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Trabalho de evento
Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE' (1985)
Fazzio, A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A e IIKAWA, F e MOTISUKE, P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Fazzio, A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1985). Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 out. 03 ]
Trabalho de evento
Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 out. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio (1985)
Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Pereira Neto, J R
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. e PEREIRA NETO, J R. Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 out. 2024. , 1985
APA
Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Pereira Neto, J. R. (1985). Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Scolfaro LMR, Leite JR, Pereira Neto JR. Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Leite JR, Pereira Neto JR. Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 out. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante (1985)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
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ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 out. 2024. , 1985
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1985). Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 out. 03 ]
Artigo de periodico
Mossbauer study of the miscibility in iron-nickel invar alloys (1985)
Franco, H; Rechenberg, H R
Source: Journal of Physics. Serie F. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
FRANCO, H e RECHENBERG, H R. Mossbauer study of the miscibility in iron-nickel invar alloys. Journal of Physics. Serie F, v. 15, p. 719-25, 1985Tradução . . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Franco, H., & Rechenberg, H. R. (1985). Mossbauer study of the miscibility in iron-nickel invar alloys. Journal of Physics. Serie F, 15, 719-25.
NLM
Franco H, Rechenberg HR. Mossbauer study of the miscibility in iron-nickel invar alloys. Journal of Physics. Serie F. 1985 ;15 719-25.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Franco H, Rechenberg HR. Mossbauer study of the miscibility in iron-nickel invar alloys. Journal of Physics. Serie F. 1985 ;15 719-25.[citado 2024 out. 03 ]
Artigo de periodico
Quadrupole interaction and molecular dynamics in 'A IND.2''FE''CL IND.5'.'H IND.2'o (a=k, 'RB',n'H IND. 4') ; evidence for a structural phase transition in ' (N'h ind.4') IND.2''FE''CL IND.5'.'H IND.2'o (1985)
Partiti, Carmen Silvia de Moya; Piccini, Angelo; Rechenberg, H R
Source: Solid State Communication. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
PARTITI, Carmen Silvia de Moya e PICCINI, Angelo e RECHENBERG, H R. Quadrupole interaction and molecular dynamics in 'A IND.2''FE''CL IND.5'.'H IND.2'o (a=k, 'RB',n'H IND. 4') ; evidence for a structural phase transition in ' (N'h ind.4') IND.2''FE''CL IND.5'.'H IND.2'o. Solid State Communication, v. 56, p. 687-691, 1985Tradução . . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Partiti, C. S. de M., Piccini, A., & Rechenberg, H. R. (1985). Quadrupole interaction and molecular dynamics in 'A IND.2''FE''CL IND.5'.'H IND.2'o (a=k, 'RB',n'H IND. 4') ; evidence for a structural phase transition in ' (N'h ind.4') IND.2''FE''CL IND.5'.'H IND.2'o. Solid State Communication, 56, 687-691.
NLM
Partiti CS de M, Piccini A, Rechenberg HR. Quadrupole interaction and molecular dynamics in 'A IND.2''FE''CL IND.5'.'H IND.2'o (a=k, 'RB',n'H IND. 4') ; evidence for a structural phase transition in ' (N'h ind.4') IND.2''FE''CL IND.5'.'H IND.2'o. Solid State Communication. 1985 ; 56 687-691.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Partiti CS de M, Piccini A, Rechenberg HR. Quadrupole interaction and molecular dynamics in 'A IND.2''FE''CL IND.5'.'H IND.2'o (a=k, 'RB',n'H IND. 4') ; evidence for a structural phase transition in ' (N'h ind.4') IND.2''FE''CL IND.5'.'H IND.2'o. Solid State Communication. 1985 ; 56 687-691.[citado 2024 out. 03 ]
Artigo de periodico
Calculation of the electric field gradient at the nucleus of an 'FE' impurity in hcp 'ZR' via recursion method (1985)
Petrilli, H; Frota Pessoa, S
Source: Journal of Physics. Serie F. Unidade: IF
Assunto: CAMPO ELETROMAGNÉTICO
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ABNT
PETRILLI, H e FROTA PESSOA, S. Calculation of the electric field gradient at the nucleus of an 'FE' impurity in hcp 'ZR' via recursion method. Journal of Physics. Serie F, v. 15, p. 2307-13, 1985Tradução . . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Petrilli, H., & Frota Pessoa, S. (1985). Calculation of the electric field gradient at the nucleus of an 'FE' impurity in hcp 'ZR' via recursion method. Journal of Physics. Serie F, 15, 2307-13.
