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Trabalho de evento
Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla (1989)
Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
MARTINO, João Antonio e SWART, Jacobus Willibrordus. Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Martino, J. A., & Swart, J. W. (1989). Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Martino JA, Swart JW. Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Martino JA, Swart JW. Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Influência da pressão de argonio na uniformidade de filmes finos depositados por sputtering (1989)
Rotondaro, Antônio Luís Pacheco; Maciel, H. S.
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
ROTONDARO, Antônio Luís Pacheco e MACIEL, H. S. Influência da pressão de argonio na uniformidade de filmes finos depositados por sputtering. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Rotondaro, A. L. P., & Maciel, H. S. (1989). Influência da pressão de argonio na uniformidade de filmes finos depositados por sputtering. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Rotondaro ALP, Maciel HS. Influência da pressão de argonio na uniformidade de filmes finos depositados por sputtering. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Rotondaro ALP, Maciel HS. Influência da pressão de argonio na uniformidade de filmes finos depositados por sputtering. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Ulisses: a design environment for highly parametrized vlsi circuits (1989)
Decaluwe, J; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS VLSI
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ABNT
DECALUWE, J e VAN NOIJE, Wilhelmus Adrianus Maria. Ulisses: a design environment for highly parametrized vlsi circuits. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Decaluwe, J., & Van Noije, W. A. M. (1989). Ulisses: a design environment for highly parametrized vlsi circuits. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Decaluwe J, Van Noije WAM. Ulisses: a design environment for highly parametrized vlsi circuits. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Decaluwe J, Van Noije WAM. Ulisses: a design environment for highly parametrized vlsi circuits. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
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Formacao de siliceto de cobalto por recozimento termico rapido (1989)
Freitas, W J
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Subjects: COBALTO, RECOZIMENTO, MICROELETRÔNICA
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ABNT
FREITAS, W J. Formacao de siliceto de cobalto por recozimento termico rapido. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Freitas, W. J. (1989). Formacao de siliceto de cobalto por recozimento termico rapido. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Freitas WJ. Formacao de siliceto de cobalto por recozimento termico rapido. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Freitas WJ. Formacao de siliceto de cobalto por recozimento termico rapido. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
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Não linearidade das capacidades MOS em inversão e em acumulação (1989)
Mirage, V L M N; Galup Montoro, C
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
MIRAGE, V L M N e GALUP MONTORO, C. Não linearidade das capacidades MOS em inversão e em acumulação. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Mirage, V. L. M. N., & Galup Montoro, C. (1989). Não linearidade das capacidades MOS em inversão e em acumulação. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Mirage VLMN, Galup Montoro C. Não linearidade das capacidades MOS em inversão e em acumulação. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Mirage VLMN, Galup Montoro C. Não linearidade das capacidades MOS em inversão e em acumulação. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
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Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Fonseca, Fernando Josepetti ; Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Andrade, C. A. M. de, Fonseca, F. J., Pereyra, I., & Sanematsu, M. S. (1989). Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
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Estudo e controle do grau de anisotropia na corrosão a seco de dióxido de silício (1989)
Seabra, Antonio Carlos
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Subjects: CORROSÃO, SILÍCIO
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ABNT
SEABRA, Antonio Carlos. Estudo e controle do grau de anisotropia na corrosão a seco de dióxido de silício. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Seabra, A. C. (1989). Estudo e controle do grau de anisotropia na corrosão a seco de dióxido de silício. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Seabra AC. Estudo e controle do grau de anisotropia na corrosão a seco de dióxido de silício. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Seabra AC. Estudo e controle do grau de anisotropia na corrosão a seco de dióxido de silício. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Implementacao de tecnicas pseudo-exaustivas de teste (1989)
Amazonas, José Roberto de Almeida
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
AMAZONAS, José Roberto de Almeida. Implementacao de tecnicas pseudo-exaustivas de teste. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Amazonas, J. R. de A. (1989). Implementacao de tecnicas pseudo-exaustivas de teste. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Amazonas JR de A. Implementacao de tecnicas pseudo-exaustivas de teste. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Amazonas JR de A. Implementacao de tecnicas pseudo-exaustivas de teste. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
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Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais (1989)
Martino, João Antonio ; Swart, Jacobus Willibrordus
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio e SWART, Jacobus Willibrordus. Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Martino, J. A., & Swart, J. W. (1989). Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Martino JA, Swart JW. Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Martino JA, Swart JW. Processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2um: resultados finais. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
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Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd (1989)
Morimoto, Nilton Itiro ; Montree, A H
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORIMOTO, Nilton Itiro e MONTREE, A H. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Morimoto, N. I., & Montree, A. H. (1989). Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Morimoto NI, Montree AH. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Morimoto NI, Montree AH. Caracterizacao de oxido de silicio nao dopado depositados por pecvd. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
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Determinacao das resistencias de acesso de transistores mesfet e hemt (1989)
Consonni, Denise ; Cordaro, M H
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CONSONNI, Denise e CORDARO, M H. Determinacao das resistencias de acesso de transistores mesfet e hemt. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024.
APA
Consonni, D., & Cordaro, M. H. (1989). Determinacao das resistencias de acesso de transistores mesfet e hemt. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Consonni D, Cordaro MH. Determinacao das resistencias de acesso de transistores mesfet e hemt. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]
Vancouver
Consonni D, Cordaro MH. Determinacao das resistencias de acesso de transistores mesfet e hemt. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ]

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