Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs (2004)
- Authors:
- Autor USP: PAGNOSSIN, IVAN RAMOS - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- DOI: 10.11606/D.43.2004.tde-07072004-104036
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; FOTOLUMINESCÊNCIA; EFEITO HALL; POÇOS QUÂNTICOS
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho, realizamos medidas sistemáticas dos efeitos Hall e Shubnikov-de Haas em função do tempo de iluminação das amostras a fim de investigar as propriedades de transporte elétrico de um gás bidimensional de elétrons confinado num poço-quântico de GaAs/InGaAs próximo a pontos-quânticos de InAs introduzidos na barreira superior do poço-quântico (GaAs). Nós não observamos qualquer degradação expressiva da mobilidade eletrônica devido a inserção deles na heteroestrutura. Contudo, observamos diferentes variações das mobilidades quânticas de amostra para amostra, as quais atribuimos ao acúmulo da tensão mecânica na camada de InAs. O comportamento das mobilidades quânticas e de transporte são discutidas no contexto da modulação local dos perfis das bandas de condução e de valência pela camada de InAs
- Imprenta:
- Data da defesa: 29.04.2004
- Este periódico é de acesso aberto
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- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc-sa
-
ABNT
PAGNOSSIN, Ivan Ramos. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/. Acesso em: 02 nov. 2024. -
APA
Pagnossin, I. R. (2004). Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/ -
NLM
Pagnossin IR. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs [Internet]. 2004 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/ -
Vancouver
Pagnossin IR. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs [Internet]. 2004 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/ - Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos
- Influence of the Al concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled AlxGa1−xAs/AlAs/AlyGa1−yAs double quantum wells
- Influence of the 'AL' concentration on the electronic properties of coupled and uncoupled 'AL' IND. 'qui''GA' IND. 1−'qui''AS'/'AL''AS'/'AL' IND. gama''GA IND. 1−'gama''AS' double quantum wells
Informações sobre o DOI: 10.11606/D.43.2004.tde-07072004-104036 (Fonte: oaDOI API)
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