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Artigo de periodico
Study of TiOxNy MOS capacitors (2010)
Albertin, Katia Franklin ; Souza, Denise Criado Pereira de ; Zuñiga Paez, Alejandro A.; Pereyra, Inés
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, MICROSCOPIA ELETRÔNICA
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin et al. Study of TiOxNy MOS capacitors. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 349-358, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3183707. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Albertin, K. F., Souza, D. C. P. de, Zuñiga Paez, A. A., & Pereyra, I. (2010). Study of TiOxNy MOS capacitors. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 349-358. doi:10.1149/1.3183707
NLM
Albertin KF, Souza DCP de, Zuñiga Paez AA, Pereyra I. Study of TiOxNy MOS capacitors [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ; 31( 1): 349-358.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3183707
Vancouver
Albertin KF, Souza DCP de, Zuñiga Paez AA, Pereyra I. Study of TiOxNy MOS capacitors [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ; 31( 1): 349-358.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3183707
Trabalho de evento
One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor (2004)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CAPACITORES, FILMES FINOS
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2004). One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. In Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Albertin KF, Pereyra I. One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor. Microelectronics technology and devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (2003)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, SILÍCIO, DIELÉTRICOS
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Albertin, K. F. (2003). Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
NLM
Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
Vancouver
Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030

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