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Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas (2001)

  • Authors:
  • USP affiliated author: BELLODI, MARCELLO - EP
  • School: EP
  • Sigla do Departamento: PTC
  • Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; TRANSISTORES
  • Language: Português
  • Abstract: Apresentamos neste trabalho um estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno presentes em transistores MOSFET implementados na tecnologia SOI, quando submetidos a altas temperaturas. Para a realização deste estudo, uma série de dispositivos foram caracterizados eletricamente, sob diversas condições de polarizações do substrato e dreno, com diferentes comprimentos de canal, para a faixa de temperatura compreendida entre a temperatura ambiente e 300'GRAUS'C. Para nos auxiliar nos estudos, também foram realizadas simulações numéricas bidimensionais através das quais, foi viabilizado o entendimento dos diversos mecanismos de condução das correntes de fuga ao longo do canal dos transistores SOI MOSFET operando em altas temperaturas. Como resultados deste trabalho, notou-se que os mecanismos que regem a condução das correntes de fuga do dreno variam em função do tipo do canal, das dimensões físicas dos dispositivos e também, da polarização aplicada no substrato. De uma forma geral, nos transistores SOI pMOSFET modo acumulação e nos SOI nMOSFETs modo enriquecimento, tem-se como portadores responsáveis pela condução das correntes de fuga os elétrons e as lacunas, respectivamente, quando estes dispositivos estão submetidos às altas temperaturas e operando na região de fuga. Também foram propostos modelos semi-analíticos para os SOI MOSFETs analisados, que quando implementados em simuladores de circuitos (PSPICE), permitem determinar qual será o comportamentodas correntes de fuga diante das condições de operação impostas aos dispositivos e com a variação da temperatura. Determinou-se que os dispositivos SOI pMOSFET modo acumulação operando na região de fuga, comportam-se como a associação de pares de diodos conectados pelos catodos presentes nas primeira e segunda interfaces, além de um resistor representando a componente da corrente de corpo. Analogamente para os SOI nMOSFETs modo enriquecimento, tem-se que ) tanto o corpo como as interfaces são representados por pares de diodos conectados pelo anodo, representando cada uma das componentes que compõe a corrente total de fuga do dreno
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 22.06.2001

  • How to cite
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    • ABNT

      BELLODI, Marcello; MARTINO, João Antonio. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. 2001.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001.
    • APA

      Bellodi, M., & Martino, J. A. (2001). Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Bellodi M, Martino JA. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. 2001 ;
    • Vancouver

      Bellodi M, Martino JA. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas. 2001 ;

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