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  • Tese (Doutorado)

    Produção e caracterização de grafeno por escrita direta a laser e APCVD para aplicações em ortopedia e sensores (2024)

    Feria Garnica, Deissy Johanna; Pereyra, Inés (Orientador) ; Páez Carreño, Marcelo Nelson (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: SENSOR, MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      FERIA GARNICA, Deissy Johanna. Produção e caracterização de grafeno por escrita direta a laser e APCVD para aplicações em ortopedia e sensores. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18092024-072537/pt-br.php. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Feria Garnica, D. J. (2024). Produção e caracterização de grafeno por escrita direta a laser e APCVD para aplicações em ortopedia e sensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18092024-072537/pt-br.php

    • NLM

      Feria Garnica DJ. Produção e caracterização de grafeno por escrita direta a laser e APCVD para aplicações em ortopedia e sensores [Internet]. 2024 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18092024-072537/pt-br.php

    • Vancouver

      Feria Garnica DJ. Produção e caracterização de grafeno por escrita direta a laser e APCVD para aplicações em ortopedia e sensores [Internet]. 2024 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18092024-072537/pt-br.php

  • Artigo de periodico

    Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform (2024)

    Verona, Bruno Marinaro; Simionato, Eligia; Palomino, Gustavo; Aldaya, Ivan; Penchel, Rafael Abrantes; Serrano, Ariana Maria da Conceição Lacorte Caniato ; Rehder, Gustavo Pamplona

    Source: IEEE Access. Unidade: EP

    Subjects: WIRELESS, MICROELETRÔNICA, TELECOMUNICAÇÕES, MATRIZES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      VERONA, Bruno Marinaro et al. Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform. IEEE Access, v. 12, n. Ja 2024, p. 22132-22143, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2024.3357078. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Verona, B. M., Simionato, E., Palomino, G., Aldaya, I., Penchel, R. A., Serrano, A. M. da C. L. C., & Rehder, G. P. (2024). Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform. IEEE Access, 12( Ja 2024), 22132-22143. doi:10.1109/ACCESS.2024.3357078

    • NLM

      Verona BM, Simionato E, Palomino G, Aldaya I, Penchel RA, Serrano AM da CLC, Rehder GP. Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform [Internet]. IEEE Access. 2024 ; 12( Ja 2024): 22132-22143.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2024.3357078

    • Vancouver

      Verona BM, Simionato E, Palomino G, Aldaya I, Penchel RA, Serrano AM da CLC, Rehder GP. Implementation of a millimeter-wave butler matrix on metallic nanowires-filled membrane platform [Internet]. IEEE Access. 2024 ; 12( Ja 2024): 22132-22143.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ACCESS.2024.3357078

  • Dissertação (Mestrado)

    Produção de guias de onda passivos por meio da irradiação com laser de fs em compósitos baseados em vidros GeO2 PbO para aplicações em fotônica (2024)

    Fernandes, Thiago Vecchi; Kassab, Luciana Reyes Pires (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, LASER, VIDRO

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    • ABNT

      FERNANDES, Thiago Vecchi. Produção de guias de onda passivos por meio da irradiação com laser de fs em compósitos baseados em vidros GeO2 PbO para aplicações em fotônica. 2024. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082024-132532/pt-br.php. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Fernandes, T. V. (2024). Produção de guias de onda passivos por meio da irradiação com laser de fs em compósitos baseados em vidros GeO2 PbO para aplicações em fotônica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082024-132532/pt-br.php

    • NLM

      Fernandes TV. Produção de guias de onda passivos por meio da irradiação com laser de fs em compósitos baseados em vidros GeO2 PbO para aplicações em fotônica [Internet]. 2024 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082024-132532/pt-br.php

    • Vancouver

      Fernandes TV. Produção de guias de onda passivos por meio da irradiação com laser de fs em compósitos baseados em vidros GeO2 PbO para aplicações em fotônica [Internet]. 2024 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082024-132532/pt-br.php

  • Trabalho de evento

    Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs (2023)

    Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      ARAÚJO, Gustavo Vinicius de e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

    • NLM

      Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

    • Vancouver

      Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of the trade-off between voltage gain and frequency response of OTA designed using experimental data of omega-gate nanowire SOI MOSFETs [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302603

  • Trabalho de evento

    Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)

    Ribeiro, Arllen D.R; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

    • NLM

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

    • Vancouver

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

  • Trabalho de evento

    Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)

    Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • NLM

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • Vancouver

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

  • Trabalho de evento

    Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors (2023)

