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Trabalho de evento-resumo
Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors (2024)
Wanderley, Adilson Barros ; Alves, Horácio Wagner Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e ALVES, Horácio Wagner Leite e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors. 2024, Anais.. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2024). Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors. In Abstract Book. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf
NLM
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Realistic effective-mass model for III-V zincblend semiconductors [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/484dc2ef-d5a2-4a67-bdee-09cbfd3d5a7c/3236394.pdf
Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Trabalho de evento-resumo
Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor (2024)
Wanderley, Adilson Barros ; Alves, Horácio Wagner Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, APRENDIZADO COMPUTACIONAL, FÍSICA COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e ALVES, Horácio Wagner Leite e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor. 2024, Anais.. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM, 2024. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2024). Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor. In Abstract Book. Campinas: Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais - CNPEM. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf
NLM
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Alves HWL, Sipahi GM. Fitting method for band structures using k·p Hamiltonians and symmetry properties to obtain effective mass parameters and g-factor [Internet]. Abstract Book. 2024 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ee7b0be5-e3ff-4942-b47c-da1701b0e384/3236393.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain in polytypic nanowires (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos ; Alves, Horácio Wagner Leite
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos e ALVES, Horácio Wagner Leite. Strain in polytypic nanowires. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Siqueira, A. H., Sipahi, G. M., & Alves, H. W. L. (2023). Strain in polytypic nanowires. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Vancouver
Siqueira AH, Sipahi GM, Alves HWL. Strain in polytypic nanowires [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R1121-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP (2023)
Prado, Ana Mara Marques da Cunha ; Moraes, Juliana de Souza ; Almeida, Edison Santiago de; Pelozio, Márcio do Santos; Sipahi, Guilherme Matos ; Aranda, Rosane Aparecida; Diegues, Célia Maria ; Ziemath, Natalina Ordiva Ribeiro; Sintra, Rui
Source: Resumos. Conference titles: Congresso dos Profissionais das Universidades Estaduais de São Paulo - CONPUESP. Unidades: IFSC, ICMC, PUSP-SC, EDUSP, EESC
Subjects: EVENTOS, LIVRARIAS, CULTURA, EXTENSÃO UNIVERSITÁRIA, BIBLIOTECA UNIVERSITÁRIA
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ABNT
PRADO, Ana Mara Marques da Cunha et al. Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP. 2023, Anais.. São Paulo: Conselho de Reitores das Universidades Estaduais - CRUESP, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.20396/conpuesp.2.2023.4955. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Prado, A. M. M. da C., Moraes, J. de S., Almeida, E. S. de, Pelozio, M. do S., Sipahi, G. M., Aranda, R. A., et al. (2023). Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP. In Resumos. São Paulo: Conselho de Reitores das Universidades Estaduais - CRUESP. doi:10.20396/conpuesp.2.2023.4955
NLM
Prado AMM da C, Moraes J de S, Almeida ES de, Pelozio M do S, Sipahi GM, Aranda RA, Diegues CM, Ziemath NOR, Sintra R. Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP [Internet]. Resumos. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.20396/conpuesp.2.2023.4955
Vancouver
Prado AMM da C, Moraes J de S, Almeida ES de, Pelozio M do S, Sipahi GM, Aranda RA, Diegues CM, Ziemath NOR, Sintra R. Festa do Livro da USP São Carlos - FLUSP: experiência das bibliotecas do campus USP São Carlos, do Centro Cultural do campus USP de São Carlos e da Editora da Universidade de São Paulo - EDUSP [Internet]. Resumos. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.20396/conpuesp.2.2023.4955
Trabalho de evento-resumo
Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties (2023)
Wanderley, Adilson Barros; Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Wanderley, A. B., Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2023). Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
NLM
Wanderley AB, Oliveira CE de, Sipahi GM. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Oliveira CE de, Sipahi GM. Fitting method for band structures using strategies involving k·p Hamiltonians and symmetry properties [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0966-1.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20 (2022)
Miranda, Caetano Rodrigues ; Sipahi, Guilherme Matos (cur) ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur)
Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Caetano Rodrigues. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. . São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. . Acesso em: 06 out. 2025. , 2022
APA
Miranda, C. R. (2022). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA.
