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  • Trabalho de evento

    Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom) (1997)

    Saito, Megumi; Torres, A; Valle, Márcio Almeida

    Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SAITO, Megumi e TORRES, A e VALLE, Márcio Almeida. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 02 ago. 2024.

    • APA

      Saito, M., Torres, A., & Valle, M. A. (1997). Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.

    • NLM

      Saito M, Torres A, Valle MA. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 02 ]

    • Vancouver

      Saito M, Torres A, Valle MA. Crescimento e caracterização elétrica de heteroestruturas utilizadas na fabricação de dispositivos HEMTs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 ago. 02 ]

  • Relatorio tecnico

    Modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal (1997)

    Rodrigues, C W; Saito, Megumi

    Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      RODRIGUES, C W e SAITO, Megumi. Modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 02 ago. 2024. , 1997

    • APA

      Rodrigues, C. W., & Saito, M. (1997). Modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal. São Paulo: EPUSP.

    • NLM

      Rodrigues CW, Saito M. Modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal. 1997 ;[citado 2024 ago. 02 ]

    • Vancouver

      Rodrigues CW, Saito M. Modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal. 1997 ;[citado 2024 ago. 02 ]

  • Relatorio tecnico

    Determinacao de parametros de processo para fotomascara balzers utilizando gerador de padroes (1996)

    Seki, Jorge; Saito, Megumi

    Unidade: EP

    Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS

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    • ABNT

      SEKI, Jorge e SAITO, Megumi. Determinacao de parametros de processo para fotomascara balzers utilizando gerador de padroes. . São Paulo: Epusp. . Acesso em: 02 ago. 2024. , 1996

    • APA

      Seki, J., & Saito, M. (1996). Determinacao de parametros de processo para fotomascara balzers utilizando gerador de padroes. São Paulo: Epusp.

    • NLM

      Seki J, Saito M. Determinacao de parametros de processo para fotomascara balzers utilizando gerador de padroes. 1996 ;[citado 2024 ago. 02 ]

    • Vancouver

      Seki J, Saito M. Determinacao de parametros de processo para fotomascara balzers utilizando gerador de padroes. 1996 ;[citado 2024 ago. 02 ]

  • Trabalho de evento

    Determinacao de parametros de processo para fotomascara 'BALZERS' (1994)

    Seki, J; Pereira, J A A M; Saito, M

    Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      SEKI, J e PEREIRA, J A A M e SAITO, M. Determinacao de parametros de processo para fotomascara 'BALZERS'. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 02 ago. 2024.

    • APA

      Seki, J., Pereira, J. A. A. M., & Saito, M. (1994). Determinacao de parametros de processo para fotomascara 'BALZERS'. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.

    • NLM

      Seki J, Pereira JAAM, Saito M. Determinacao de parametros de processo para fotomascara 'BALZERS'. Anais. 1994 ;[citado 2024 ago. 02 ]

    • Vancouver

      Seki J, Pereira JAAM, Saito M. Determinacao de parametros de processo para fotomascara 'BALZERS'. Anais. 1994 ;[citado 2024 ago. 02 ]

  • Trabalho de evento

    Misturador balanceado para banda c com acoplador monolitico em 'GA''AS' (1992)

    Luqueze, Marcos Aurelio; Saito, Megumi; Consonni, Denise ; Cordaro, M H

    Source: Telemo'92: Anais. Conference titles: Simposio Brasileiro de Telecomunicacoes. Unidade: EP

    Assunto: TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS

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    • ABNT

      LUQUEZE, Marcos Aurelio et al. Misturador balanceado para banda c com acoplador monolitico em 'GA''AS'. 1992, Anais.. Brasília: Unb/Telebras, 1992. . Acesso em: 02 ago. 2024.

    • APA

      Luqueze, M. A., Saito, M., Consonni, D., & Cordaro, M. H. (1992). Misturador balanceado para banda c com acoplador monolitico em 'GA''AS'. In Telemo'92: Anais. Brasília: Unb/Telebras.

