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  • Artigo de periodico

    Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments (2021)

    Vilas Bôas, Alexis C.; Melo, M.A.A. de; Santos, R. B. B.; Giacomini, R.; Medina, Nilberto H. ; Seixas, L. E.; Finco, S.; Palomo, F. R.; Romero-Maestre, A.; Guazzelli, Marcilei A.

    Source: Microelectronics Reliability. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA NUCLEAR, RADIAÇÃO IONIZANTE, ELETRÔNICA QUÂNTICA, NANOTECNOLOGIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      VILAS BÔAS, Alexis C. et al. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments. Microelectronics Reliability, v. 116, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000. Acesso em: 14 out. 2025.

    • APA

      Vilas Bôas, A. C., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R., Medina, N. H., Seixas, L. E., et al. (2021). Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments. Microelectronics Reliability, 116. doi:10.1016/j.microrel.2020.114000

    • NLM

      Vilas Bôas AC, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Romero-Maestre A, Guazzelli MA. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments [Internet]. Microelectronics Reliability. 2021 ; 116[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000

    • Vancouver

      Vilas Bôas AC, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Romero-Maestre A, Guazzelli MA. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments [Internet]. Microelectronics Reliability. 2021 ; 116[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000

  • Trabalho de evento-resumo

    Single event effects studies on 3N163 MOSFET (2014)

    Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Seixas Jr, L.E.; Silveira, M.A.G.; Santos, R.B.; Melo, M.A.A.; Giacomini, R.; Leite, F.G.; Cunha, F.G.; Oliveira, J.A.; Rallo, A.; Macchione, Eduardo Luiz Augusto ; Aguirre, Fernando Rodrigues; Medina, Nilberto Heder; Added, Nemitala

    Source: SBF. Conference titles: Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA NUCLEAR, ACELERADOR DE PARTÍCULAS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      AGUIAR, Vitor Ângelo Paulino de et al. Single event effects studies on 3N163 MOSFET. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf. Acesso em: 14 out. 2025.

    • APA

      Aguiar, V. Â. P. de, Seixas Jr, L. E., Silveira, M. A. G., Santos, R. B., Melo, M. A. A., Giacomini, R., et al. (2014). Single event effects studies on 3N163 MOSFET. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf

    • NLM

      Aguiar VÂP de, Seixas Jr LE, Silveira MAG, Santos RB, Melo MAA, Giacomini R, Leite FG, Cunha FG, Oliveira JA, Rallo A, Macchione ELA, Aguirre FR, Medina NH, Added N. Single event effects studies on 3N163 MOSFET [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf

    • Vancouver

      Aguiar VÂP de, Seixas Jr LE, Silveira MAG, Santos RB, Melo MAA, Giacomini R, Leite FG, Cunha FG, Oliveira JA, Rallo A, Macchione ELA, Aguirre FR, Medina NH, Added N. Single event effects studies on 3N163 MOSFET [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs (2010)

    Bühler, Rudolf Theoderich; Giacomini, R.; Martino, João Antonio

    Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP

    Assunto: SIMULAÇÃO DE SISTEMAS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BÜHLER, Rudolf Theoderich e GIACOMINI, R. e MARTINO, João Antonio. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 21-28, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474138. Acesso em: 14 out. 2025.

    • APA

      Bühler, R. T., Giacomini, R., & Martino, J. A. (2010). Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 21-28. doi:10.1149/1.3474138

    • NLM

      Bühler RT, Giacomini R, Martino JA. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 21-28.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474138

    • Vancouver

      Bühler RT, Giacomini R, Martino JA. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 21-28.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474138
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