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Artigo de periodico
Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)
Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1
NLM
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Vancouver
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Artigo de periodico
Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Kohler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K; Noriega, O. C.; Meneses, E. A.; Tabata, A.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Sipahi, Guilherme Matos ; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA
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ABNT
KOHLER, U. et al. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 192, n. 1, p. 129-134, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Kohler, U., As, D. J., Potthast, S., Khartchenko, A., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, 192( 1), 129-134. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering (1999)
Silveira, E.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SILVEIRA, E. et al. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, v. 75, n. 23, p. 3602-3604, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Silveira, E., Tabata, A., Leite, J. R., Trentin, R., Lemos, V., Frey, T., et al. (1999). Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, 75( 23), 3602-3604.
NLM
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072
NLM
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
Artigo de periodico
Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN (1999)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Ramos, L. E.; Tabata, A.; Castineira, J. L. P.; As, D. J.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TELES, L. K. et al. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B, v. 216, n. 1, p. 541-545, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Ramos, L. E., Tabata, A., Castineira, J. L. P., & As, D. J. (1999). Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B, 216( 1), 541-545.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ramos LE, Tabata A, Castineira JLP, As DJ. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 541-545.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ramos LE, Tabata A, Castineira JLP, As DJ. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 541-545.[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates (1999)
Tabata, A.; Martini, S.; Quivy, A. A.; Ceschin, Artemis Marti; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TABATA, A. et al. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 405-411, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Martini, S., Quivy, A. A., Ceschin, A. M., & Leite, J. R. (1999). Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 405-411. doi:10.1006/spmi.1998.0667
NLM
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Vancouver
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667
Artigo de periodico
Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schikora, D.; Schottker, B.; Kohler, U.; As, D. J.; Lischka, K.
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
TABATA, A. et al. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, 14( 4), 318-322. doi:10.1088/0268-1242/14/4/005
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Artigo de periodico
Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy (1999)
Lima, A. P.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Kaiser, S.; Schikora, D.; Schottker, B.; Frey, T.; Lischka, K.
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assunto: CRISTALOGRAFIA
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ABNT
LIMA, A. P. et al. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 202, p. 396-398, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Lima, A. P., Tabata, A., Leite, J. R., Kaiser, S., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, 202, 396-398. doi:10.1016/s0022-0248(98)01359-1
NLM
Lima AP, Tabata A, Leite JR, Kaiser S, Schikora D, Schottker B, Frey T, Lischka K. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1999 ; 202 396-398.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1
Vancouver
Lima AP, Tabata A, Leite JR, Kaiser S, Schikora D, Schottker B, Frey T, Lischka K. Growth of cubic InN on InAs(001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1999 ; 202 396-398.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01359-1
Artigo de periodico
Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Leite, J. R.; Lima, A. P.; Silveira, E.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 75, n. 8, p. 1095-1097, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Leite, J. R., Lima, A. P., Silveira, E., Frey, T., As, D. J., et al. (1999). Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, 75( 8), 1095-1097.
NLM
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys (1999)
Tabata, A.; Silveira, E.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B, v. 216, n. 1, p. 769-774, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Silveira, E., Leite, J. R., Trentin, R., Scolfaro, L. M. R., Lemos, V., et al. (1999). Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B, 216( 1), 769-774.
NLM
Tabata A, Silveira E, Leite JR, Trentin R, Scolfaro LMR, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 769-774.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Tabata A, Silveira E, Leite JR, Trentin R, Scolfaro LMR, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 769-774.[citado 2025 nov. 01 ]

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