Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOSFETS operando em altas temperaturas (1996)
- Authors:
- Autor USP: BELLODI, MARCELLO - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEE
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Português
- Abstract: Apresentamos neste trabalho um estudo da corrente de fuga do dreno de transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas. Para o desenvolvimento deste estudo foram utilizados transistores SOI nMOSFETs e SOI pMOSFETs com diferentes condições de polarização e temperatura de operação variando desde a ambiente ate 300'GRAUS'c. Desenvolvemos uma metodologia para a obtenção de um modelo empírico da corrente de fuga do dreno dos transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas. Também foram estudadas as influências das dimensões do comprimento L e da largura W do canal na corrente de fuga do dreno. Os resultados experimentais foram validados através de simulações numéricas bidimensionais realizadas com o simulador numérico MEDICI. Como resultado deste trabalho, foi observado que a corrente de fuga do dreno de transistores SOI MOSFETs operando em altas temperaturas é diretamente proporcional a largura do canal e inversamente proporcional ao comprimento de canal para dispositivos cujo comprimento de canal seja até 20µm e para transistores com comprimento de canal superior a 20µm, a corrente de fuga só depende diretamente da largura do canal do transistor.
- Imprenta:
- Data da defesa: 20.12.1996
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ABNT
BELLODI, Marcello. Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOSFETS operando em altas temperaturas. 1996. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101729/pt-br.php. Acesso em: 20 jan. 2026. -
APA
Bellodi, M. (1996). Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOSFETS operando em altas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101729/pt-br.php -
NLM
Bellodi M. Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOSFETS operando em altas temperaturas [Internet]. 1996 ;[citado 2026 jan. 20 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101729/pt-br.php -
Vancouver
Bellodi M. Metodologia para a obtenção da corrente de fuga em transistores SOI MOSFETS operando em altas temperaturas [Internet]. 1996 ;[citado 2026 jan. 20 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14102024-101729/pt-br.php
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