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Trabalho de evento-resumo
Layer-dependent electronic properties of few-layers blue phosphorus and their vdW heterostructures with graphene (2018)
Sousa, Jose Eduardo Rodrigues de; Pontes, Renato Borges; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SOUSA, Jose Eduardo Rodrigues de et al. Layer-dependent electronic properties of few-layers blue phosphorus and their vdW heterostructures with graphene. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0455-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Sousa, J. E. R. de, Pontes, R. B., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2018). Layer-dependent electronic properties of few-layers blue phosphorus and their vdW heterostructures with graphene. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0455-1.pdf
NLM
Sousa JER de, Pontes RB, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Layer-dependent electronic properties of few-layers blue phosphorus and their vdW heterostructures with graphene [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0455-1.pdf
Vancouver
Sousa JER de, Pontes RB, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Layer-dependent electronic properties of few-layers blue phosphorus and their vdW heterostructures with graphene [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0455-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Oxidation of free-standing and supported borophene (2016)
Alvarez-Quiceno, Juan C; Miwa, Roberto Hiroki; Dalpian, Gustavo M; Fazzio, Adalberto
Source: Posters - Resumos. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
ALVAREZ-QUICENO, Juan C et al. Oxidation of free-standing and supported borophene. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1115-2.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Alvarez-Quiceno, J. C., Miwa, R. H., Dalpian, G. M., & Fazzio, A. (2016). Oxidation of free-standing and supported borophene. In Posters - Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1115-2.pdf
NLM
Alvarez-Quiceno JC, Miwa RH, Dalpian GM, Fazzio A. Oxidation of free-standing and supported borophene [Internet]. Posters - Resumos. 2016 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1115-2.pdf
Vancouver
Alvarez-Quiceno JC, Miwa RH, Dalpian GM, Fazzio A. Oxidation of free-standing and supported borophene [Internet]. Posters - Resumos. 2016 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1115-2.pdf
Artigo de periodico
Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane (2016)
Padilha, Jose Eduardo; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: SPIN, TOPOLOGIA
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ABNT
PADILHA, Jose Eduardo e MIWA, Roberto Hiroki e FAZZIO, Adalberto. Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, v. 18, n. 36, p. 25491-25496, 2016Tradução . . Disponível em: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/cp/c6cp05092a#!divAbstract. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Padilha, J. E., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2016). Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 18( 36), 25491-25496. doi:10.1039/c6cp05092a
NLM
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A. Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane [Internet]. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. 2016 ; 18( 36): 25491-25496.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/cp/c6cp05092a#!divAbstract
Vancouver
Padilha JE, Miwa RH, Fazzio A. Directional dependence of the electronic and transport properties of 2D borophene and borophane [Internet]. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS. 2016 ; 18( 36): 25491-25496.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2016/cp/c6cp05092a#!divAbstract
Trabalho de evento-resumo
A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds (2016)
Pontes, Renato Borges; Padilha, José Eduardo; Schmidt, Tome Mauro; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: Oral Session - Resumo. Conference titles: Encontro de Física |d ( 2016 |c Natal, RN, Brasil ). Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SPINTRÔNICA
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ABNT
PONTES, Renato Borges et al. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1951-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Pontes, R. B., Padilha, J. E., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2016). A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds. In Oral Session - Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1951-1.pdf
NLM
Pontes RB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds [Internet]. Oral Session - Resumo. 2016 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1951-1.pdf
Vancouver
Pontes RB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. A new class of large band gap quantum spin hall insulators: 2D fluorinated group-IV binary compounds [Internet]. Oral Session - Resumo. 2016 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R1951-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation (2014)
Acosta, Carlos Augusto Mera; Lima, Matheus Paes; Miwa, Roberto Hiroki; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SPIN
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ABNT
ACOSTA, Carlos Augusto Mera et al. Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Acosta, C. A. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2014). Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf
NLM
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf
Vancouver
Acosta CAM, Lima MP, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic properties of 'RU' lattices on graphene: an ab-initio investigation [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R0242-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Non Covalent n-type doping of graphene on 'SI'O2 (2011)
Miwa, Roberto Hiroki; Schmidt, Tomé Mauro; Scopel, Wanderlã Luis; Fazzio, Adalberto
