Source: SICUSP : Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da USP. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, SEMICONDUTORES
ABNT
NAKANO, A. Y. e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson e CUNHA, Maurício Pereira da. Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. 2000, Anais.. São Paulo: USP, 2000. . Acesso em: 05 out. 2024.APA
Nakano, A. Y., Paez Carreño, M. N., & Cunha, M. P. da. (2000). Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. In SICUSP : Resumos. São Paulo: USP.NLM
Nakano AY, Paez Carreño MN, Cunha MP da. Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. SICUSP : Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 05 ]Vancouver
Nakano AY, Paez Carreño MN, Cunha MP da. Remoção de carbeto de silício amorfo (A-SIC) em plasma CHF3/O2 para fabricação de dispositivos acústicos. SICUSP : Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 05 ]