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  • Relatorio tecnico

    Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment (2011)

    Lima, Matheus P; Silva, Antônio J. R. da; Fazzio, A

    Unidade: IF

    Assunto: MAGNETISMO

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LIMA, Matheus P e SILVA, Antônio J. R. da e FAZZIO, A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1112.2159v1.pdf. Acesso em: 29 jun. 2025. , 2011

    • APA

      Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1112.2159v1.pdf

    • NLM

      Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment [Internet]. 2011 ;[citado 2025 jun. 29 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1112.2159v1.pdf

    • Vancouver

      Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment [Internet]. 2011 ;[citado 2025 jun. 29 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1112.2159v1.pdf

  • Artigo de periodico

    Quantum confinement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation (2011)

    Wrasse, E O; Baierle, R. J; Schmidt, T M; Fazzio, A

    Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      WRASSE, E O et al. Quantum confinement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 24, p. 245324, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324. Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2011). Quantum confinement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation. PHYSICAL REVIEW B, 84( 24), 245324. doi:10.1103/PhysRevB.84.245324

    • NLM

      Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Quantum confinement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245324.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324

    • Vancouver

      Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Quantum confinement and spin-orbit interactions in 'PB''SE' and 'PB''TE' nanowires: first-principles calculation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245324.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.245324

  • Relatorio tecnico

    Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations (2011)

    Almeida, J M de; Rocha, A R; Silva, Antonio J R da; Fazzio, A

    Unidades: IF, IEB

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALMEIDA, J M de et al. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf. Acesso em: 29 jun. 2025. , 2011

    • APA

      Almeida, J. M. de, Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf

    • NLM

      Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations [Internet]. 2011 ;[citado 2025 jun. 29 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf

    • Vancouver

      Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin-iltering and disorder induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations [Internet]. 2011 ;[citado 2025 jun. 29 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1103/1103.5177v2.pdf

  • Artigo de periodico

    Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes (2011)

    Padilha, J E ; Amorim, R G; Rocha, A R; Silva, A J R da ; Fazzio, A

    Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF

    Assunto: ENERGIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PADILHA, J E et al. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes. Solid State Communications, v. 151, n. 6, p. 482-486, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031. Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Padilha, J. E., Amorim, R. G., Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes. Solid State Communications, 151( 6), 482-486. doi:10.1016/j.ssc.2010.12.031

    • NLM

      Padilha JE, Amorim RG, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2011 ;151( 6): 482-486.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031

    • Vancouver

      Padilha JE, Amorim RG, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and stability of vacancies in carbon nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2011 ;151( 6): 482-486.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.12.031

  • Artigo de periodico

    Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment (2011)

    Lima, Matheus P ; Silva, Antonio J R da ; Fazzio, A

    Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Assuntos: MAGNETISMO, CARBONO

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LIMA, Matheus P e SILVA, Antonio J R da e FAZZIO, A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 24, p. 245411, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.84.245411. Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment. PHYSICAL REVIEW B, 84( 24), 245411. doi:10.1103/physrevb.84.245411

    • NLM

      Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245411.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.84.245411

    • Vancouver

      Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 24): 245411.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.84.245411

  • Trabalho de evento-resumo

    Efeitos termoelétricos em nanofitas de grafeno (2011)

    Torres, Alberto; Silva, A J R da; Fazzio, A

    Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF

    Assunto: TERMOELETRICIDADE

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TORRES, Alberto e SILVA, A J R da e FAZZIO, A. Efeitos termoelétricos em nanofitas de grafeno. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2621-1.pdf. Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Torres, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Efeitos termoelétricos em nanofitas de grafeno. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2621-1.pdf

    • NLM

      Torres A, Silva AJR da, Fazzio A. Efeitos termoelétricos em nanofitas de grafeno [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 jun. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2621-1.pdf

    • Vancouver

      Torres A, Silva AJR da, Fazzio A. Efeitos termoelétricos em nanofitas de grafeno [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 jun. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2621-1.pdf

