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Artigo de periodico-dep/entr
Começa a funcionar a rede subterrânea [Depoimento a Rodolfo Menegel] (1999)
Andrade, Carlos Américo Morato de
Source: Jornal da USP. Unidade: IEE
Assunto: SISTEMAS ELÉTRICOS DE POTÊNCIA
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Começa a funcionar a rede subterrânea [Depoimento a Rodolfo Menegel]. Jornal da USP. São Paulo: Instituto de Energia e Ambiente, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1999
APA
Andrade, C. A. M. de. (1999). Começa a funcionar a rede subterrânea [Depoimento a Rodolfo Menegel]. Jornal da USP. São Paulo: Instituto de Energia e Ambiente, Universidade de São Paulo.
NLM
Andrade CAM de. Começa a funcionar a rede subterrânea [Depoimento a Rodolfo Menegel]. Jornal da USP. 1999 ;14( 489): 3. out. 1999.[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de. Começa a funcionar a rede subterrânea [Depoimento a Rodolfo Menegel]. Jornal da USP. 1999 ;14( 489): 3. out. 1999.[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Perfil energético mundial IV (1999)
Andrade, Carlos Américo Morato de
Unidade: IEE
Assunto: ENERGIA
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Perfil energético mundial IV. . São Paulo: IEE-USP/INFOENER. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1999
APA
Andrade, C. A. M. de. (1999). Perfil energético mundial IV. São Paulo: IEE-USP/INFOENER.
NLM
Andrade CAM de. Perfil energético mundial IV. 1999 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de. Perfil energético mundial IV. 1999 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Artigo de jornal-dep/entr
Tecnologia para redes de energia. [Depoimento a Rodolfo Mengel] (1998)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Lobosco, Orlando Silvio; Burani, Geraldo Francisco
Source: Jornal da USP. Unidades: EP, IEE
Subjects: SISTEMAS ELÉTRICOS DE POTÊNCIA, ENGENHARIA ELÉTRICA (PLANEJAMENTO)
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de e LOBOSCO, Orlando Silvio e BURANI, Geraldo Francisco. Tecnologia para redes de energia. [Depoimento a Rodolfo Mengel]. Jornal da USP. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1998
APA
Andrade, C. A. M. de, Lobosco, O. S., & Burani, G. F. (1998). Tecnologia para redes de energia. [Depoimento a Rodolfo Mengel]. Jornal da USP. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Andrade CAM de, Lobosco OS, Burani GF. Tecnologia para redes de energia. [Depoimento a Rodolfo Mengel]. Jornal da USP. 1998 ; 25 no 1998 3.[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Lobosco OS, Burani GF. Tecnologia para redes de energia. [Depoimento a Rodolfo Mengel]. Jornal da USP. 1998 ; 25 no 1998 3.[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Privatização do setor elétrico (1998)
Andrade, Carlos Américo Morato de
Unidade: IEE
Subjects: ENERGIA ELÉTRICA (ECONOMIA), PRIVATIZAÇÃO, ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Privatização do setor elétrico. . São Paulo: IEE-USP/INFOENER. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1998
APA
Andrade, C. A. M. de. (1998). Privatização do setor elétrico. São Paulo: IEE-USP/INFOENER.
NLM
Andrade CAM de. Privatização do setor elétrico. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de. Privatização do setor elétrico. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Artigo de periodico-dep/entr
Campus terá rede subterrânea. [Entrevista a Rodolfo Mengel] (1998)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Lobosco, Orlando Silvio
Source: Jornal da USP. Unidade: IEE
Assunto: LINHAS SUBTERRÂNEAS DE TRANSMISSÃO DE ENERGIA ELÉTRICA
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de e LOBOSCO, Orlando Silvio. Campus terá rede subterrânea. [Entrevista a Rodolfo Mengel]. Jornal da USP. São Paulo: Instituto de Energia e Ambiente, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1998
APA
Andrade, C. A. M. de, & Lobosco, O. S. (1998). Campus terá rede subterrânea. [Entrevista a Rodolfo Mengel]. Jornal da USP. São Paulo: Instituto de Energia e Ambiente, Universidade de São Paulo.
NLM
Andrade CAM de, Lobosco OS. Campus terá rede subterrânea. [Entrevista a Rodolfo Mengel]. Jornal da USP. 1998 ; 13. n. 428. p. 3. abr/maio 1998[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Lobosco OS. Campus terá rede subterrânea. [Entrevista a Rodolfo Mengel]. Jornal da USP. 1998 ; 13. n. 428. p. 3. abr/maio 1998[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Fonseca, Fernando Josepetti ; Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Andrade, C. A. M. de, Fonseca, F. J., Pereyra, I., & Sanematsu, M. S. (1989). Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento
Amorphous silicon thin film field effect transistors (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Pereyra, Inés ; Martins, R F P; Fortunato, E
Source: Thin Films and Small Particles: Proceedings. Conference titles: Latin-American Symposium on Surface Physics. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Amorphous silicon thin film field effect transistors. 1989, Anais.. Singapore: World Scientific, 1989. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Pereyra, I., Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1989). Amorphous silicon thin film field effect transistors. In Thin Films and Small Particles: Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Artigo de periodico
Pos-graduacao e pesquisa em engenharia (1988)
Andrade, Carlos Américo Morato de
Source: Revista Politecnica. Unidade: IEE
Assunto: ENSINO E APRENDIZAGEM
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Pos-graduacao e pesquisa em engenharia. Revista Politecnica, v. 83, n. 201, p. 12, 1988Tradução . . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de. (1988). Pos-graduacao e pesquisa em engenharia. Revista Politecnica, 83( 201), 12.