NLM
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ]
Vancouver
Miranda CR. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 20. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0427-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, SISTEMAS HAMILTONIANOS, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Band structure fitting method for constructing effective Hamiltonians involving symmetry properties [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ddf77c71-92ba-4599-a766-3ad57b3c4d89/3096441.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Abstract Book. São José dos Campos: Instituto Tecnológico de Aeronáutica - ITA. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
NLM
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Vancouver
Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Abstract Book. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e5bd531-cdee-49ea-858b-52fe79412a39/3096433.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells (2022)
Medeiros, Marcos Henrique Lima de; Teixeira, Raphael Levy Rucio Castro ; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de et al. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2022. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Medeiros, M. H. L. de, Teixeira, R. L. R. C., Sipahi, G. M., & Silva, L. G. G. de V. D. da. (2022). Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
NLM
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
Vancouver
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Program. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2022/sys/resumos/R0255-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2022 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/727a0752-afad-486e-a601-4a9678aa29a2/3106980.pdf
Trabalho de evento
Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides (2022)
Bonani, Fabio Danielli; Siqueira, Anderson Henrique; Alves, Horacio W. Leite; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Canal YouTube ICTP-SAIFR. Conference titles: ICTP-SAIFR - Condensed Matter Theory in the Metropolis. Unidade: IFSC
Subjects: NITRITOS, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BONANI, Fabio Danielli et al. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. 2022, Anais.. São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT, 2022. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Bonani, F. D., Siqueira, A. H., Alves, H. W. L., & Sipahi, G. M. (2022). Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides. In Canal YouTube ICTP-SAIFR (Vol. 10 no 2022). São Paulo: Universidade Estadual Paulista- UNESP, Instituto de Física Teórica - IFT. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
NLM
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Vancouver
Bonani FD, Siqueira AH, Alves HWL, Sipahi GM. Strain and crystal field splitting inversion in III-Nitrides [Internet]. Canal YouTube ICTP-SAIFR. 2022 ;10 no 2022[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=mzCMQyZ_DZI
Trabalho de evento-resumo
Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers (2021)
Sandoval, Marcelo A. Toloza; Sipahi, Guilherme Matos ; Andrada e Silva, E. A.; Silva, A. Ferreira da
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANDOVAL, Marcelo A. Toloza et al. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Sandoval, M. A. T., Sipahi, G. M., Andrada e Silva, E. A., & Silva, A. F. da. (2021). Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
NLM
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Vancouver
Sandoval MAT, Sipahi GM, Andrada e Silva EA, Silva AF da. Competing Rashba and Dresselhaus spin-orbit splittings in III-V inversion layers [Internet]. Program. 2021 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0545-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2021)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2021, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2021). Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/db296633-2f81-4e46-a3c8-076259015ed6/PROD032214_3050327.pdf
Artigo de periodico
Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells (2021)
Medeiros, Marcos Henrique Lima de ; Teixeira, Raphael Levy Rucio Castro ; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da
Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO
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ABNT
MEDEIROS, Marcos Henrique Lima de et al. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. Physical Review B, v. No 2021, n. 19 p. 195307-1-195307-8, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Medeiros, M. H. L. de, Teixeira, R. L. R. C., Sipahi, G. M., & Silva, L. G. G. de V. D. da. (2021). Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells. Physical Review B, No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8). doi:10.1103/PhysRevB.104.195307
NLM
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2021 ; No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8):[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307
Vancouver
Medeiros MHL de, Teixeira RLRC, Sipahi GM, Silva LGG de VD da. Electric field induced edge-state oscillations in InAs/GaSb quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2021 ; No 2021( 19 p. 195307-1-195307-8):[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.195307
Trabalho de evento-resumo
Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade (2021)
Salomon, Bruno Leão Rennó; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. 2021, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2021). Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
NLM
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
Vancouver
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Resumos. 2021 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4c849410-9a8c-452a-8d2c-2bda46b88ba5/PROD032213_3050316.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2020)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2020, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2020. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2020). Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2020 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2020 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210
Trabalho de evento-resumo
Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP (2020)
Oliveira, Caio Estevão de; Bonani, Fabio Danielli; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Caio Estevão de e BONANI, Fabio Danielli e SIPAHI, Guilherme Matos. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP. 2020, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2020. Disponível em: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Oliveira, C. E. de, Bonani, F. D., & Sipahi, G. M. (2020). Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
NLM
Oliveira CE de, Bonani FD, Sipahi GM. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
Vancouver
Oliveira CE de, Bonani FD, Sipahi GM. Theoretical prediction of the optical transitions in bulk wurtzite GaP [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: http://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0350-2.pdf
Artigo de periodico
Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide (2020)
Silva, Bruno C . da; Couto Jr., Odilon D. D.; Obata, Hélio T.; Lima, Mauricio M.; Bonani, Fabio Danielli; Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos ; Iikawa, Fernando; Cotta, Mônica A.
Source: Scientific Reports. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES, ABSORÇÃO DA LUZ
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Bruno C . da et al. Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide. Scientific Reports, v. 10, p. 7904-1-7904-7, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/s41598-020-64809-4. Acesso em: 06 out. 2025.
APA
Silva, B. C. . da, Couto Jr., O. D. D., Obata, H. T., Lima, M. M., Bonani, F. D., Oliveira, C. E. de, et al. (2020). Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide. Scientific Reports, 10, 7904-1-7904-7. doi:10.1038/s41598-020-64809-4
NLM
Silva BC . da, Couto Jr. ODD, Obata HT, Lima MM, Bonani FD, Oliveira CE de, Sipahi GM, Iikawa F, Cotta MA. Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide [Internet]. Scientific Reports. 2020 ; 10 7904-1-7904-7.[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-020-64809-4
Vancouver
Silva BC . da, Couto Jr. ODD, Obata HT, Lima MM, Bonani FD, Oliveira CE de, Sipahi GM, Iikawa F, Cotta MA. Optical absorption exhibits pseudo-direct band gap of wurtzite gallium phosphide [Internet]. Scientific Reports. 2020 ; 10 7904-1-7904-7.[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41598-020-64809-4

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