  • Relatorio tecnico

    Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation (2011)

    Padilha, J E; Lima, Matheus P; Silva, Antonio J R da; Fazzio, A

    Unidades: IF, IEB

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PADILHA, J E et al. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf. Acesso em: 29 jun. 2025. , 2011

    • APA

      Padilha, J. E., Lima, M. P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf

    • NLM

      Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation [Internet]. 2011 ;[citado 2025 jun. 29 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf

    • Vancouver

      Padilha JE, Lima MP, Silva AJR da, Fazzio A. Bilayer graphene dual-gate nanodevice: an ab initio simulation [Internet]. 2011 ;[citado 2025 jun. 29 ] Available from: http://arxiv.org/PS_cache/arxiv/pdf/1109/1109.6929v1.pdf

  • Artigo de periodico

    Spin filtering and disorder-induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations (2011)

    Almeida, J M de; Rocha, A R; Silva, Antonio J R da ; Fazzio, A

    Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF

    Assuntos: MAGNETISMO, CARBONO

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALMEIDA, J M de et al. Spin filtering and disorder-induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. PHYSICAL REVIEW B, v. 84, n. 8, p. 085412-1-085412-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.085412. Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Almeida, J. M. de, Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Spin filtering and disorder-induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations. PHYSICAL REVIEW B, 84( 8), 085412-1-085412-6. doi:10.1103/PhysRevB.84.085412

    • NLM

      Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin filtering and disorder-induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 8): 085412-1-085412-6.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.085412

    • Vancouver

      Almeida JM de, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Spin filtering and disorder-induced magnetoresistance in carbon nanotubes: ab initio calculations [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2011 ;84( 8): 085412-1-085412-6.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.085412

  • Trabalho de evento-resumo

    Designing realistic graphene-based spintronics devices (2010)

    Rocha, A R; Martins, T B; Fazzio, A; Silva, A J R da

    Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ROCHA, A R et al. Designing realistic graphene-based spintronics devices. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf. Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Rocha, A. R., Martins, T. B., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2010). Designing realistic graphene-based spintronics devices. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf

    • NLM

      Rocha AR, Martins TB, Fazzio A, Silva AJR da. Designing realistic graphene-based spintronics devices [Internet]. 2010 ;[citado 2025 jun. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf

    • Vancouver

      Rocha AR, Martins TB, Fazzio A, Silva AJR da. Designing realistic graphene-based spintronics devices [Internet]. 2010 ;[citado 2025 jun. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R1178-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom (2001)

    Dalpian, G. M.; Fazzio, A; Silva, Antonio Jose Roque da

    Fonte: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DALPIAN, G. M. e FAZZIO, A e SILVA, Antonio Jose Roque da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, v. 63, n. 20, p. 5303/1-5303/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303. Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, 63( 20), 5303/1-5303/4. doi:10.1103/physrevb.63.205303

    • NLM

      Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303

    • Vancouver

      Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303

  • Trabalho de evento-anais periodico

    Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)

    Janotti, A.; Fazzio, A; Piquini, P; Mota, R.

    Fonte: Brazilian Journal of Physics. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 29 jun. 2025. , 1998

    • APA

      Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.

    • NLM

      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2025 jun. 29 ]

    • Vancouver

      Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2025 jun. 29 ]

  • Artigo de periodico

    Structural properties of amorphous silicon nitride (1998)

    Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A

    Fonte: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, v. 58, n. 3, p. 8323-8328, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323. Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, 58( 3), 8323-8328. doi:10.1103/physrevb.58.8323

    • NLM

      Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323

    • Vancouver

      Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323

  • Trabalho de evento-resumo

    Structural and electronic properties of a-SiN (1998)

    Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A

    Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of a-SiN. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of a-SiN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.

    • NLM

      Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 29 ]

    • Vancouver

      Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 29 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs (1998)

    Janotti, A.; Fazzio, A; Mota, R.; Piquini, P

    Fonte: resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      JANOTTI, A. et al. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Janotti, A., Fazzio, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. In resumos. São Paulo: Sociedade de Brasileira de Física.

