Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
ABNT
SAITO, Megumi e TORRES, A e VALLE, Márcio Almeida. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 08 set. 2024.APA
Saito, M., Torres, A., & Valle, M. A. (1997). Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.NLM
Saito M, Torres A, Valle MA. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 set. 08 ]Vancouver
Saito M, Torres A, Valle MA. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 set. 08 ]