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: CARBONO
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ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Non Covalent n-type doping of graphene on 'SI'O2. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0109-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., Scopel, W. L., & Fazzio, A. (2011). Non Covalent n-type doping of graphene on 'SI'O2. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0109-1.pdf
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Non Covalent n-type doping of graphene on 'SI'O2 [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0109-1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Scopel WL, Fazzio A. Non Covalent n-type doping of graphene on 'SI'O2 [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0109-1.pdf
Artigo de periodico
`sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters (2008)
Martins, Thiago Barros; Silva, Antonio Jose Roque da; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Subjects: NANOPARTÍCULAS, FUNÇÕES DE GREEN
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ABNT
MARTINS, Thiago Barros et al. `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters. Nano Letters, v. 8, n. 8, p. 2293-2298, 2008Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Martins, T. B., Silva, A. J. R. da, Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2008). `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters. Nano Letters, 8( 8), 2293-2298. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j
NLM
Martins TB, Silva AJR da, Miwa RH, Fazzio A. `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters [Internet]. Nano Letters. 2008 ; 8( 8): 2293-2298.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j
Vancouver
Martins TB, Silva AJR da, Miwa RH, Fazzio A. `sigma´- and `pi´- defects at graphene nanoribbon edges: building spin filters [Internet]. Nano Letters. 2008 ; 8( 8): 2293-2298.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl800991j
Artigo de periodico
Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons (2007)
Martins, T B; Miwa, Roberto Hiroki; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINS, T B et al. Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons. Physical Review Letters, v. 98, n. 19, p. 196803/1-196803/4, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Martins, T. B., Miwa, R. H., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2007). Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons. Physical Review Letters, 98( 19), 196803/1-196803/4. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Martins TB, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review Letters. 2007 ; 98( 19): 196803/1-196803/4.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Martins TB, Miwa RH, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and transport properties of boron-doped graphene nanoribbons [Internet]. Physical Review Letters. 2007 ; 98( 19): 196803/1-196803/4.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000098000019196803000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento
Defeitos intrínsecos em Nanofios de InP, Antisitios (2006)
Miwa, Roberto Hiroki; Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki e SCHMIDT, Tome Mauro e FAZZIO, Adalberto. Defeitos intrínsecos em Nanofios de InP, Antisitios. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1401-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2006). Defeitos intrínsecos em Nanofios de InP, Antisitios. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1401-1.pdf
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Defeitos intrínsecos em Nanofios de InP, Antisitios [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1401-1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. Defeitos intrínsecos em Nanofios de InP, Antisitios [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1401-1.pdf
Trabalho de evento
Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111) (2005)
Miwa, Roberto Hiroki; Schmidt, Tomé; Venezuela, Pedro; Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111). 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111). In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf
NLM
Miwa RH, Schmidt T, Venezuela P, Fazzio A. Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111) [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Schmidt T, Venezuela P, Fazzio A. Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111) [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of the influence of preparation techniques of thin films of poly(p-phenylene-vinilene) (PPV) (2004)
Verissimo-Alves, Marcos; Marletta, Alexandre; Miwa, Roberto Hiroki; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Faria, Roberto Mendonça
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC
Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VERISSIMO-ALVES, Marcos et al. Study of the influence of preparation techniques of thin films of poly(p-phenylene-vinilene) (PPV). 2004, Anais.. Flagstaff: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Verissimo-Alves, M., Marletta, A., Miwa, R. H., Guimarães, F. E. G., & Faria, R. M. (2004). Study of the influence of preparation techniques of thin films of poly(p-phenylene-vinilene) (PPV). In Abstracts. Flagstaff: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Verissimo-Alves M, Marletta A, Miwa RH, Guimarães FEG, Faria RM. Study of the influence of preparation techniques of thin films of poly(p-phenylene-vinilene) (PPV). Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Verissimo-Alves M, Marletta A, Miwa RH, Guimarães FEG, Faria RM. Study of the influence of preparation techniques of thin films of poly(p-phenylene-vinilene) (PPV). Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation (2004)
Venezuela, P; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, P e MIWA, Roberto Hiroki e FAZZIO, Adalberto. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Venezuela, P., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
