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Trabalho de evento-resumo
Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates (1997)
Frizzarini, Marcos; Sperandio, Alexander Luz; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FRIZZARINI, Marcos et al. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Frizzarini, M., Sperandio, A. L., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1997). Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Frizzarini M, Sperandio AL, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Frizzarini M, Sperandio AL, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices (1997)
Sperandio, Alexander Luz; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SPERANDIO, Alexander Luz e QUIVY, A. A. e LEITE, J. R. Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Sperandio, A. L., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1997). Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Optimization of MBE-grown of distributed Bragg reflectors for the fabrication optical devices. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Fabrication of indenpendent contacts to two closely spaced delta-doped GaAs layers (1997)
Gusev, G M; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Rossi, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GUSEV, G M et al. Fabrication of indenpendent contacts to two closely spaced delta-doped GaAs layers. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Leite, J. R., & Rossi, J. C. (1997). Fabrication of indenpendent contacts to two closely spaced delta-doped GaAs layers. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Rossi JC. Fabrication of indenpendent contacts to two closely spaced delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Rossi JC. Fabrication of indenpendent contacts to two closely spaced delta-doped GaAs layers. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy (1997)
Choque, Nilo Maurício Sotomayor; Soares, Júlio Antônio Nieri de Toledo; Enderlein, Rolf; Leite, J. R.; Belogorokhov, Alexander Ivanovich; Belogorokhova, Lubov Ivanovna
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CHOQUE, Nilo Maurício Sotomayor et al. Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Choque, N. M. S., Soares, J. A. N. de T., Enderlein, R., Leite, J. R., Belogorokhov, A. I., & Belogorokhova, L. I. (1997). Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Choque NMS, Soares JAN de T, Enderlein R, Leite JR, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI. Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Choque NMS, Soares JAN de T, Enderlein R, Leite JR, Belogorokhov AI, Belogorokhova LI. Study of porous silicon embedded with II-VI semiconductor compounds by fotoreflectance spectroscopy. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Supercondutividade na solução sólida '('Sm IND.1-X''Eu IND.X') IND.1.85''Ce IND.0.15''CuO IND.4-Y''(0 '< OU ='X''< OU = 1')' (1997)
Suzuki, Paulo Atsushi; Jardim, R. F.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SUZUKI, Paulo Atsushi e JARDIM, R. F. Supercondutividade na solução sólida '('Sm IND.1-X''Eu IND.X') IND.1.85''Ce IND.0.15''CuO IND.4-Y''(0 '< OU ='X''< OU = 1')'. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Suzuki, P. A., & Jardim, R. F. (1997). Supercondutividade na solução sólida '('Sm IND.1-X''Eu IND.X') IND.1.85''Ce IND.0.15''CuO IND.4-Y''(0 '< OU ='X''< OU = 1')'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Suzuki PA, Jardim RF. Supercondutividade na solução sólida '('Sm IND.1-X''Eu IND.X') IND.1.85''Ce IND.0.15''CuO IND.4-Y''(0 '< OU ='X''< OU = 1')'. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Suzuki PA, Jardim RF. Supercondutividade na solução sólida '('Sm IND.1-X''Eu IND.X') IND.1.85''Ce IND.0.15''CuO IND.4-Y''(0 '< OU ='X''< OU = 1')'. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Magnetoresistência a baixos campos em 'Sm IND.1.82''Ce IND.0.18''CuO IND.4-y' (1997)
Sandim, Maria José; Jardim, R. F.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
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ABNT
SANDIM, Maria José e JARDIM, R. F. Magnetoresistência a baixos campos em 'Sm IND.1.82''Ce IND.0.18''CuO IND.4-y'. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Sandim, M. J., & Jardim, R. F. (1997). Magnetoresistência a baixos campos em 'Sm IND.1.82''Ce IND.0.18''CuO IND.4-y'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Sandim MJ, Jardim RF. Magnetoresistência a baixos campos em 'Sm IND.1.82''Ce IND.0.18''CuO IND.4-y'. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Sandim MJ, Jardim RF. Magnetoresistência a baixos campos em 'Sm IND.1.82''Ce IND.0.18''CuO IND.4-y'. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Artigo de periodico
'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates (1997)
Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Sperândio, A L; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
QUIVY, A. A. et al. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 125-129, 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F. da, Sperândio, A. L., & Leite, J. R. (1997). 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 125-129. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf
NLM
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF da, Sperândio AL, Leite JR. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 125-129.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf
Vancouver
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF da, Sperândio AL, Leite JR. 'p-type''Si-Doped' Structures Grown By Molecular Beam Epitaxy on '(311)'A 'GaAs' Substrates [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 125-129.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/a8f9dfec-0636-4805-8ec4-758da2800819/a24v362a.pdf
Artigo de periodico
Electrical resistivity in 'BI IND.2''SR IND.2''CA''CU IND.2''O IND.INFINITO + OU -DELTA' compounds synthesized via melt-casting (1997)
Fischer, G A; Trammell, H; Barlow, S B; Jardim, R. F.; Torikachvili, M S
Source: Physica C. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FISCHER, G A et al. Electrical resistivity in 'BI IND.2''SR IND.2''CA''CU IND.2''O IND.INFINITO + OU -DELTA' compounds synthesized via melt-casting. Physica C, v. 267, p. 293-302, 1997Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Fischer, G. A., Trammell, H., Barlow, S. B., Jardim, R. F., & Torikachvili, M. S. (1997). Electrical resistivity in 'BI IND.2''SR IND.2''CA''CU IND.2''O IND.INFINITO + OU -DELTA' compounds synthesized via melt-casting. Physica C, 267, 293-302.