NLM
Petrilli H, Frota Pessoa S. Calculation of the electric field gradient at the nucleus of an 'FE' impurity in hcp 'ZR' via recursion method. Journal of Physics. Serie F. 1985 ;15 2307-13.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Petrilli H, Frota Pessoa S. Calculation of the electric field gradient at the nucleus of an 'FE' impurity in hcp 'ZR' via recursion method. Journal of Physics. Serie F. 1985 ;15 2307-13.[citado 2024 out. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Terras raras em gap (1985)
Azevedo, T C A M; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AZEVEDO, T C A M e FAZZIO, A. Terras raras em gap. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 out. 2024. , 1985
APA
Azevedo, T. C. A. M., & Fazzio, A. (1985). Terras raras em gap. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Azevedo TCAM, Fazzio A. Terras raras em gap. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 298.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Azevedo TCAM, Fazzio A. Terras raras em gap. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 298.[citado 2024 out. 03 ]
Artigo de periodico
Theoretical model of the au-te complex in silicon (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, v. 32, p. 8085-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, 32, 8085-91. doi:10.1103/physrevb.32.8085
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Trabalho de evento-resumo periodico
Construcao de clusters amorfos de empacotamento denso com diferentes graus de ordenamento (1985)
Duarte Junior, J; Frota Pessoa, S
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE JUNIOR, J e FROTA PESSOA, S. Construcao de clusters amorfos de empacotamento denso com diferentes graus de ordenamento. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 out. 2024. , 1985
APA
Duarte Junior, J., & Frota Pessoa, S. (1985). Construcao de clusters amorfos de empacotamento denso com diferentes graus de ordenamento. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Duarte Junior J, Frota Pessoa S. Construcao de clusters amorfos de empacotamento denso com diferentes graus de ordenamento. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 275.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Duarte Junior J, Frota Pessoa S. Construcao de clusters amorfos de empacotamento denso com diferentes graus de ordenamento. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 275.[citado 2024 out. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v (1985)
Silva, E C F; Santos, M D F M; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reuniao da Sbpc. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E C F e SANTOS, M D F M e LEITE, J. R. Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 out. 2024. , 1985
APA
Silva, E. C. F., Santos, M. D. F. M., & Leite, J. R. (1985). Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Silva ECF, Santos MDFM, Leite JR. Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Silva ECF, Santos MDFM, Leite JR. Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 out. 03 ]
Trabalho de evento
Amorphous superconductors (1985)
Missell, F. P.
Source: Anais. Conference titles: Simposio Latino-Americano de Fisica dos Sistemas Amorfos. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MISSELL, F. P. Amorphous superconductors. 1985, Anais.. Rio de Janeiro: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Missell, F. P. (1985). Amorphous superconductors. In Anais. Rio de Janeiro: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Missell FP. Amorphous superconductors. Anais. 1985 ;[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Missell FP. Amorphous superconductors. Anais. 1985 ;[citado 2024 out. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio (1985)
Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 out. 2024. , 1985
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 out. 03 ]
Artigo de periodico
Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors (1985)
Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A; Zunger, A
Source: Journal of Electronic Materials. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira e FAZZIO, A e ZUNGER, A. Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors. Journal of Electronic Materials, v. 14, p. 1035-41, 1985Tradução . . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Caldas, M. J., Fazzio, A., & Zunger, A. (1985). Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors. Journal of Electronic Materials, 14, 1035-41.
