Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada (1988)
- Authors:
- USP affiliated authors: ANDRADE, CARLOS AMERICO MORATO DE - IEE ; TORRES, LUIZ CARLOS MOLINA - EP
- Unidades: IEE; EP
- Assunto: FÍSICO-QUÍMICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.1 , p.141-62, 1988
-
ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de e MOLINA TORRES, L C. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 141-62, 1988Tradução . . Acesso em: 12 fev. 2026. -
APA
Andrade, C. A. M. de, & Molina Torres, L. C. (1988). Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 141-62. -
NLM
Andrade CAM de, Molina Torres LC. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 141-62.[citado 2026 fev. 12 ] -
Vancouver
Andrade CAM de, Molina Torres LC. Tecnologia cmos com porta de silicio policristalino e geometria fechada. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 141-62.[citado 2026 fev. 12 ] - Transistores mos com geometria fechada ; influencia dos cantos da geometria na largura efetiva do canal
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