Filtros : "Canadá" "IFSC010" Removido: "ANDRADE, LEONARDO NEVES DE" Limpar

Filtros



Refine with date range


  • Source: Physical Review B. Unidade: IFSC

    Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells. Physical Review B, v. 108, n. 3, p. 035416-1-035416-9, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416. Acesso em: 31 out. 2024.
    • APA

      Patricio, M. A. T., Villegas-Lelovsky, L., Oliveira, E. R. C. de, Marques, ‪G. E., LaPierre, R., Toropov, A. I., & Pusep, Y. A. (2023). Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells. Physical Review B, 108( 3), 035416-1-035416-9. doi:10.1103/PhysRevB.108.035416
    • NLM

      Patricio MAT, Villegas-Lelovsky L, Oliveira ERC de, Marques ‪GE, LaPierre R, Toropov AI, Pusep YA. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 108( 3): 035416-1-035416-9.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416
    • Vancouver

      Patricio MAT, Villegas-Lelovsky L, Oliveira ERC de, Marques ‪GE, LaPierre R, Toropov AI, Pusep YA. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 108( 3): 035416-1-035416-9.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PATRICIO, M. A. Tito e LAPIERRE, R. R. e PUSEP, Yuri A. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, v. 125, n. 15, p. 155703-01-155703-06, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5085493. Acesso em: 31 out. 2024.
    • APA

      Patricio, M. A. T., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, 125( 15), 155703-01-155703-06. doi:10.1063/1.5085493
    • NLM

      Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
    • Vancouver

      Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
  • Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TAVARES, B. G. M. et al. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2018. . Acesso em: 31 out. 2024.
    • APA

      Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., Teodoro, M. D., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
    • NLM

      Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 out. 31 ]
    • Vancouver

      Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 out. 31 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TEODORO, M. D. et al. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, v. 98, n. 15, p. 155431-1-155431-7, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431. Acesso em: 31 out. 2024.
    • APA

      Teodoro, M. D., Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, 98( 15), 155431-1-155431-7. doi:10.1103/PhysRevB.98.155431
    • NLM

      Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431
    • Vancouver

      Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431
  • Source: Program. Conference titles: International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems - EP2DS. Unidade: IFSC

    Subjects: ELÉTRONS (SISTEMAS), FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TITO, M. A. et al. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. 2017, Anais.. State College: Pennsylvania State University, 2017. Disponível em: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs. Acesso em: 31 out. 2024.
    • APA

      Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2017). Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. In Program. State College: Pennsylvania State University. Recuperado de https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
    • NLM

      Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
    • Vancouver

      Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TITO, M. A. et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 9, p. 094301-1-094301-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4942854. Acesso em: 31 out. 2024.
    • APA

      Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, 119( 9), 094301-1-094301-8. doi:10.1063/1.4942854
    • NLM

      Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
    • Vancouver

      Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
  • Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PUSEP, Yuri A e TITO, M. A. e LAPIERRE, R. R. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 28, n. 17, p. 175602-1-175602-7, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602. Acesso em: 31 out. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Tito, M. A., & LaPierre, R. R. (2016). Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, 28( 17), 175602-1-175602-7. doi:10.1088/0953-8984/28/17/175602
    • NLM

      Pusep YA, Tito MA, LaPierre RR. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 17): 175602-1-175602-7.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602
    • Vancouver

      Pusep YA, Tito MA, LaPierre RR. Shake-up effect in photoluminescence of integer quantum Hall system formed in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2016 ; 28( 17): 175602-1-175602-7.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/17/175602
  • Source: Book of Abstracts. Conference titles: Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? 2016, Anais.. Paris: Chimie ParisTech, 2016. Disponível em: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf. Acesso em: 31 out. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Tito, M. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? In Book of Abstracts. Paris: Chimie ParisTech. Recuperado de http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
    • NLM

      Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
    • Vancouver

      Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
  • Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TITO, Marco et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B4DE. Acesso em: 31 out. 2024.
    • APA

      Tito, M., Pusep, Y. A., Gold, A., Marques, G., Teodoro, M., & LaPierre, R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B4DE
    • NLM

      Tito M, Pusep YA, Gold A, Marques G, Teodoro M, LaPierre R. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B4DE
    • Vancouver

      Tito M, Pusep YA, Gold A, Marques G, Teodoro M, LaPierre R. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B4DE
  • Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TITO, M. A. et al. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 31 out. 2024.
    • APA

      Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
    • NLM

      Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
    • Vancouver

      Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
  • Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2729927. Acesso em: 31 out. 2024. , 2007
    • APA

      Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2007). Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.2729927
    • NLM

      Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927
    • Vancouver

      Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2024