    • NLM

      Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 29 ]

    • Vancouver

      Janotti A, Fazzio A, Mota R, Piquini P. Concerted-exchange mechanism for the antistructure-pair defects in GaAs. resumos. 1998 ;[citado 2025 jun. 29 ]

  • Trabalho de evento-anais periodico

    Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs (1998)

    Fazzio, A; Janotti, A.; Mota, R.; Piquini, P

    Fonte: Radiation Effects and Defect in Solids. Nome do evento: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors. Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FAZZIO, A et al. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers. . Acesso em: 29 jun. 2025. , 1998

    • APA

      Fazzio, A., Janotti, A., Mota, R., & Piquini, P. (1998). Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. London: Gordon and Breach Science Publishers.

    • NLM

      Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2025 jun. 29 ]

    • Vancouver

      Fazzio A, Janotti A, Mota R, Piquini P. Theoretical study of defect complexes related with antisities in GaAs. Radiation Effects and Defect in Solids. 1998 ; 146( 1-4): 65-70.[citado 2025 jun. 29 ]

  • Artigo de periodico

    Structural and electronic properties of silicon nitride materials (1998)

    Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A

    Fonte: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF

    Assuntos: QUÍMICA TEÓRICA, FÍSICO-QUÍMICA

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, v. 70, p. 973-980, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j. Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of silicon nitride materials. International Journal of Quantum Chemistry, 70, 973-980. doi:10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j

    • NLM

      Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j

    • Vancouver

      Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of silicon nitride materials [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 1998 ; 70 973-980.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1002/(sici)1097-461x(1998)70:4/5%3C973::aid-qua43%3E3.3.co;2-j

  • Trabalho de evento

    Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan (1996)

    Fazzio, A

    Fonte: Anais. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FAZZIO, A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Fazzio, A. (1996). Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. In Anais. Singapore: World Scientific.

    • NLM

      Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2025 jun. 29 ]

    • Vancouver

      Fazzio A. Theoretical investigation of '3D POT.N' and '4D POT.N' impurities in gan. Anais. 1996 ;[citado 2025 jun. 29 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia! (1996)

    Barbosa, K O; Fazzio, A

    Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BARBOSA, K O e FAZZIO, A. Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Barbosa, K. O., & Fazzio, A. (1996). Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.

    • NLM

      Barbosa KO, Fazzio A. Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. Resumos. 1996 ;[citado 2025 jun. 29 ]

    • Vancouver

      Barbosa KO, Fazzio A. Centro-dx: impureza simples ou complexa? ainda uma controversia!. Resumos. 1996 ;[citado 2025 jun. 29 ]

  • Artigo de periodico

    Ab initio study of n impurity in amorphous germanium (1996)

    Venezuela, P P M; Fazzio, A

    Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      VENEZUELA, P P M e FAZZIO, A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters, v. 77, n. 3 , p. 546-9, 1996Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Venezuela, P. P. M., & Fazzio, A. (1996). Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters, 77( 3 ), 546-9.

    • NLM

      Venezuela PPM, Fazzio A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters. 1996 ;77( 3 ): 546-9.[citado 2025 jun. 29 ]

    • Vancouver

      Venezuela PPM, Fazzio A. Ab initio study of n impurity in amorphous germanium. Physical Review Letters. 1996 ;77( 3 ): 546-9.[citado 2025 jun. 29 ]

  • Artigo de periodico

    Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS' (1996)

    Schmidt, T M; Fazzio, A

    Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics, v. 26, n. 1 , p. 392-4, 1996Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.

    • APA

      Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1996). Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics, 26( 1 ), 392-4.

    • NLM

      Schmidt TM, Fazzio A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 392-4.[citado 2025 jun. 29 ]

    • Vancouver

      Schmidt TM, Fazzio A. Metastability in periodically 'DELTA'-doped 'GA''AS'. Brazilian Journal of Physics. 1996 ;26( 1 ): 392-4.[citado 2025 jun. 29 ]

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