Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie (1989)
- Authors:
- Autor USP: LI, MAXIMO SIU - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: FILMES FINOS; FOTÔNICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1989
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Basmaji, P., Siu Li, M., Ceschin, A. M., Migliato, J., Minami, E., Manzoli, E., & Scharappe, B. (1989). Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Basmaji P, Siu Li M, Ceschin AM, Migliato J, Minami E, Manzoli E, Scharappe B. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Basmaji P, Siu Li M, Ceschin AM, Migliato J, Minami E, Manzoli E, Scharappe B. Filmes de 'GA''AS' dopados com silicio , crescidos por mbe: caracterizacao e morfologia da superficie. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Caracterizacao de um laser de centro de cor utilizando como meio ativo um cristal de KCl + 1% LiCl Com Centros 'F IND. A'(II)
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