NLM
Andrade CAM de. Pos-graduacao e pesquisa em engenharia. Revista Politecnica. 1988 ;83( 201): 12.[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de. Pos-graduacao e pesquisa em engenharia. Revista Politecnica. 1988 ;83( 201): 12.[citado 2024 nov. 19 ]
Artigo de periodico
Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada (1988)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Molina Torres, L C
Source: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. Unidades: IEE, EP
Assunto: FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 141-62, 1988Tradução . . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de, & Molina Torres, L. C. (1988). Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 141-62.
NLM
Andrade CAM de, Molina Torres LC. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 141-62.[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Molina Torres LC. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 141-62.[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento
Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo (1988)
Zasnicoff, Luiz Sergio; Andrade, Carlos Américo Morato de
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ZASNICOFF, Luiz Sergio e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Zasnicoff, L. S., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Zasnicoff LS, Andrade CAM de. Dependencia da tensao de limiar de transistores tipo deplecao com canal n implantado, na reducao da geometria do dispositivo. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo (1988)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Martins, R F P; Fortunato, E
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1988). Transistores de filmes finos de silicio amorfo. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Martins RFP, Fortunato E. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Martins RFP, Fortunato E. Transistores de filmes finos de silicio amorfo. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento
Energia fotovoltaica (1988)
Andrade, Carlos Américo Morato de
Source: Anais. Conference titles: Seminario Nacional de Historia e Energia. Unidade: IEE
Subjects: ENERGIA SOLAR, FONTES ALTERNATIVAS DE ENERGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Energia fotovoltaica. 1988, Anais.. São Paulo: Eletropaulo, 1988. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de. (1988). Energia fotovoltaica. In Anais. São Paulo: Eletropaulo.
NLM
Andrade CAM de. Energia fotovoltaica. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de. Energia fotovoltaica. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento
Attitude solar sensors for the brazilian satellites (1988)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Andrade, Adnei Melges de ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Sanematsu, Mário Sabro; Selingardi, M L; Bertolino, M A; Matos, J D
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on Electrical Drives. Unidades: IEE, EP
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de et al. Attitude solar sensors for the brazilian satellites. 1988, Anais.. Poiana Brasov: Acad Soc Rep Romania/Min Electrotechnical Industry, 1988. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de, Andrade, A. M. de, Fonseca, F. J., Sanematsu, M. S., Selingardi, M. L., Bertolino, M. A., & Matos, J. D. (1988). Attitude solar sensors for the brazilian satellites. In Proceedings. Poiana Brasov: Acad Soc Rep Romania/Min Electrotechnical Industry.
NLM
Andrade CAM de, Andrade AM de, Fonseca FJ, Sanematsu MS, Selingardi ML, Bertolino MA, Matos JD. Attitude solar sensors for the brazilian satellites. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Andrade AM de, Fonseca FJ, Sanematsu MS, Selingardi ML, Bertolino MA, Matos JD. Attitude solar sensors for the brazilian satellites. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Artigo de periodico
Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb (1988)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Selingardi, M L; Andrade, Adnei Melges de ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Bertolino, M A; Matos, J D; Sanematsu, Mário Sabro
Source: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. Unidades: IEE, EP
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de et al. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 417-40, 1988Tradução . . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de, Selingardi, M. L., Andrade, A. M. de, Fonseca, F. J., Bertolino, M. A., Matos, J. D., & Sanematsu, M. S. (1988). Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 417-40.
NLM
Andrade CAM de, Selingardi ML, Andrade AM de, Fonseca FJ, Bertolino MA, Matos JD, Sanematsu MS. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 417-40.[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Selingardi ML, Andrade AM de, Fonseca FJ, Bertolino MA, Matos JD, Sanematsu MS. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 417-40.[citado 2024 nov. 19 ]
Artigo de periodico
Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros (1988)
Andrade, Carlos Américo Morato de; Zasnicoff, Luiz Sergio
Source: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 237-51, 1988Tradução . . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Andrade, C. A. M. de, & Zasnicoff, L. S. (1988). Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 237-51.
NLM
Andrade CAM de, Zasnicoff LS. Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 237-51.[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Andrade CAM de, Zasnicoff LS. Processo nmos de alto desempenho eletrico: caracterizacao dos principais parametros. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 237-51.[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento
Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal (1988)
Molina Torres, L C; Andrade, Carlos Américo Morato de
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOLINA TORRES, L C e ANDRADE, Carlos Américo Morato de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Molina Torres, L. C., & Andrade, C. A. M. de. (1988). Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Molina Torres LC, Andrade CAM de. Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro (1987)
Galup Montoro, C; Andrade, Carlos Américo Morato de; Bodinaud, Jean Albert; Vale Neto, José Vieira do
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: EP, IEE
Assunto: COMPUTAÇÃO GRÁFICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALUP MONTORO, C et al. Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Galup Montoro, C., Andrade, C. A. M. de, Bodinaud, J. A., & Vale Neto, J. V. do. (1987). Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Galup Montoro C, Andrade CAM de, Bodinaud JA, Vale Neto JV do. Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. Anais. 1987 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Galup Montoro C, Andrade CAM de, Bodinaud JA, Vale Neto JV do. Participação do IME-IEE/USP no projeto multiusuário brasileiro. Anais. 1987 ;[citado 2024 nov. 19 ]

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