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Relatorio tecnico
Inferential implications of over-parametrization: a case dtudy in incomplete categorical data (2010)
Poleto, Frederico Zanqueta; Paulino, Carlos Daniel ; Molenberghs, Geert; Singer, Júlio da Motta
Unidade: IME
Assunto: TABELAS DE CONTINGÊNCIA
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ABNT
POLETO, Frederico Zanqueta et al. Inferential implications of over-parametrization: a case dtudy in incomplete categorical data. . São Paulo: IME-USP. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f73eae3-df84-4eac-ae6a-1223e6c88652/2145710.pdf. Acesso em: 18 ago. 2024. , 2010
APA
Poleto, F. Z., Paulino, C. D., Molenberghs, G., & Singer, J. da M. (2010). Inferential implications of over-parametrization: a case dtudy in incomplete categorical data. São Paulo: IME-USP. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f73eae3-df84-4eac-ae6a-1223e6c88652/2145710.pdf
NLM
Poleto FZ, Paulino CD, Molenberghs G, Singer J da M. Inferential implications of over-parametrization: a case dtudy in incomplete categorical data [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f73eae3-df84-4eac-ae6a-1223e6c88652/2145710.pdf
Vancouver
Poleto FZ, Paulino CD, Molenberghs G, Singer J da M. Inferential implications of over-parametrization: a case dtudy in incomplete categorical data [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 18 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f73eae3-df84-4eac-ae6a-1223e6c88652/2145710.pdf
Trabalho de evento-resumo
R05 - Característica mineralógicas do diamante da região de Tibagi, Paraná (2010)
Liccardo, Antonio; Svisero, Darcy P.; Dereppe, Jean-Marie
Fonte: Resumos e roteiro de excursão. Nome do evento: Simpósio Brasileiro de Geologia do Diamante. Unidade: IGC
Assuntos: GEOLOGIA, DIAMANTE
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ABNT
LICCARDO, Antonio e SVISERO, Darcy P. e DEREPPE, Jean-Marie. R05 - Característica mineralógicas do diamante da região de Tibagi, Paraná. 2010, Anais.. Paraná: Instituto de Geociências, Universidade de São Paulo, 2010. p. 32-33. Disponível em: http://www.geoturismobrasil.com/Material%didatico/boletim%5SBDG.pdf. Acesso em: 18 ago. 2024.
APA
Liccardo, A., Svisero, D. P., & Dereppe, J. -M. (2010). R05 - Característica mineralógicas do diamante da região de Tibagi, Paraná. In Resumos e roteiro de excursão (p. 32-33). Paraná: Instituto de Geociências, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.geoturismobrasil.com/Material%didatico/boletim%5SBDG.pdf
NLM
Liccardo A, Svisero DP, Dereppe J-M. R05 - Característica mineralógicas do diamante da região de Tibagi, Paraná [Internet]. Resumos e roteiro de excursão. 2010 ; 32-33.[citado 2024 ago. 18 ] Available from: http://www.geoturismobrasil.com/Material%didatico/boletim%5SBDG.pdf
Vancouver
Liccardo A, Svisero DP, Dereppe J-M. R05 - Característica mineralógicas do diamante da região de Tibagi, Paraná [Internet]. Resumos e roteiro de excursão. 2010 ; 32-33.[citado 2024 ago. 18 ] Available from: http://www.geoturismobrasil.com/Material%didatico/boletim%5SBDG.pdf
Artigo de periodico
DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices (2010)
Santos, Sara Dereste dos ; Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 51-58, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474141. Acesso em: 18 ago. 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 51-58. doi:10.1149/1.3474141
NLM
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Simoen E, Claeys C. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 51-58.[citado 2024 ago. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474141
Vancouver
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Simoen E, Claeys C. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 51-58.[citado 2024 ago. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474141
Artigo de periodico
Hyperbolicity of semigroup algebras II (2010)
Iwaki, Edson Ryoji Okamoto; Jespers, E; Juriaans, Orlando Stanley ; Souza Filho, Antônio Calixto de
Fonte: Journal of Algebra and Its Applications. Unidades: IME, EACH
Assuntos: GRUPOS HIPERBÓLICOS, ANÉIS DE GRUPOS
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ABNT
IWAKI, Edson Ryoji Okamoto et al. Hyperbolicity of semigroup algebras II. Journal of Algebra and Its Applications, v. 9, n. 6, p. 871-876, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1142/S0219498810004270. Acesso em: 18 ago. 2024.
APA
Iwaki, E. R. O., Jespers, E., Juriaans, O. S., & Souza Filho, A. C. de. (2010). Hyperbolicity of semigroup algebras II. Journal of Algebra and Its Applications, 9( 6), 871-876. doi:10.1142/S0219498810004270
NLM
Iwaki ERO, Jespers E, Juriaans OS, Souza Filho AC de. Hyperbolicity of semigroup algebras II [Internet]. Journal of Algebra and Its Applications. 2010 ; 9( 6): 871-876.[citado 2024 ago. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1142/S0219498810004270
Vancouver
Iwaki ERO, Jespers E, Juriaans OS, Souza Filho AC de. Hyperbolicity of semigroup algebras II [Internet]. Journal of Algebra and Its Applications. 2010 ; 9( 6): 871-876.[citado 2024 ago. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1142/S0219498810004270
Artigo de periodico
Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs (2010)
Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Fonte: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: ELETROQUÍMICA
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ABNT
ALMEIDA, Luciano Mendes et al. Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 385-392, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474183. Acesso em: 18 ago. 2024.
APA
Almeida, L. M., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 385-392. doi:10.1149/1.3474183
NLM
Almeida LM, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 385-392.[citado 2024 ago. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474183
Vancouver
Almeida LM, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 385-392.[citado 2024 ago. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474183
Artigo de periodico
Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness (2010)
Galeti, Milene; Rodrigues, Michele; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Fonte: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
GALETI, Milene et al. Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 59-65, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474142. Acesso em: 18 ago. 2024.
APA
Galeti, M., Rodrigues, M., Collaert, N., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2010). Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 59-65. doi:10.1149/1.3474142
NLM
Galeti M, Rodrigues M, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 59-65.[citado 2024 ago. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474142
Vancouver
Galeti M, Rodrigues M, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analog performance of SOI nFinFETs with different TiN gate electrode thickness [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 59-65.[citado 2024 ago. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474142

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