NLM
Caldas MJ, Fazzio A, Zunger A. Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors. Journal of Electronic Materials. 1985 ;14 1035-41.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Caldas MJ, Fazzio A, Zunger A. Chemical trends and universalities in the spectra transition metal impurities in semiconductors. Journal of Electronic Materials. 1985 ;14 1035-41.[citado 2024 out. 03 ]
Trabalho de evento
Group-ib impurities in 'SI' (1985)
Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira; Zunger, A
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira e ZUNGER, A. Group-ib impurities in 'SI'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., & Zunger, A. (1985). Group-ib impurities in 'SI'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Group-ib impurities in 'SI'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 out. 03 ]
Artigo de periodico
Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon (1985)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Caldas, Marília Junqueira; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841-4, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., Caldas, M. J., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, 53, 841-4. doi:10.1016/0038-1098(85)90064-x
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Artigo de periodico
Model for small superconducting variable-thickness bridge constructions (1985)
Nicolsky, R; Octavio, M; Frota Pessoa, S
Source: Journal of Low Temperature Physics. Unidade: IF
Assunto: SUPERCONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLSKY, R e OCTAVIO, M e FROTA PESSOA, S. Model for small superconducting variable-thickness bridge constructions. Journal of Low Temperature Physics, v. 58, p. 11-26, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bf00682563. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Nicolsky, R., Octavio, M., & Frota Pessoa, S. (1985). Model for small superconducting variable-thickness bridge constructions. Journal of Low Temperature Physics, 58, 11-26. doi:10.1007/bf00682563
NLM
Nicolsky R, Octavio M, Frota Pessoa S. Model for small superconducting variable-thickness bridge constructions [Internet]. Journal of Low Temperature Physics. 1985 ;58 11-26.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bf00682563
Vancouver
Nicolsky R, Octavio M, Frota Pessoa S. Model for small superconducting variable-thickness bridge constructions [Internet]. Journal of Low Temperature Physics. 1985 ;58 11-26.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bf00682563
Trabalho de evento-resumo periodico
Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.; Assali, L. V. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 out. 2024. , 1985
APA
Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1985). Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR, Assali LVC. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 251.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR, Assali LVC. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 251.[citado 2024 out. 03 ]
Artigo de periodico
Energy level crossing of 'NI POT.++' Ion induced by magnetic field in 'NI'sn'CL IND.6'.6'H IND.2'o and 'ALFA'. 'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o (1985)
Becerra, Carlos Castilla; Paduan-Filho, A.; Oliveira Jr., N. F.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BECERRA, Carlos Castilla e PADUAN-FILHO, A. e OLIVEIRA JR., N. F. Energy level crossing of 'NI POT.++' Ion induced by magnetic field in 'NI'sn'CL IND.6'.6'H IND.2'o and 'ALFA'. 'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o. Physica Status Solidi B, v. 129, p. 173-5, 1985Tradução . . Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Becerra, C. C., Paduan-Filho, A., & Oliveira Jr., N. F. (1985). Energy level crossing of 'NI POT.++' Ion induced by magnetic field in 'NI'sn'CL IND.6'.6'H IND.2'o and 'ALFA'. 'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o. Physica Status Solidi B, 129, 173-5.
NLM
Becerra CC, Paduan-Filho A, Oliveira Jr. NF. Energy level crossing of 'NI POT.++' Ion induced by magnetic field in 'NI'sn'CL IND.6'.6'H IND.2'o and 'ALFA'. 'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o. Physica Status Solidi B. 1985 ;129 173-5.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Becerra CC, Paduan-Filho A, Oliveira Jr. NF. Energy level crossing of 'NI POT.++' Ion induced by magnetic field in 'NI'sn'CL IND.6'.6'H IND.2'o and 'ALFA'. 'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o. Physica Status Solidi B. 1985 ;129 173-5.[citado 2024 out. 03 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI' (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reuniaoo Anual da Sbpc. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 03 out. 2024. , 1985
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 out. 03 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 out. 03 ]

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