Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors (2023)
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro. Unidade: EESC
Assuntos: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, ENGENHARIA MECÂNICA
ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de e CELINO, Daniel Ricardo e ROMERO, Murilo Araujo. Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors. 2023, Anais.. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2023. Disponível em: https://dx.doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302479. Acesso em: 02 nov. 2024.APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., & Romero, M. A. (2023). Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors. In Proceedings. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302479NLM
Souza AM de, Celino DR, Romero MA. Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors [Internet]. Proceedings. 2023 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302479Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Romero MA. Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors [Internet]. Proceedings. 2023 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302479