    Souto, Rayana Carvalho de Barros; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SOUTO, Rayana Carvalho de Barros e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Souto, R. C. de B., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302596

    • NLM

      Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596

    • Vancouver

      Souto RC de B, Martino JA, Agopian PGD. Analysis of low-dropout voltage regulator designed with gate-all-around nanosheet transistors [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302596

  • Artigo de periodico

    Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications (2022)

    Frutuoso, Tadeu M; Lé, João Eduardo Gentil; Berthoud, Yoann; Pinheiro, Julio M; Margalef-Rovira, Marc; Ferrari, Philippe; Rehder, Gustavo Pamplona ; Serrano, Ariana Maria da Conceição Lacorte Caniato

    Source: IEEE Microwave and Wireless Components Letters. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, ONDAS ELETROMAGNÉTICAS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, TRANSFORMADORES E REATORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FRUTUOSO, Tadeu M et al. Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, v. 32, n. 10, p. 1171-1174, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/LMWC.2022.3159096. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Frutuoso, T. M., Lé, J. E. G., Berthoud, Y., Pinheiro, J. M., Margalef-Rovira, M., Ferrari, P., et al. (2022). Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 32( 10), 1171-1174. doi:10.1109/LMWC.2022.3159096

    • NLM

      Frutuoso TM, Lé JEG, Berthoud Y, Pinheiro JM, Margalef-Rovira M, Ferrari P, Rehder GP, Serrano AM da CLC. Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications [Internet]. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2022 ; 32( 10): 1171-1174.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/LMWC.2022.3159096

    • Vancouver

      Frutuoso TM, Lé JEG, Berthoud Y, Pinheiro JM, Margalef-Rovira M, Ferrari P, Rehder GP, Serrano AM da CLC. Nanowire-based 3-D transmission-line transformer for millimeter-wave applications [Internet]. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2022 ; 32( 10): 1171-1174.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/LMWC.2022.3159096

  • Tese (Doutorado)

    Design of phase shifters in nanowire membrane technology and VCOs in CMOS technology at millimeter-waves for future full frontend integration (2022)

    Gomes, Leonardo Amorese Gallo; Serrano, Ariana Maria da Conceição Lacorte Caniato (Orientador); Ferrari, Philippe (coorient); Rehder, Gustavo Pamplona (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, OSCILADORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, TELECOMUNICAÇÕES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GOMES, Leonardo Amorese Gallo. Design of phase shifters in nanowire membrane technology and VCOs in CMOS technology at millimeter-waves for future full frontend integration. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052023-112905/. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Gomes, L. A. G. (2022). Design of phase shifters in nanowire membrane technology and VCOs in CMOS technology at millimeter-waves for future full frontend integration (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052023-112905/

    • NLM

      Gomes LAG. Design of phase shifters in nanowire membrane technology and VCOs in CMOS technology at millimeter-waves for future full frontend integration [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052023-112905/

    • Vancouver

      Gomes LAG. Design of phase shifters in nanowire membrane technology and VCOs in CMOS technology at millimeter-waves for future full frontend integration [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24052023-112905/

  • Trabalho de evento

    Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's (2022)

    Ribeiro, Arllen D.R.; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO, INOVAÇÕES TECNOLÓGICAS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RIBEIRO, Arllen D.R. et al. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's. In SBMICRO. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005

    • NLM

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005

    • Vancouver

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)

    Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

    • NLM

      Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

    • Vancouver

      Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS (2022)

    Amaral, Thiago Alves Mendes do; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador) ; Hernández Herrera, Hugo Daniel (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      AMARAL, Thiago Alves Mendes do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Amaral, T. A. M. do. (2022). Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/

    • NLM

      Amaral TAM do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/

    • Vancouver

      Amaral TAM do. Projeto de um LDO digital para aplicações de baixa tensão em tecnologia CMOS [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082022-081815/

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)

    Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • NLM

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

    • Vancouver

      Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)

    Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

    • NLM

      Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

    • Vancouver

      Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/

  • Artigo de periodico

    Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados (2022)

    Mennucci, Marina Martins ; Machado, Tatiana Mallet ; Vivier, Vincent ; Melo, Hercílio Gomes de ; Ferrari, Jean Vicente

