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Artigo de periodico
Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1990)
Minami, E; Migliato, J; Notari, A; Ceschin, A M; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo
Source: Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MINAMI, E et al. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, v. 9 , n. 1 , p. 14-6, 1990Tradução . . Acesso em: 05 jul. 2024.
APA
Minami, E., Migliato, J., Notari, A., Ceschin, A. M., Basmaji, P., & Siu Li, M. (1990). Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, 9 ( 1 ), 14-6.
NLM
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2024 jul. 05 ]
Vancouver
Minami E, Migliato J, Notari A, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M. Fotocondutividade em 'GA''AS','GA''AS': 'SI' e 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 14-6.[citado 2024 jul. 05 ]
Artigo de periodico
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1990)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Surface Science. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, v. 228, p. 356-8, 1990Tradução . . Acesso em: 05 jul. 2024.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1990). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, 228, 356-8.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2024 jul. 05 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2024 jul. 05 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe (1989)
Ceschin, A M; Notari, A C; Manzoli, E; Sharappe, B; Siu Li, Máximo
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTÔNICA
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ABNT
CESCHIN, A M et al. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 05 jul. 2024. , 1989
APA
Ceschin, A. M., Notari, A. C., Manzoli, E., Sharappe, B., & Siu Li, M. (1989). Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2024 jul. 05 ]
Vancouver
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2024 jul. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie (1989)
Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Ceschin, A M; Migliato, J; Minami, E; Manzoli, E; Scharappe, B
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, FOTÔNICA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 05 jul. 2024.
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Ceschin, A. M., Migliato, J., Minami, E., Manzoli, E., & Scharappe, B. (1989). Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Ceschin AM, Migliato J, Minami E, Manzoli E, Scharappe B. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 jul. 05 ]
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Ceschin AM, Migliato J, Minami E, Manzoli E, Scharappe B. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 jul. 05 ]

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