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Trabalho de evento-resumo periodico
On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp (1986)
Motisuke, P; Iikawa, F; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A; Pereira Neto, J R
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
MOTISUKE, P et al. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 04 nov. 2024. , 1986
APA
Motisuke, P., Iikawa, F., Caldas, M. J., Fazzio, A., & Pereira Neto, J. R. (1986). On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Motisuke P, Iikawa F, Caldas MJ, Fazzio A, Pereira Neto JR. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.2): 687-92.[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Motisuke P, Iikawa F, Caldas MJ, Fazzio A, Pereira Neto JR. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.2): 687-92.[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon (1986)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 04 nov. 2024. , 1986
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.1): 55-60.[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Theoretical model of transition metal-shallow acceptor impurity pairs in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.1): 55-60.[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers (1986)
Hahn, S; Shatas, S; Stein, H J; Arst, M; Sadana, D K; Rek, Z U; Stojanoff, Vivian
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
HAHN, S et al. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 04 nov. 2024. , 1986
APA
Hahn, S., Shatas, S., Stein, H. J., Arst, M., Sadana, D. K., Rek, Z. U., & Stojanoff, V. (1986). Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon (1986)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 04 nov. 2024. , 1986
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1986). Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2024 nov. 04 ]

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