    Source: Revista Matéria. Unidade: EP

    Subjects: FLOTAÇÃO, MINERAIS, ELETROQUÍMICA, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      MENNUCCI, Marina Martins et al. Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados. Revista Matéria, v. 27, n. artigo e13151, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1517-707620220001.1351. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Mennucci, M. M., Machado, T. M., Vivier, V., Melo, H. G. de, & Ferrari, J. V. (2022). Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados. Revista Matéria, 27( artigo e13151). doi:10.1590/S1517-707620220001.1351

    • NLM

      Mennucci MM, Machado TM, Vivier V, Melo HG de, Ferrari JV. Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados [Internet]. Revista Matéria. 2022 ; 27( artigo e13151):[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1517-707620220001.1351

    • Vancouver

      Mennucci MM, Machado TM, Vivier V, Melo HG de, Ferrari JV. Potencialidade das técnicas eletroquímicas (macro e microeletrodos) na concentração por flotação de minerais sulfetados [Internet]. Revista Matéria. 2022 ; 27( artigo e13151):[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1517-707620220001.1351

  • Dissertação (Mestrado)

    Projeto de um conversor analógico-digital para um receptor UWB aplicado na detecção de câncer de mama em tecnologia CMOS (2021)

    Reyes Gonzalez, David Alejandro; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: CONVERSORES ELÉTRICOS, CIRCUITOS INTEGRADOS, NEOPLASIAS, MAMA, MICROELETRÔNICA

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    • ABNT

      REYES GONZALEZ, David Alejandro. Projeto de um conversor analógico-digital para um receptor UWB aplicado na detecção de câncer de mama em tecnologia CMOS. 2021. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032023-082709/. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Reyes Gonzalez, D. A. (2021). Projeto de um conversor analógico-digital para um receptor UWB aplicado na detecção de câncer de mama em tecnologia CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032023-082709/

    • NLM

      Reyes Gonzalez DA. Projeto de um conversor analógico-digital para um receptor UWB aplicado na detecção de câncer de mama em tecnologia CMOS [Internet]. 2021 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032023-082709/

    • Vancouver

      Reyes Gonzalez DA. Projeto de um conversor analógico-digital para um receptor UWB aplicado na detecção de câncer de mama em tecnologia CMOS [Internet]. 2021 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032023-082709/

  • Tese (Doutorado)

    Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)

    Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

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    • ABNT

      MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/

    • NLM

      Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/

    • Vancouver

      Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/

  • Tese (Doutorado)

    An application specific signal processor for gaseous detector systems in high energy physics experiment. (2021)

    Sanches, Bruno Cavalcante de Souza ; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, PROCESSAMENTO DIGITAL DE SINAIS, ALGORITMOS GENÉTICOS, DETECÇÃO DE PARTÍCULAS

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    • ABNT

      SANCHES, Bruno Cavalcante de Souza. An application specific signal processor for gaseous detector systems in high energy physics experiment. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27012022-155540/. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Sanches, B. C. de S. (2021). An application specific signal processor for gaseous detector systems in high energy physics experiment. (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27012022-155540/

    • NLM

      Sanches BC de S. An application specific signal processor for gaseous detector systems in high energy physics experiment. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27012022-155540/

    • Vancouver

      Sanches BC de S. An application specific signal processor for gaseous detector systems in high energy physics experiment. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27012022-155540/

  • Tese (Doutorado)

    Pinças nano-ópticas e síntese enantiosseletiva com meta-estruturas (2021)

    Arredondo Champi, Hipólito Alan; Salcedo, Walter Jaimes (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: FOTÔNICA, ÓPTICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ARREDONDO CHAMPI, Hipólito Alan. Pinças nano-ópticas e síntese enantiosseletiva com meta-estruturas. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17012022-154743/. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Arredondo Champi, H. A. (2021). Pinças nano-ópticas e síntese enantiosseletiva com meta-estruturas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17012022-154743/

    • NLM

      Arredondo Champi HA. Pinças nano-ópticas e síntese enantiosseletiva com meta-estruturas [Internet]. 2021 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17012022-154743/

    • Vancouver

      Arredondo Champi HA. Pinças nano-ópticas e síntese enantiosseletiva com meta-estruturas [Internet]. 2021 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17012022-154743/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (2020)

    Gonçalves, Guilherme Vieira; Martino, João Antonio (Orientador) ; Oliveira, Alberto Vinicius de (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GONÇALVES, Guilherme Vieira. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/. Acesso em: 08 nov. 2024.

    • APA

      Gonçalves, G. V. (2020). Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • NLM

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

    • Vancouver

      Gonçalves GV. Estudo de transistores FinFET de germânio com canal não tensionado. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12042021-154721/

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