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Tese (Doutorado)
Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas (2001)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-122952/pt-br.php. Acesso em: 14 fev. 2026.
APA
Bellodi, M. (2001). Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-122952/pt-br.php
NLM
Bellodi M. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas [Internet]. 2001 ;[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-122952/pt-br.php
Vancouver
Bellodi M. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas [Internet]. 2001 ;[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-122952/pt-br.php
Artigo de periodico
Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model (1997)
Bellodi, Marcelo; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis
Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
BELLODI, Marcelo e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, Denis. Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model. 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf. Acesso em: 14 fev. 2026.
APA
Bellodi, M., Martino, J. A., & Flandre, D. (1997). Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf
NLM
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model [Internet]. 1997 ;[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf
Vancouver
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction of the SOI MOSFET dimensions in the high-temperature leakage drain current model [Internet]. 1997 ;[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d4f83012-acb5-4d09-bd02-6a898faeee21/3210408.pdf
Dissertação (Mestrado)
Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOSFETS operando em altas temperaturas (1996)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
BELLODI, Marcello. Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOSFETS operando em altas temperaturas. 1996. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101729/pt-br.php. Acesso em: 14 fev. 2026.
APA
Bellodi, M. (1996). Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOSFETS operando em altas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101729/pt-br.php
NLM
Bellodi M. Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOSFETS operando em altas temperaturas [Internet]. 1996 ;[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101729/pt-br.php
Vancouver
Bellodi M. Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOSFETS operando em altas temperaturas [Internet]. 1996 ;[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101729/pt-br.php

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