NLM
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
Vancouver
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf
Artigo de periodico
Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface (2003)
Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, v. 67, n. 4, p. 045325/1-045325/5, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Miwa, R. H., Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2003). Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, 67( 4), 045325/1-045325/5. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
NLM
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Vancouver
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study (2002)
Morbec, F M O; Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORBEC, F M O et al. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Morbec, F. M. O., Miwa, R. H., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
"P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Mota, R., & Fazzio, A. (1999). "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Mota R, Fazzio A. "P IND. In' antisite in InP: structural and electronic properties. Resumos. 1999 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Artigo de periodico
'['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP (1999)
Schmidt, Tome Mauro; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto; Mora, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tome Mauro et al. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B, v. 60, n. 24, p. 16475-16478, 1999Tradução . . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mora, R. (1999). '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B, 60( 24), 16475-16478.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mora R. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B. 1999 ; 60( 24): 16475-16478.[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mora R. '['P IND.IN] POT.(n)' antisite clustering in InP. Physical Review B. 1999 ; 60( 24): 16475-16478.[citado 2024 nov. 03 ]
Artigo de periodico
Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto; Mota, R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, v. 273-274, p. 831-834, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (1999). Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, 273-274, 831-834. doi:10.1016/s0921-4526(99)00515-3
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Artigo de periodico
Adsorption and dimer exchange processes in surfactant-mediated epitaxial growth of GaAs/InAs (1998)
Miwa, Roberto Hiroki; Ferraz, A. C.; Rodrigues, W N; Chachan, H
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Adsorption and dimer exchange processes in surfactant-mediated epitaxial growth of GaAs/InAs. Surface Science, v. 415, n. 1-2, p. se 30, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(98)00427-0. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Miwa, R. H., Ferraz, A. C., Rodrigues, W. N., & Chachan, H. (1998). Adsorption and dimer exchange processes in surfactant-mediated epitaxial growth of GaAs/InAs. Surface Science, 415( 1-2), se 30. doi:10.1016/s0039-6028(98)00427-0
NLM
Miwa RH, Ferraz AC, Rodrigues WN, Chachan H. Adsorption and dimer exchange processes in surfactant-mediated epitaxial growth of GaAs/InAs [Internet]. Surface Science. 1998 ; 415( 1-2): se 30.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(98)00427-0
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC, Rodrigues WN, Chachan H. Adsorption and dimer exchange processes in surfactant-mediated epitaxial growth of GaAs/InAs [Internet]. Surface Science. 1998 ; 415( 1-2): se 30.[citado 2024 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(98)00427-0
Tese (Doutorado)
Adsorção de moléculas de 'As IND.2' sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces Ga As/Te/In As e Ga As/Si(Ge)/Al As (1997)
Miwa, Roberto Hiroki; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki. Adsorção de moléculas de 'As IND.2' sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces Ga As/Te/In As e Ga As/Si(Ge)/Al As. 1997. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02072013-151151/. Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Miwa, R. H. (1997). Adsorção de moléculas de 'As IND.2' sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces Ga As/Te/In As e Ga As/Si(Ge)/Al As (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02072013-151151/
NLM
Miwa RH. Adsorção de moléculas de 'As IND.2' sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces Ga As/Te/In As e Ga As/Si(Ge)/Al As [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02072013-151151/
Vancouver
Miwa RH. Adsorção de moléculas de 'As IND.2' sobre as superfícies de GaAs (001): {Te, Se e S} e a formação das interfaces Ga As/Te/In As e Ga As/Si(Ge)/Al As [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-02072013-151151/
Dissertação (Mestrado)
Propriedades eletrônicas das super-redes ' ('ga ind.1-x''in ind.X'P) IND.3'' ('ga ind.1-y''in ind.Y'P) IND.3' (1992)
Miwa, Roberto Hiroki; Ferraz, A. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki. Propriedades eletrônicas das super-redes ' ('ga ind.1-x''in ind.X'P) IND.3'' ('ga ind.1-y''in ind.Y'P) IND.3'. 1992. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1992. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Miwa, R. H. (1992). Propriedades eletrônicas das super-redes ' ('ga ind.1-x''in ind.X'P) IND.3'' ('ga ind.1-y''in ind.Y'P) IND.3' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Miwa RH. Propriedades eletrônicas das super-redes ' ('ga ind.1-x''in ind.X'P) IND.3'' ('ga ind.1-y''in ind.Y'P) IND.3'. 1992 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Miwa RH. Propriedades eletrônicas das super-redes ' ('ga ind.1-x''in ind.X'P) IND.3'' ('ga ind.1-y''in ind.Y'P) IND.3'. 1992 ;[citado 2024 nov. 03 ]

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