    • NLM

      Luqueze MA, Saito M, Consonni D, Cordaro MH. Misturador balanceado para banda c com acoplador monolitico em 'GA''AS'. Telemo'92: Anais. 1992 ;[citado 2024 ago. 02 ]

    • Vancouver

      Luqueze MA, Saito M, Consonni D, Cordaro MH. Misturador balanceado para banda c com acoplador monolitico em 'GA''AS'. Telemo'92: Anais. 1992 ;[citado 2024 ago. 02 ]

  • Relatorio tecnico

    Desenvolvimento de capacitores mom (1988)

    Cordaro, M H; Valle, M A; Saito, M

    Unidade: EP

    Assunto: CAPACITORES

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    • ABNT

      CORDARO, M H e VALLE, M A e SAITO, M. Desenvolvimento de capacitores mom. . São Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 02 ago. 2024. , 1988

    • APA

      Cordaro, M. H., Valle, M. A., & Saito, M. (1988). Desenvolvimento de capacitores mom. São Paulo: Lme-Usp.

    • NLM

      Cordaro MH, Valle MA, Saito M. Desenvolvimento de capacitores mom. 1988 ;[citado 2024 ago. 02 ]

    • Vancouver

      Cordaro MH, Valle MA, Saito M. Desenvolvimento de capacitores mom. 1988 ;[citado 2024 ago. 02 ]

  • Artigo de periodico

    Desenvolvimento da tecnologia de construção de mesfet de gaas para aplicação em microondas (1988)

    Pinto, José Kleber da Cunha; Saito, M

    Source: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. Unidade: EP

    Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS

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    • ABNT

      PINTO, José Kleber da Cunha e SAITO, M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de mesfet de gaas para aplicação em microondas. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 347-68, 1988Tradução . . Acesso em: 02 ago. 2024.

    • APA

      Pinto, J. K. da C., & Saito, M. (1988). Desenvolvimento da tecnologia de construção de mesfet de gaas para aplicação em microondas. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 347-68.

    • NLM

      Pinto JK da C, Saito M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de mesfet de gaas para aplicação em microondas. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 347-68.[citado 2024 ago. 02 ]

    • Vancouver

      Pinto JK da C, Saito M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de mesfet de gaas para aplicação em microondas. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 347-68.[citado 2024 ago. 02 ]

  • Relatorio tecnico

    Resistor em filme fino (1988)

    Saito, M; Cordaro, M H; Valle, M A

    Unidade: EP

    Assunto: FILMES FINOS

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    • ABNT

      SAITO, M e CORDARO, M H e VALLE, M A. Resistor em filme fino. . Sao Paulo: Lme-Usp. . Acesso em: 02 ago. 2024. , 1988

    • APA

      Saito, M., Cordaro, M. H., & Valle, M. A. (1988). Resistor em filme fino. Sao Paulo: Lme-Usp.

    • NLM

      Saito M, Cordaro MH, Valle MA. Resistor em filme fino. 1988 ;[citado 2024 ago. 02 ]

    • Vancouver

      Saito M, Cordaro MH, Valle MA. Resistor em filme fino. 1988 ;[citado 2024 ago. 02 ]

  • Tese (Doutorado)

    Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas (1987)

    Saito, Megumi; Pinto, José Kleber da Cunha (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS, CIRCUITOS ELETRÔNICOS

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SAITO, Megumi. Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas. 1987. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 02 ago. 2024.

    • APA

      Saito, M. (1987). Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Saito M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas. 1987 ;[citado 2024 ago. 02 ]

    • Vancouver

      Saito M. Desenvolvimento da tecnologia de construção de MESFET de GaAs para aplicação em microondas. 1987 ;[citado 2024 ago. 02 ]

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto e construção de diodos schottky para aplicação em micro-ondas (1974)

    Saito, Megumi; Mammana, Carlos Ignacio Zamitti (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: DIODOS, TECNOLOGIA DE MICRO-ONDAS

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SAITO, Megumi. Projeto e construção de diodos schottky para aplicação em micro-ondas. 1974. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1974. . Acesso em: 02 ago. 2024.

    • APA

      Saito, M. (1974). Projeto e construção de diodos schottky para aplicação em micro-ondas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.

    • NLM

      Saito M. Projeto e construção de diodos schottky para aplicação em micro-ondas. 1974 ;[citado 2024 ago. 02 ]

    • Vancouver

      Saito M. Projeto e construção de diodos schottky para aplicação em micro-ondas. 1974 ;[citado 2024 ago. 02 ]
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