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Dissertação (Mestrado)
Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs (2024)
Silva, Wenita de Lima; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
SILVA, Wenita de Lima. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs. 2024. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Silva, W. de L. (2024). Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php
NLM
Silva W de L. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php
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Silva W de L. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php
Dissertação (Mestrado)
Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas (2023)
Camargo, Raphael Gil; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: AMPLIFICADORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
CAMARGO, Raphael Gil. Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-084843/. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Camargo, R. G. (2023). Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-084843/
NLM
Camargo RG. Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-084843/
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Camargo RG. Amplificador operacional de transcondutância projetado com TFET de porta tripla operando em diferentes temperaturas [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-084843/
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. (2021)
Sousa, Bruna Ramos de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
SOUSA, Bruna Ramos de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. 2021. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Sousa, B. R. de. (2021). Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
NLM
Sousa BR de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
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Sousa BR de. Estudo do efeito da radiação em um amplificador operacional de transcondutância implementado com SOI FinFETs. [Internet]. 2021 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25102021-155926/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. (2020)
Nogueira, Alexandro de Moraes; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, AMPLIFICADORES
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ABNT
NOGUEIRA, Alexandro de Moraes. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Nogueira, A. de M. (2020). Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
NLM
Nogueira A de M. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
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Nogueira A de M. Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios. [Internet]. 2020 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16032021-105015/
Tese (Doutorado)
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Martino, M. D. V. (2017). Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
NLM
Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
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Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/
Dissertação (Mestrado)
Interface de controle e monitoramento para circuitos alimentados em alta tensão variável (2017)
Osinaga Berois, Javier Andres; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ALTA TENSÃO, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS INTEGRADOS VLSI
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ABNT
OSINAGA BEROIS, Javier Andres. Interface de controle e monitoramento para circuitos alimentados em alta tensão variável. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05092017-090653/. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Osinaga Berois, J. A. (2017). Interface de controle e monitoramento para circuitos alimentados em alta tensão variável (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05092017-090653/
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Osinaga Berois JA. Interface de controle e monitoramento para circuitos alimentados em alta tensão variável [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05092017-090653/
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Osinaga Berois JA. Interface de controle e monitoramento para circuitos alimentados em alta tensão variável [Internet]. 2017 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05092017-090653/
Dissertação (Mestrado)
Metodologia para a otimização do rendimento e desempenho dos circuitos analógicos usando programação geométrica (2012)
Sáenz Noval, Jorge Johanny; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DFM, OTIMIZAÇÃO RESTRITA (RENDIMENTO;DESEMPENHO), CIRCUITOS ANALÓGICOS, PROCESSOS ALEATÓRIOS
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ABNT
SÁENZ NOVAL, Jorge Johanny. Metodologia para a otimização do rendimento e desempenho dos circuitos analógicos usando programação geométrica. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13062013-114633/. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Sáenz Noval, J. J. (2012). Metodologia para a otimização do rendimento e desempenho dos circuitos analógicos usando programação geométrica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13062013-114633/
NLM
Sáenz Noval JJ. Metodologia para a otimização do rendimento e desempenho dos circuitos analógicos usando programação geométrica [Internet]. 2012 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13062013-114633/
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Sáenz Noval JJ. Metodologia para a otimização do rendimento e desempenho dos circuitos analógicos usando programação geométrica [Internet]. 2012 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13062013-114633/
Tese (Doutorado)
Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (2010)
Doria, Rodrigo Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DORIA, Rodrigo Trevisoli. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Doria, R. T. (2010). Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
NLM
Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
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Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
Dissertação (Mestrado)
Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (2009)
Amaro, Jefferson Oliveira; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, TRANSISTORES (MODELAGEM), CIRCUITOS ANALÓGICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMARO, Jefferson Oliveira. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Amaro, J. O. (2009). Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
NLM
Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
Vancouver
Amaro JO. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS [Internet]. 2009 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/
Tese (Doutorado)
Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas (2008)
Souza, Michelly de; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES (MODELAGEM), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Michelly de. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Souza, M. de. (2008). Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
NLM
Souza M de. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas [Internet]. 2008 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
Vancouver
Souza M de. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas [Internet]. 2008 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF (2007)
Hamanaka, Cristian Otsuka; Soares Junior, João Navarro (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HAMANAKA, Cristian Otsuka. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Hamanaka, C. O. (2007). Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
NLM
Hamanaka CO. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF [Internet]. 2007 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
Vancouver
Hamanaka CO. Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF [Internet]. 2007 ;[citado 2024 set. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-164614/
Dissertação (Mestrado)
Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs (2005)
Souza, Michelly de; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES (MODELAGEM), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Michelly de. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Souza, M. de. (2005). Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Souza M de. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005 ;[citado 2024 set. 16 ]
Vancouver
Souza M de. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005 ;[citado 2024 set. 16 ]
Dissertação (Mestrado)
Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício ()
Tolêdo, Rodrigo do Nascimento; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOLÊDO, Rodrigo do Nascimento. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício. [S.d.]. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, [S.d.]. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php. Acesso em: 16 set. 2024.
APA
Tolêdo, R. do N. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php
NLM
Tolêdo R do N. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício [Internet]. [citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php
Vancouver
Tolêdo R do N. Regulador linear de baixa queda de tensão projetado com TFETs fabricados em nanofios de silício [Internet]. [citado 2024 set. 16 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26032024-114126/pt-br.php

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