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  • Artigo de periodico

    Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells (2014)

    Gomez Armas, Luis Enrique ; Seabra, Antonio Carlos ; Silva, E C F; Duarte, C A; Pagnossin, Ivan Ramos; Quivy, Alain André ; Menezes, J. W; Jacinto, Carlos; Gusev, Gennady

    Source: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. Unidades: EP, IF

    Assunto: ELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GOMEZ ARMAS, Luis Enrique et al. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, v. 61, p. 158-166, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001. Acesso em: 06 out. 2025.

    • APA

      Gomez Armas, L. E., Seabra, A. C., Silva, E. C. F., Duarte, C. A., Pagnossin, I. R., Quivy, A. A., et al. (2014). Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 61, 158-166. doi:10.1016/j.physe.2014.04.001

    • NLM

      Gomez Armas LE, Seabra AC, Silva ECF, Duarte CA, Pagnossin IR, Quivy AA, Menezes JW, Jacinto C, Gusev G. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2014 ; 61 158-166.[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001

    • Vancouver

      Gomez Armas LE, Seabra AC, Silva ECF, Duarte CA, Pagnossin IR, Quivy AA, Menezes JW, Jacinto C, Gusev G. Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2014 ; 61 158-166.[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2014.04.001

  • Artigo de periodico

    Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells (2014)

    Gomez Armas, Luis Enrique ; Menezes, J. W.; Duarte, C. A.; Jacinto, C.; Seabra, Antonio Carlos ; Pagnossin, Ivan Ramos; Quivy, Alain André ; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Gusev, Gennady

    Source: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. Unidades: IF, EP

    Assunto: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GOMEZ ARMAS, Luis Enrique et al. Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, v. 61, p. 158-166, 2014Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1386947714001180#. Acesso em: 06 out. 2025.

    • APA

      Gomez Armas, L. E., Menezes, J. W., Duarte, C. A., Jacinto, C., Seabra, A. C., Pagnossin, I. R., et al. (2014). Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 61, 158-166. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1386947714001180#

    • NLM

      Gomez Armas LE, Menezes JW, Duarte CA, Jacinto C, Seabra AC, Pagnossin IR, Quivy AA, Silva ECF da, Gusev G. Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells [Internet]. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2014 ; 61 158-166.[citado 2025 out. 06 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1386947714001180#

    • Vancouver

      Gomez Armas LE, Menezes JW, Duarte CA, Jacinto C, Seabra AC, Pagnossin IR, Quivy AA, Silva ECF da, Gusev G. Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells [Internet]. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2014 ; 61 158-166.[citado 2025 out. 06 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1386947714001180#

  • Tese (Doutorado)

    Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos (2008)

    Pagnossin, Ivan Ramos; Gusev, Guennadii Michailovich (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: EFEITO HALL, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FOTODETECTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PAGNOSSIN, Ivan Ramos. Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/. Acesso em: 06 out. 2025.

    • APA

      Pagnossin, I. R. (2008). Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/

    • NLM

      Pagnossin IR. Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos [Internet]. 2008 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/

    • Vancouver

      Pagnossin IR. Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos [Internet]. 2008 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/

  • Artigo de periodico

    Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots (2008)

    Pagnossin, Ivan Ramos; Meikap, A K; Quivy, A. A.; Gusev, Guennadii Michailovich

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: FILMES FINOS, POÇOS QUÂNTICOS

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PAGNOSSIN, Ivan Ramos et al. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 104, n. 7, p. 073723/1-073723/6, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2996034. Acesso em: 06 out. 2025.

    • APA

      Pagnossin, I. R., Meikap, A. K., Quivy, A. A., & Gusev, G. M. (2008). Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots. Journal of Applied Physics, 104( 7), 073723/1-073723/6. doi:10.1063/1.2996034

    • NLM

      Pagnossin IR, Meikap AK, Quivy AA, Gusev GM. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104( 7): 073723/1-073723/6.[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2996034

    • Vancouver

      Pagnossin IR, Meikap AK, Quivy AA, Gusev GM. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104( 7): 073723/1-073723/6.[citado 2025 out. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2996034

  • Dissertação (Mestrado)

    Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs (2004)

    Pagnossin, Ivan Ramos; Silva, Euzi Conceição Fernandes da (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, EFEITO HALL, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PAGNOSSIN, Ivan Ramos. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/. Acesso em: 06 out. 2025.

    • APA

      Pagnossin, I. R. (2004). Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/

    • NLM

      Pagnossin IR. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs [Internet]. 2004 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/

    • Vancouver

      Pagnossin IR. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs [Internet]. 2004 ;[citado 2025 out. 06 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/
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