Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, EFEITO MOSSBAUER
ABNT
LIMA, Alexandre Pimenta. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1999. . Acesso em: 20 ago. 2024.APA
Lima, A. P. (1999). Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN) (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.NLM
Lima AP. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999 ;[citado 2024 ago. 20 ]Vancouver
Lima AP. Crescimento por MBE: super-redes de GaAs com dopagem planar de Si e nitretos cúbicos do grupo III (GaN e InN). 1999 ;[citado 2024 ago. 20 ]