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Trabalho de evento
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom) (1997)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom) (1997)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1997). A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Pavanello MA, Martino JA. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento
Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model (1996)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, Denis. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Bellodi, M., Martino, J. A., & Flandre, D. (1996). Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA, Flandre D. Introduction to the soi mosfet dimensions in the high-temperature leakage drain current model. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Trabalho de evento
New leakage drain current model for high temperature soi mesfet (1995)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio ; Flandre, M
Source: Proceedings. Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio e FLANDRE, M. New leakage drain current model for high temperature soi mesfet. 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 03 nov. 2024.
APA
Bellodi, M., Martino, J. A., & Flandre, M. (1995). New leakage drain current model for high temperature soi mesfet. In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Bellodi M, Martino JA, Flandre M. New leakage drain current model for high temperature soi mesfet. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 nov. 03 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA, Flandre M. New leakage drain current model for high temperature soi mesfet. Proceedings. 1995 ;[citado 2024 nov. 03 ]

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