Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas (1987)
- Autores:
- Autor USP: SAITO, MEGUMI - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Assuntos: TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS; CIRCUITOS ELETRÔNICOS
- Idioma: Português
- Resumo: O objetivo principal deste trabalho foi o desenvolvimento e a construção de transistores do tipo MESFET de Arseneto de Gálio, com características elétricas adequadas para operação na faixa de micro-ondas. Discute-se inicialmente a teoria de operação do transistor e apresenta-se o desenvolvimento das equações estáticas e dinâmicas em função das propriedades físicas do semicondutor e da geometria do dispositivo. Foi desenvolvido um programa de computação que, tendo como dados de entrada, as condições de operação do transistor, a geometria e as propriedades físicas do dispositivo, fornece como saída as características estáticas e dinâmicas do transistor simulado. Apresentam-se os diversos métodos de obtenção de camada ativa, as várias técnicas desenvolvidas para obtenção dos contatos metálicos (fonte-dreno e a barreira Schottky) e a sequência completa para a realização do dispositivo baseado nas facilidades existentes no Laboratório de Microeletrônica da USP. Construídos os dispositivos, seus principais parâmetros elétricos e tecnológicos foram determinados e realizou-se uma completa caracterização de seu comportamento estático e dinâmico. Os resultados obtidos apresentaram boa concordância com os previstos teoricamente e permitem afirmar que os transistores MESFET de GaAs construídos com a técnica proposta podem ser usados satisfatoriamente como dispositivos para aplicação em micro-ondas. Entre as principais características elétricas obtidas estão a elevada frequência máxima de operação fmax=28GHZ, e um bom desempenho em 4GHz em termos de ganho de potência MAG = 14,5 dB e de figura de ruído Fmin = 1,6 dB.
- Imprenta:
- Data da defesa: 14.12.1987
-
ABNT
SAITO, Megumi. Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas. 1987. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Saito, M. (1987). Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Saito M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas. 1987 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Saito M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas. 1987 ;[citado 2024 set. 19 ] - Projeto e construção de diodos schottky para aplicação em micro-ondas
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