Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
ABNT
MATUSALEM, F. et al. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.APA
Matusalem, F., Ribeiro Jr., M., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2014). Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdfNLM
Matusalem F, Ribeiro Jr. M, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdfVancouver
Matusalem F, Ribeiro Jr. M, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf