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Tese (Doutorado)
Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (2013)
Doria, Renan Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
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ABNT
DORIA, Renan Trevisoli. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/. Acesso em: 29 jun. 2024.
APA
Doria, R. T. (2013). Operação e modelagem de transistores MOS sem junções (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
NLM
Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
Vancouver
Doria RT. Operação e modelagem de transistores MOS sem junções [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01082013-162413/
Tese (Doutorado)
Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (2010)
Doria, Rodrigo Trevisoli ; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
DORIA, Rodrigo Trevisoli. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/. Acesso em: 29 jun. 2024.
APA
Doria, R. T. (2010). Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
NLM
Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
Vancouver
Doria RT. Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jun. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-135500/
Tese (Doutorado)
Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas (2008)
Souza, Michelly de; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES (MODELAGEM), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
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ABNT
SOUZA, Michelly de. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/. Acesso em: 29 jun. 2024.
APA
Souza, M. de. (2008). Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
NLM
Souza M de. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
Vancouver
Souza M de. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 29 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29012009-161414/
Dissertação (Mestrado)
Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs (2005)
Souza, Michelly de; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES (MODELAGEM), DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, CIRCUITOS ANALÓGICOS, MEDIDAS ELÉTRICAS
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ABNT
SOUZA, Michelly de. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 29 jun. 2024.
APA
Souza, M. de. (2005). Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Souza M de. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005 ;[citado 2024 jun. 29 ]
Vancouver
Souza M de. Desenvolvimento de um modelo analítico contínuo para transistores GC SOI nMOSFETs. 2005 ;[citado 2024 jun. 29 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de espelhos de corrente baseados em transistores GC SOI MOSFET em função da temperatura (2004)
Ferreira, Renato Silva; Pavanello, Marcelo Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES (CARACTERÍSTICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERREIRA, Renato Silva. Caracterização elétrica de espelhos de corrente baseados em transistores GC SOI MOSFET em função da temperatura. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. . Acesso em: 29 jun. 2024.
APA
Ferreira, R. S. (2004). Caracterização elétrica de espelhos de corrente baseados em transistores GC SOI MOSFET em função da temperatura (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Ferreira RS. Caracterização elétrica de espelhos de corrente baseados em transistores GC SOI MOSFET em função da temperatura. 2004 ;[citado 2024 jun. 29 ]
Vancouver
Ferreira RS. Caracterização elétrica de espelhos de corrente baseados em transistores GC SOI MOSFET em função da temperatura. 2004 ;[citado 2024 jun. 29 ]
Tese (Doutorado)
Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET (2000)
Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio. Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET. 2000. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. . Acesso em: 29 jun. 2024.
APA
Pavanello, M. A. (2000). Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Pavanello MA. Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET. 2000 ;[citado 2024 jun. 29 ]
Vancouver
Pavanello MA. Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET. 2000 ;[citado 2024 jun. 29 ]

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