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  • Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      MATUSALEM, F. et al. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Matusalem, F., Ribeiro Jr., M., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2014). Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf
    • NLM

      Matusalem F, Ribeiro Jr. M, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf
    • Vancouver

      Matusalem F, Ribeiro Jr. M, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf
  • Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FERREIRA, Luiz Guimarães et al. Some surprising results of the kohn-sham density functional. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024. , 2014
    • APA

      Ferreira, L. G., Marques, M., Teles, L. K., & Pelá, R. R. (2014). Some surprising results of the kohn-sham density functional. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf
    • NLM

      Ferreira LG, Marques M, Teles LK, Pelá RR. Some surprising results of the kohn-sham density functional [Internet]. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf
    • Vancouver

      Ferreira LG, Marques M, Teles LK, Pelá RR. Some surprising results of the kohn-sham density functional [Internet]. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf
  • Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF

    Subjects: ESPECTROMETRIA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      SILVA FILHO, O. P. et al. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 114, n. 3, p. 033709 , 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4812493. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Silva Filho, O. P., Ribeiro, M., Pela, R. R., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2013). All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 114( 3), 033709 . doi:10.1063/1.4812493
    • NLM

      Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
    • Vancouver

      Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, NÍQUEL

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    • ABNT

      SANTOS, J P T et al. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, n. 11, p. 112403, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4751285. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Santos, J. P. T., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2012). Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, 101( 11), 112403. doi:10.1063/1.4751285
    • NLM

      Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
    • Vancouver

      Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)

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    • ABNT

      PELA, R R et al. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, v. 100, n. 20, p. 202408/1-202408/4, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4718602. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Pela, R. R., Marques, M., Ferreira, L. G., Furthmüller, J., & Teles, L. K. (2012). GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, 100( 20), 202408/1-202408/4. doi:10.1063/1.4718602
    • NLM

      Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602
    • Vancouver

      Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      CAETANO, Clóvis et al. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 12, p. 123904/1-123904/5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3448025. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2010). Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, 107( 12), 123904/1-123904/5. doi:10.1063/1.3448025
    • NLM

      Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 12): 123904/1-123904/5.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3448025
    • Vancouver

      Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 12): 123904/1-123904/5.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3448025
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FERREIRA, Luiz Guimarães e TELES, L. K. e MARCELO MARQUES,. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Marcelo Marques,. (2010). Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
    • NLM

      Ferreira LG, Teles LK, Marcelo Marques. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
    • Vancouver

      Ferreira LG, Teles LK, Marcelo Marques. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO

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    • ABNT

      SANTOS, J P T et al. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, v. 81, n. 8, p. 115209/1-115209/8, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Santos, J. P. T., Gusev, G. M., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2010). Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors. Physical Review B, 81( 8), 115209/1-115209/8. doi:10.1103/physrevb.81.115209
    • NLM

      Santos JPT, Gusev GM, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 8): 115209/1-115209/8.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209
    • Vancouver

      Santos JPT, Gusev GM, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Antiferromagnetism with spin polarization of GaN-based diluted magnetic semiconductors [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 8): 115209/1-115209/8.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.115209
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      CAETANO, Clovis et al. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys. Applied Physics Letters, v. 94, n. 24, p. 241914/1-241914/3. 2009, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3154560. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Caetano, C., Marques, M., Ferreira, L. G., & Teles, L. K. (2009). Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys. Applied Physics Letters, 94( 24), 241914/1-241914/3. 2009. doi:10.1063/1.3154560
    • NLM

      Caetano C, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 94( 24): 241914/1-241914/3. 2009.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3154560
    • Vancouver

      Caetano C, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 94( 24): 241914/1-241914/3. 2009.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3154560
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      CAETANO, C et al. Structural, electronic and magnetic properties of cubic AlN:Mn and AlN:Cr. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0846-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2008). Structural, electronic and magnetic properties of cubic AlN:Mn and AlN:Cr. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0846-1.pdf
    • NLM

      Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Structural, electronic and magnetic properties of cubic AlN:Mn and AlN:Cr [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0846-1.pdf
    • Vancouver

      Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Structural, electronic and magnetic properties of cubic AlN:Mn and AlN:Cr [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0846-1.pdf
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      MARQUES, V et al. Theoretical study `GaAs IND.1-X´`Bi IND.X´ semiconductor alloy. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0559-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Marques, V., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2008). Theoretical study `GaAs IND.1-X´`Bi IND.X´ semiconductor alloy. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0559-1.pdf
    • NLM

      Marques V, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study `GaAs IND.1-X´`Bi IND.X´ semiconductor alloy [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0559-1.pdf
    • Vancouver

      Marques V, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study `GaAs IND.1-X´`Bi IND.X´ semiconductor alloy [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0559-1.pdf
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS MAGNÉTICOS

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    • ABNT

      SANTOS, J P T et al. Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Santos, J. P. T., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2008). Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf
    • NLM

      Santos JPT, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf
    • Vancouver

      Santos JPT, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of the double doping of GaN and ZnO with transition metals [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0560-1.pdf
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      FERREIRA, Luiz Guimarães e MARQUES, Marcelo e TELES, L. K. Fast and precise calculation of band gaps. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0095-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Ferreira, L. G., Marques, M., & Teles, L. K. (2008). Fast and precise calculation of band gaps. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0095-1.pdf
    • NLM

      Ferreira LG, Marques M, Teles LK. Fast and precise calculation of band gaps [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0095-1.pdf
    • Vancouver

      Ferreira LG, Marques M, Teles LK. Fast and precise calculation of band gaps [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0095-1.pdf
  • Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO

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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 07 nov. 2024. , 2007
    • APA

      Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2007). Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
    • NLM

      Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1249-1250.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
    • Vancouver

      Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1249-1250.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      CAETANO, C et al. Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2007). Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf
    • NLM

      Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf
    • Vancouver

      Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      RIBEIRO JUNIOR, Mauro et al. Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Ribeiro Junior, M., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2007). Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf
    • NLM

      Ribeiro Junior M, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf
    • Vancouver

      Ribeiro Junior M, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN [Internet]. 2007 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf
  • Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      RIBEIRO JUNIOR, M et al. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 07 nov. 2024. , 2007
    • APA

      Ribeiro Junior, M., Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2007). Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
    • NLM

      Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
    • Vancouver

      Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal

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