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Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor (2023)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos ; Oliveira, Caio Estevão de
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos e OLIVEIRA, Caio Estevão de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., & Oliveira, C. E. de. (2023). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM, Oliveira CE de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
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Wanderley AB, Sipahi GM, Oliveira CE de. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria para obtenção de parâmetros de Luttinger, Kane e g-factor [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fc1e79d7-8cdd-4df7-ba9c-9789ca588902/3178413.pdf
Trabalho de evento-resumo
Efeitos do strain em nanofios politípicos (2023)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
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SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos do strain em nanofios politípicos. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2023). Efeitos do strain em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
NLM
Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
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Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos do strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f2f6df2e-1020-4c27-869a-f11356dd2d0b/3178424.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade (2023)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA COMPUTACIONAL
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PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2023). Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
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Pauli IG, Sipahi GM. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
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Pauli IG, Sipahi GM. Estudo de propriedades de qubits em sistemas de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9b1f0eee-ae3c-46d7-aaef-30f5996a4af5/3178420.pdf
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Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2022)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA COMPUTACIONAL, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DESENVOLVIMENTO DE SOFTWARE
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PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2022). Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
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Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
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Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6772ce83-1fe8-44a5-a12a-a97f4ab6c0b8/3121747.pdf
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Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
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WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
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Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
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Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
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Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos (2022)
Siqueira, Anderson Henrique; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, MODELOS MATEMÁTICOS
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson Henrique e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Siqueira, A. H., & Sipahi, G. M. (2022). Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
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Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
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Siqueira AH, Sipahi GM. Efeitos de strain na fase zincblend em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b0fa2bf-11cc-4c1a-8ebd-9ced7ba98118/3121360.pdf
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Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra (2022)
Mazziero, Mateus Lopes; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FRAMEWORKS
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ABNT
MAZZIERO, Mateus Lopes e SIPAHI, Guilherme Matos. Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Mazziero, M. L., & Sipahi, G. M. (2022). Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf
NLM
Mazziero ML, Sipahi GM. Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf
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Mazziero ML, Sipahi GM. Cálculo da densidade de estados através dos métodos marching cubes e marching tetrahedra [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/52186d8e-cd4d-48a6-89e6-5998307097a4/PROD034061_3120860.pdf
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Efeitos de strain em nanofios politípicos (2021)
Sipahi, Guilherme Matos ; Siqueira, Anderson
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos e SIQUEIRA, Anderson. Efeitos de strain em nanofios politípicos. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Sipahi, G. M., & Siqueira, A. (2021). Efeitos de strain em nanofios politípicos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
NLM
Sipahi GM, Siqueira A. Efeitos de strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
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Sipahi GM, Siqueira A. Efeitos de strain em nanofios politípicos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/7d0cc557-1d41-497e-a112-eb2e52a63589/3055047.pdf
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Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene (2021)
Pietro, Nickolas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, CARBONO
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ABNT
PIETRO, Nickolas e SIPAHI, Guilherme Matos. Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Pietro, N., & Sipahi, G. M. (2021). Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf
NLM
Pietro N, Sipahi GM. Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf
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Pietro N, Sipahi GM. Modelagem tight-binding do twisted bilayer graphene [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/302a85e3-12e9-49db-b883-c2dbcf5d7f52/PROD032286_3051751.pdf
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores (2021)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2021). Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf
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Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/d70ff2d0-2859-4b35-ac64-84ee961251d2/3053801.pdf
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Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 (2021)
Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2021). Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
NLM
Oliveira CE de, Sipahi GM. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
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Oliveira CE de, Sipahi GM. Teoria de grupos aplicada ao método k.p: Hamiltoniano Wurtzita 8x8 [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ffc332d4-aaac-4204-831a-93b2527630af/3055045.pdf
Trabalho de evento-resumo
Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos (2021)
Wanderley, Adilson Barros; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, TEORIA DOS GRUPOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2021). Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
NLM
Wanderley AB, Silva JLF da, Sipahi GM. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
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Wanderley AB, Silva JLF da, Sipahi GM. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
Trabalho de evento-resumo
Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade (2021)
Salomon, Bruno Leão Rennó; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2021). Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
NLM
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
Vancouver
Salomon BLR, Sipahi GM. Aprendizado de técnicas de simulação computacional de semicondutores de baixa dimensionalidade [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/750b5358-c081-4045-b468-b7c1a61ca3e9/3053805.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of semiconductor AlN with density functional theory (2020)
Bonani, Fabio Danielli; Alves, Horácio; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BONANI, Fabio Danielli e ALVES, Horácio e SIPAHI, Guilherme Matos. Study of semiconductor AlN with density functional theory. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Bonani, F. D., Alves, H., & Sipahi, G. M. (2020). Study of semiconductor AlN with density functional theory. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Bonani FD, Alves H, Sipahi GM. Study of semiconductor AlN with density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Bonani FD, Alves H, Sipahi GM. Study of semiconductor AlN with density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de strain em semicondutores III-V (2020)
Siqueira, Anderson; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SIQUEIRA, Anderson e SIPAHI, Guilherme Matos. Efeitos de strain em semicondutores III-V. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Siqueira, A., & Sipahi, G. M. (2020). Efeitos de strain em semicondutores III-V. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Siqueira A, Sipahi GM. Efeitos de strain em semicondutores III-V [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende (2020)
Oliveira, Caio Estevão de; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
OLIVEIRA, Caio Estevão de e SIPAHI, Guilherme Matos. Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Oliveira, C. E. de, & Sipahi, G. M. (2020). Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Oliveira CE de, Sipahi GM. Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Oliveira CE de, Sipahi GM. Hamiltoniano por formalismo k·p para estruturas Zincblende [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos (2020)
Salomon, Bruno Leão Rennó; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SALOMON, Bruno Leão Rennó e SIPAHI, Guilherme Matos. Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Salomon, B. L. R., & Sipahi, G. M. (2020). Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Salomon BLR, Sipahi GM. Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Salomon BLR, Sipahi GM. Propriedades eletrônicas de semicondutores a partir do estudo das simetrias dos grupos cristalinos [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2020)
Pauli, Ian Giestas; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAULI, Ian Giestas e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Pauli, I. G., & Sipahi, G. M. (2020). Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Pauli IG, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes (2020)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2020). Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM, Silva JLF da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM, Silva JLF da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian (2019)
Bastos, Carlos Maciel de Oliveira; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Book of abstracts. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. 2019, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2019. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Bastos, C. M. de O., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. In Book of abstracts. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf
NLM
Bastos CM de O, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf
Vancouver
Bastos CM de O, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf

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