NLM
Fischer GA, Trammell H, Barlow SB, Jardim RF, Torikachvili MS. Electrical resistivity in 'BI IND.2''SR IND.2''CA''CU IND.2''O IND.INFINITO + OU -DELTA' compounds synthesized via melt-casting. Physica C. 1997 ;267 293-302.[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Fischer GA, Trammell H, Barlow SB, Jardim RF, Torikachvili MS. Electrical resistivity in 'BI IND.2''SR IND.2''CA''CU IND.2''O IND.INFINITO + OU -DELTA' compounds synthesized via melt-casting. Physica C. 1997 ;267 293-302.[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Depopulação induzida pelo campo magnético planar (1997)
Alves, Ademir Ricart; Guimarães, Paulo S Soares; Cury, Luiz A; Moreira, Marcus V Baeta; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, Ademir Ricart et al. Depopulação induzida pelo campo magnético planar. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Alves, A. R., Guimarães, P. S. S., Cury, L. A., Moreira, M. V. B., & Scolfaro, L. M. R. (1997). Depopulação induzida pelo campo magnético planar. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alves AR, Guimarães PSS, Cury LA, Moreira MVB, Scolfaro LMR. Depopulação induzida pelo campo magnético planar. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Alves AR, Guimarães PSS, Cury LA, Moreira MVB, Scolfaro LMR. Depopulação induzida pelo campo magnético planar. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Alignment of self-organized MBE-grown quantum dots (1997)
Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUIVY, A. A. e LEITE, J. R. Alignment of self-organized MBE-grown quantum dots. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1997). Alignment of self-organized MBE-grown quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Leite JR. Alignment of self-organized MBE-grown quantum dots. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Quivy AA, Leite JR. Alignment of self-organized MBE-grown quantum dots. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Metal-semiconductor transition in 'La IND.1-X' 'Sr IND.X' 'MnO IND.3' (1997)
Mota, Ronaldo; Piquini, Paulo Cesar; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Ronaldo e PIQUINI, Paulo Cesar e FAZZIO, Adalberto. Metal-semiconductor transition in 'La IND.1-X' 'Sr IND.X' 'MnO IND.3'. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Mota, R., Piquini, P. C., & Fazzio, A. (1997). Metal-semiconductor transition in 'La IND.1-X' 'Sr IND.X' 'MnO IND.3'. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Mota R, Piquini PC, Fazzio A. Metal-semiconductor transition in 'La IND.1-X' 'Sr IND.X' 'MnO IND.3'. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Mota R, Piquini PC, Fazzio A. Metal-semiconductor transition in 'La IND.1-X' 'Sr IND.X' 'MnO IND.3'. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Initial oxidation of the hydrogenated Si <111> surface (1997)
Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marília Junqueira
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose e CALDAS, Marília Junqueira. Initial oxidation of the hydrogenated Si <111> surface. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Baierle, R. J., & Caldas, M. J. (1997). Initial oxidation of the hydrogenated Si <111> surface. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Baierle RJ, Caldas MJ. Initial oxidation of the hydrogenated Si <111> surface. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Baierle RJ, Caldas MJ. Initial oxidation of the hydrogenated Si <111> surface. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Ab initio studies of structural, electronic and optical properties of PPP and PPV (1997)
Capaz, Rodrigo B; Caldas, Marília Junqueira; Rossi, Fausto; Molinari, Elisa
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAPAZ, Rodrigo B et al. Ab initio studies of structural, electronic and optical properties of PPP and PPV. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Capaz, R. B., Caldas, M. J., Rossi, F., & Molinari, E. (1997). Ab initio studies of structural, electronic and optical properties of PPP and PPV. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Capaz RB, Caldas MJ, Rossi F, Molinari E. Ab initio studies of structural, electronic and optical properties of PPP and PPV. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Capaz RB, Caldas MJ, Rossi F, Molinari E. Ab initio studies of structural, electronic and optical properties of PPP and PPV. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Density Functional theory for Holes in Semiconductors (1997)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ENDERLEIN, R et al. Density Functional theory for Holes in Semiconductors. Physical Review Letters, v. 79, n. 19, p. 3712-3715, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevlett.79.3712. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1997). Density Functional theory for Holes in Semiconductors. Physical Review Letters, 79( 19), 3712-3715. doi:10.1103/physrevlett.79.3712
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Density Functional theory for Holes in Semiconductors [Internet]. Physical Review Letters. 1997 ; 79( 19): 3712-3715.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevlett.79.3712
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Density Functional theory for Holes in Semiconductors [Internet]. Physical Review Letters. 1997 ; 79( 19): 3712-3715.[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevlett.79.3712
Artigo de periodico
Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs (1997)
Ramos, L. E.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructure. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, L. E. et al. Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure, v. 22, n. 4, p. 443-451, 1997Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Ramos, L. E., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1997). Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure, 22( 4), 443-451.
