Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation (2004)
- Authors:
- Autor USP: FAZZIO, ADALBERTO - IF
- Unidade: IF
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
VENEZUELA, P e MIWA, Roberto Hiroki e FAZZIO, Adalberto. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf. Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Venezuela, P., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf -
NLM
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf -
Vancouver
Venezuela P, Miwa RH, Fazzio A. Carbon in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X': an ab initio investigation [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 abr. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0750-1.pdf - Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'
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