães; Furthmüller, Jurgen; Teles, L. K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PELA, R R et al. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, v. 100, n. 20, p. 202408/1-202408/4, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4718602. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Pela, R. R., Marques, M., Ferreira, L. G., Furthmüller, J., & Teles, L. K. (2012). GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, 100( 20), 202408/1-202408/4. doi:10.1063/1.4718602
NLM
Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602
Vancouver
Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602
Tese (Doutorado)
Cálculos de estruturas eletrônicas de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: método LDA/1/2 (2011)
Ribeiro Junior, Mauro Fernando Soares; Ferreira, Luiz Guimarães (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA COMPUTACIONAL, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO JUNIOR, Mauro Fernando Soares. Cálculos de estruturas eletrônicas de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: método LDA/1/2. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02052012-132110/. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Ribeiro Junior, M. F. S. (2011). Cálculos de estruturas eletrônicas de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: método LDA/1/2 (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02052012-132110/
NLM
Ribeiro Junior MFS. Cálculos de estruturas eletrônicas de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: método LDA/1/2 [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02052012-132110/
Vancouver
Ribeiro Junior MFS. Cálculos de estruturas eletrônicas de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: método LDA/1/2 [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02052012-132110/
Artigo de periodico
Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs (2010)
Caetano, Clóvis; Teles, L. K.; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAETANO, Clóvis et al. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 12, p. 123904/1-123904/5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3448025. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2010). Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, 107( 12), 123904/1-123904/5. doi:10.1063/1.3448025
NLM
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 12): 123904/1-123904/5.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3448025
Vancouver
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 12): 123904/1-123904/5.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3448025
Trabalho de evento-resumo
Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters (2010)
Ferreira, Luiz Guimarães; Teles, L. K.; Marcelo Marques
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERREIRA, Luiz Guimarães e TELES, L. K. e MARCELO MARQUES,. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Marcelo Marques,. (2010). Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
NLM
Ferreira LG, Teles LK, Marcelo Marques. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
Vancouver
Ferreira LG, Teles LK, Marcelo Marques. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
Artigo de periodico
Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors (2010)
Santos, J P T; Gusev, Guennadii Michailovich; Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, J P T et al. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, v. 81, n. 8, p. 115209/1-115209/8, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Santos, J. P. T., Gusev, G. M., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2010). Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, 81( 8), 115209/1-115209/8. doi:10.1103/physrevb.81.115209
NLM
Santos JPT, Gusev GM, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 8): 115209/1-115209/8.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209
Vancouver
Santos JPT, Gusev GM, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 8): 115209/1-115209/8.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209
Artigo de periodico
Accurate prediction of the `Si/SiO IND.2´ interface band offset using the self-consistent ab initio DFT/LDA-1/2 method (2009)
Ribeiro Junior, Mauro; Fonseca, Leonardo R C; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO JUNIOR, Mauro e FONSECA, Leonardo R C e FERREIRA, Luiz Guimarães. Accurate prediction of the `Si/SiO IND.2´ interface band offset using the self-consistent ab initio DFT/LDA-1/2 method. Physical Review B, v. 79, n. 24, p. 241312-1/241312-4, 2009Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000024241312000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Ribeiro Junior, M., Fonseca, L. R. C., & Ferreira, L. G. (2009). Accurate prediction of the `Si/SiO IND.2´ interface band offset using the self-consistent ab initio DFT/LDA-1/2 method. Physical Review B, 79( 24), 241312-1/241312-4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000024241312000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Ribeiro Junior M, Fonseca LRC, Ferreira LG. Accurate prediction of the `Si/SiO IND.2´ interface band offset using the self-consistent ab initio DFT/LDA-1/2 method [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 24): 241312-1/241312-4.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000024241312000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Ribeiro Junior M, Fonseca LRC, Ferreira LG. Accurate prediction of the `Si/SiO IND.2´ interface band offset using the self-consistent ab initio DFT/LDA-1/2 method [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 79( 24): 241312-1/241312-4.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000079000024241312000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations (2009)
Pelá, Ronaldo Rodrigues; Caetano, Clovis; Teles, L K; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PELÁ, Ronaldo Rodrigues et al. Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-3.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Pelá, R. R., Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2009). Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-3.pdf
NLM
Pelá RR, Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-3.pdf
Vancouver
Pelá RR, Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-3.pdf
Trabalho de evento-resumo
Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization (2009)
Santos, João Paulo Tommasatti; Marques, Marcelo; Teles, L K; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, João Paulo Tommasatti et al. Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Santos, J. P. T., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2009). Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-1.pdf
NLM
Santos JPT, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-1.pdf
Vancouver
Santos JPT, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-1.pdf

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