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Artigo de periodico
Magnetic and structural properties of 'FE'-implanted cubic 'GA''N' (2016)
Righetti, Victor Augusto Nieto; Godoy, M. P. F. de; Rodrigues, A. D.; Abramof, E.; Dias, J. F.; Schikora, D.; As, D. J.; Lischka, K.; Gratens, Xavier Pierre Marie; Chitta, Valmir Antonio
Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: SUPERCONDUTIVIDADE, CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
RIGHETTI, Victor Augusto Nieto et al. Magnetic and structural properties of 'FE'-implanted cubic 'GA''N'. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 120, n. 10, p. 103901, 2016Tradução . . Disponível em: http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4962275. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Righetti, V. A. N., Godoy, M. P. F. de, Rodrigues, A. D., Abramof, E., Dias, J. F., Schikora, D., et al. (2016). Magnetic and structural properties of 'FE'-implanted cubic 'GA''N'. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 120( 10), 103901. doi:10.1063/1.4962275
NLM
Righetti VAN, Godoy MPF de, Rodrigues AD, Abramof E, Dias JF, Schikora D, As DJ, Lischka K, Gratens XPM, Chitta VA. Magnetic and structural properties of 'FE'-implanted cubic 'GA''N' [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016 ; 120( 10): 103901.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4962275
Vancouver
Righetti VAN, Godoy MPF de, Rodrigues AD, Abramof E, Dias JF, Schikora D, As DJ, Lischka K, Gratens XPM, Chitta VA. Magnetic and structural properties of 'FE'-implanted cubic 'GA''N' [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2016 ; 120( 10): 103901.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4962275
Artigo de periodico
Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)
Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1
NLM
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Vancouver
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Trabalho de evento-resumo
UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy (2001)
Fernandez, José Rafael León; Silva, M. T. O.; Pusep, Yuri A ; Chitta, Valmir Antonio ; Tabata, A; Noriega, O C; Leite, J. R.; Abramof, E; As, D. J.; Schikora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERNANDEZ, José Rafael León et al. UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Fernandez, J. R. L., Silva, M. T. O., Pusep, Y. A., Chitta, V. A., Tabata, A., Noriega, O. C., et al. (2001). UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. UBIC GaN:Si layers investigated by Raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering (1999)
Silveira, E.; Tabata, A.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SILVEIRA, E. et al. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, v. 75, n. 23, p. 3602-3604, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Silveira, E., Tabata, A., Leite, J. R., Trentin, R., Lemos, V., Frey, T., et al. (1999). Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters, 75( 23), 3602-3604.
NLM
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Silveira E, Tabata A, Leite JR, Trentin R, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Evidence of phase separation in cubic 'In IND.X''Ga IND.1-X' N epitaxial layers by resonant Raman scattering. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 23): 3602-3604.[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schikora, D.; Schottker, B.; Kohler, U.; As, D. J.; Lischka, K.
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA MECÂNICA
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ABNT
TABATA, A. et al. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 14, n. 4, p. 318-322, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005. Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. Semiconductor Science and Technology, 14( 4), 318-322. doi:10.1088/0268-1242/14/4/005
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 1999 ; 14( 4): 318-322.[citado 2025 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/4/005
Trabalho de evento-resumo
Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N (1999)
Lemos, Voila; Silveira, Edilson; Leite, J. R.; Tabata, Americo; Trentin, R.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
LEMOS, Voila et al. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Lemos, V., Silveira, E., Leite, J. R., Tabata, A., Trentin, R., Frey, T., et al. (1999). Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. In Programa e Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Pontos quânticos crescidos expontaneamente em c-'In IND. X''Ga IND. 1-X'N. Programa e Resumos. 1999 ;[citado 2025 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers (1999)
Tabata, A.; Leite, J. R.; Lima, A. P.; Silveira, E.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 75, n. 8, p. 1095-1097, 1999Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2025.
APA
Tabata, A., Leite, J. R., Lima, A. P., Silveira, E., Frey, T., As, D. J., et al. (1999). Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters, 75( 8), 1095-1097.
NLM
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 01 ]
Vancouver
Tabata A, Leite JR, Lima AP, Silveira E, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman phonon modes of zinc blende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloy epitaxial layers. Applied Physics Letters. 1999 ; 75( 8): 1095-1097.[citado 2025 nov. 01 ]

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