NLM
Ramos LE, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure. 1997 ; 22( 4): 443-451.[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Ramos LE, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Minibands of p-type 'delta'-doping superlattices in GaAs. Superlattices and Microstructure. 1997 ; 22( 4): 443-451.[citado 2024 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Collective excitation in 'GaAs-Al ind.x''Ga ind. 1-x' As quantum wires: multisubband model (1997)
Machado, Paulo César Miranda; Leite, J. R.; Osório, Francisco Aparecido Pinto; Borges, Antônio Newton
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Paulo César Miranda et al. Collective excitation in 'GaAs-Al ind.x''Ga ind. 1-x' As quantum wires: multisubband model. Physical Review B, v. 56, n. 7, p. 4128-4131, 1997Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Machado, P. C. M., Leite, J. R., Osório, F. A. P., & Borges, A. N. (1997). Collective excitation in 'GaAs-Al ind.x''Ga ind. 1-x' As quantum wires: multisubband model. Physical Review B, 56( 7), 4128-4131.
NLM
Machado PCM, Leite JR, Osório FAP, Borges AN. Collective excitation in 'GaAs-Al ind.x''Ga ind. 1-x' As quantum wires: multisubband model. Physical Review B. 1997 ; 56( 7): 4128-4131.[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Machado PCM, Leite JR, Osório FAP, Borges AN. Collective excitation in 'GaAs-Al ind.x''Ga ind. 1-x' As quantum wires: multisubband model. Physical Review B. 1997 ; 56( 7): 4128-4131.[citado 2024 nov. 01 ]
Artigo de periodico
Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001) (1997)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science, v. 377-379, p. 121-124, 1997Tradução . . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1997). Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science, 377-379, 121-124.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence characterization of porous silicon embedded with Cds, ZnSe and CdSe semiconductor compounds (1997)
Belogorokhov, Alexander Ivanovich; Karavanskii, Vladimir Andreevich; Belogorokhova, Lubov Ivanovna; Enderlein, Rolf; Leite, J. R.; Tabata, Américo
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELOGOROKHOV, Alexander Ivanovich et al. Photoluminescence characterization of porous silicon embedded with Cds, ZnSe and CdSe semiconductor compounds. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Belogorokhov, A. I., Karavanskii, V. A., Belogorokhova, L. I., Enderlein, R., Leite, J. R., & Tabata, A. (1997). Photoluminescence characterization of porous silicon embedded with Cds, ZnSe and CdSe semiconductor compounds. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Belogorokhov AI, Karavanskii VA, Belogorokhova LI, Enderlein R, Leite JR, Tabata A. Photoluminescence characterization of porous silicon embedded with Cds, ZnSe and CdSe semiconductor compounds. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Belogorokhov AI, Karavanskii VA, Belogorokhova LI, Enderlein R, Leite JR, Tabata A. Photoluminescence characterization of porous silicon embedded with Cds, ZnSe and CdSe semiconductor compounds. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Characterization of distributed Bragg reflectors and vertical-cavity semiconductor structures by modulation spectroscopy (1997)
Trentin, R.; Soares, Júlio Antônio Nieri de Toledo; Sperandio, Alexander Luz; Quivy, A. A.; Enderlein, Rolf; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TRENTIN, R. et al. Characterization of distributed Bragg reflectors and vertical-cavity semiconductor structures by modulation spectroscopy. 1997, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1997. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Trentin, R., Soares, J. A. N. de T., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1997). Characterization of distributed Bragg reflectors and vertical-cavity semiconductor structures by modulation spectroscopy. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Trentin R, Soares JAN de T, Sperandio AL, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Characterization of distributed Bragg reflectors and vertical-cavity semiconductor structures by modulation spectroscopy. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Trentin R, Soares JAN de T, Sperandio AL, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Characterization of distributed Bragg reflectors and vertical-cavity semiconductor structures by modulation spectroscopy. Resumos. 1997 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001) (1997)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Surface Science. Conference titles: European Conference on Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. Amsterdam: Elsevier. . Acesso em: 01 nov. 2024. , 1997
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1997). Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. Amsterdam: Elsevier.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometry and electronic structure of S/InP(001). Surface Science. 1997 ; 377-379 121-124.[citado 2024 nov. 01 ]

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