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Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica de impurezas em germanio (1988)
Castineira, J L P; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
CASTINEIRA, J L P e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1988
APA
Castineira, J. L. P., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. 1988 ;40( 7 supl.): 350.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. 1988 ;40( 7 supl.): 350.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o (1986)
Giafarov, M F M; Pereira Neto, J R; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
GIAFAROV, M F M e PEREIRA NETO, J R e LEITE, J. R. Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1986
APA
Giafarov, M. F. M., Pereira Neto, J. R., & Leite, J. R. (1986). Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Giafarov MFM, Pereira Neto JR, Leite JR. Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 348.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Giafarov MFM, Pereira Neto JR, Leite JR. Estrutura eletronica do 'K IND.2''PT'' (CN) IND.4'.'BR IND.0.3'.3'H IND.2'o. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 348.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS' (1986)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1986
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 326.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 326.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem (1986)
Gomes, V M S; Chaves, A S; Leite, J. R.; Worlock, J M
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
GOMES, V M S et al. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1986
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1986). Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 325.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Calculos autoconsistentes da densidade bidimensional de eletrons em super-redes com dopagem. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 325.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica do silicio na aproximacao de supercelula atraves do m c v (1986)
Chagas, M I T; Pereira Neto, J R; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
CHAGAS, M I T et al. Estrutura eletronica do silicio na aproximacao de supercelula atraves do m c v. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1986
APA
Chagas, M. I. T., Pereira Neto, J. R., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1986). Estrutura eletronica do silicio na aproximacao de supercelula atraves do m c v. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Chagas MIT, Pereira Neto JR, Leite JR, Ferraz AC. Estrutura eletronica do silicio na aproximacao de supercelula atraves do m c v. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 347.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Chagas MIT, Pereira Neto JR, Leite JR, Ferraz AC. Estrutura eletronica do silicio na aproximacao de supercelula atraves do m c v. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 347.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p (1986)
Alves, H W L; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1986
APA
Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (1986). Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Alves HWL, Leite JR. Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR. Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio (1986)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1986
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio. Ciência e Cultura. 1986 ;38( 7 supl.): 352.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio (1985)
Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Pereira Neto, J R
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. e PEREIRA NETO, J R. Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1985
APA
Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Pereira Neto, J. R. (1985). Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Scolfaro LMR, Leite JR, Pereira Neto JR. Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Leite JR, Pereira Neto JR. Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante (1985)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1985
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1985). Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio (1985)
Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1985
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.; Assali, L. V. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1985
APA
Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1985). Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR, Assali LVC. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 251.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR, Assali LVC. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 251.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional (1985)
Takahashi, E K; Lino, A T; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1985
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1985). Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Leite JR, Ferraz AC. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Leite JR, Ferraz AC. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d (1985)
Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, J L A e LEITE, J. R. Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1985
APA
Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1985). Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Alves JLA, Leite JR. Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 273.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Alves JLA, Leite JR. Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 273.[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Aplicação do metodo celular variacional para eletrons do continuo (1985)
Landgraf, T C; Watari, K.; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LANDGRAF, T C e WATARI, K. e LEITE, J. R. Aplicação do metodo celular variacional para eletrons do continuo. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 jul. 2024. , 1985
APA
Landgraf, T. C., Watari, K., & Leite, J. R. (1985). Aplicação do metodo celular variacional para eletrons do continuo. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Landgraf TC, Watari K, Leite JR. Aplicação do metodo celular variacional para eletrons do continuo. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 231.[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Landgraf TC, Watari K, Leite JR. Aplicação do metodo celular variacional para eletrons do continuo. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 231.[citado 2024 jul. 03 ]

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