ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
Passivation layer and charge collection depth in electronic devices (2018)
Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Medina, Nilberto Heder; Added, Nemitala ; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Macchione, Eduardo Luiz Augusto ; Leite, A. R.; Silva, Tiago Fiorini da; Rodrigues, Cleber Lima; Escudeiro, R.; Allegro, Paula Rangel Pestana ; Santos, H. C.; Alberton, S. G.; Scarduelli, V. B.; Silveira, M. A. G.; Melo, M. A. A. de; Santos, R. B. B.; Giacomini, R.; Oliveira, J. A.; Leite, F. G. H.; Sayeg, Isaac Jamil
Fonte: Resumos. Nome do evento: Brazilian Meeting on Nuclear Physics. Unidades: IF, IGC
Assuntos: ACELERADOR DE PARTÍCULAS, ÍONS PESADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AGUIAR, Vitor Ângelo Paulino de et al. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=17. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Aguiar, V. Â. P. de, Medina, N. H., Added, N., Aguiar, V. Â. P. de, Macchione, E. L. A., Leite, A. R., et al. (2018). Passivation layer and charge collection depth in electronic devices. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=17
NLM
Aguiar VÂP de, Medina NH, Added N, Aguiar VÂP de, Macchione ELA, Leite AR, Silva TF da, Rodrigues CL, Escudeiro R, Allegro PRP, Santos HC, Alberton SG, Scarduelli VB, Silveira MAG, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Oliveira JA, Leite FGH, Sayeg IJ. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=17
Vancouver
Aguiar VÂP de, Medina NH, Added N, Aguiar VÂP de, Macchione ELA, Leite AR, Silva TF da, Rodrigues CL, Escudeiro R, Allegro PRP, Santos HC, Alberton SG, Scarduelli VB, Silveira MAG, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Oliveira JA, Leite FGH, Sayeg IJ. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/programa/trabalhos.asp?sesId=17
Trabalho de evento-resumo
Single event effects studies on 3N163 MOSFET (2014)
Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Seixas Jr, L.E.; Silveira, M.A.G.; Santos, R.B.; Melo, M.A.A.; Giacomini, R.; Leite, F.G.; Cunha, F.G.; Oliveira, J.A.; Rallo, A.; Macchione, Eduardo Luiz Augusto ; Aguirre, Fernando Rodrigues; Medina, Nilberto Heder; Added, Nemitala
Fonte: SBF. Nome do evento: Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, ACELERADOR DE PARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AGUIAR, Vitor Ângelo Paulino de et al. Single event effects studies on 3N163 MOSFET. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Aguiar, V. Â. P. de, Seixas Jr, L. E., Silveira, M. A. G., Santos, R. B., Melo, M. A. A., Giacomini, R., et al. (2014). Single event effects studies on 3N163 MOSFET. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf
NLM
Aguiar VÂP de, Seixas Jr LE, Silveira MAG, Santos RB, Melo MAA, Giacomini R, Leite FG, Cunha FG, Oliveira JA, Rallo A, Macchione ELA, Aguirre FR, Medina NH, Added N. Single event effects studies on 3N163 MOSFET [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf
Vancouver
Aguiar VÂP de, Seixas Jr LE, Silveira MAG, Santos RB, Melo MAA, Giacomini R, Leite FG, Cunha FG, Oliveira JA, Rallo A, Macchione ELA, Aguirre FR, Medina NH, Added N. Single event effects studies on 3N163 MOSFET [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0100-1.pdf
Artigo de periodico
Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs (2010)
Bühler, Rudolf Theoderich; Giacomini, R.; Martino, João Antonio
Fonte: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: SIMULAÇÃO DE SISTEMAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BÜHLER, Rudolf Theoderich e GIACOMINI, R. e MARTINO, João Antonio. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 21-28, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474138. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Bühler, R. T., Giacomini, R., & Martino, J. A. (2010). Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 21-28. doi:10.1149/1.3474138
NLM
Bühler RT, Giacomini R, Martino JA. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 21-28.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474138
Vancouver
Bühler RT, Giacomini R, Martino JA. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 21-28.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474138

Unidades USP

ReP

Filtros

Autores

Autores USP