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Artigo de periodico
Glycine adsorption on silicon (001) (2006)
Ferraz, A. C.; Miotto, R
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
FERRAZ, A. C. e MIOTTO, R. Glycine adsorption on silicon (001). Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 309-312, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300020. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2006). Glycine adsorption on silicon (001). Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 309-312. doi:10.1590/s0103-97332006000300020
NLM
Ferraz AC, Miotto R. Glycine adsorption on silicon (001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 309-312.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300020
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. Glycine adsorption on silicon (001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 309-312.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300020
Artigo de periodico
Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond (2006)
Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LARICO, R et al. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 267-269, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Larico, R., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2006). Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 267-269. doi:10.1590/s0103-97332006000300009
NLM
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
Vancouver
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
Artigo de periodico
InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications (2006)
Lamas, Tomás Erikson; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LAMAS, Tomás Erikson e QUIVY, A. A. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 405-407, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2006). InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 405-407. doi:10.1590/s0103-97332006000300046
NLM
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Artigo de periodico
Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes (2006)
Cano, Nilo Francisco; Duarte, Celso de Araújo; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CANO, Nilo Francisco et al. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 336-339, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Cano, N. F., Duarte, C. de A., Gusev, G. M., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2006). Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 336-339. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
NLM
Cano NF, Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 336-339.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
Vancouver
Cano NF, Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 336-339.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
Artigo de periodico
Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well (2006)
Duarte, Cesário Antonio; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Gusev, G M
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, EFEITO HALL
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ABNT
DUARTE, Cesário Antonio et al. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 488-491, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Gusev, G. M. (2006). Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 488-491. doi:10.1590/s0103-97332006000300068
NLM
Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Gusev GM. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 488-491.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068
Vancouver
Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Gusev GM. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 488-491.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068
Artigo de periodico
First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si (2006)
Schmidt, T M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 261-263, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 261-263. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Artigo de periodico
Memory effects in backscattering of two-dimensional electrons in corrugated systems (2006)
Sotomayor, N M; Rocha Neto, José Francisco da; Gusev, Guennadii Michailovich
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOTOMAYOR, N M e ROCHA NETO, José Francisco da e GUSEV, Guennadii Michailovich. Memory effects in backscattering of two-dimensional electrons in corrugated systems. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 340-342, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300028. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Sotomayor, N. M., Rocha Neto, J. F. da, & Gusev, G. M. (2006). Memory effects in backscattering of two-dimensional electrons in corrugated systems. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 340-342. doi:10.1590/s0103-97332006000300028
NLM
Sotomayor NM, Rocha Neto JF da, Gusev GM. Memory effects in backscattering of two-dimensional electrons in corrugated systems [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 340-342.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300028
Vancouver
Sotomayor NM, Rocha Neto JF da, Gusev GM. Memory effects in backscattering of two-dimensional electrons in corrugated systems [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 340-342.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300028
Artigo de periodico
InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications (2006)
Lamas, T E; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T E e QUIVY, A. A. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 405-407, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2006). InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 405-407. doi:10.1590/s0103-97332006000300046
NLM
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Artigo de periodico
Normals-state properties of uniaxially pressed "Bi IND. 1.65" "Pb IND. 035" "Sr IND.2" "Ca IND.2" "Cu IND.3" "O IND.10+"delta"" ceramics (2005)
Govea-Alcaide, E; Jardim, R. F.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERCONDUTIVIDADE, MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE VARREDURA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
GOVEA-ALCAIDE, E e JARDIM, R. F. Normals-state properties of uniaxially pressed "Bi IND. 1.65" "Pb IND. 035" "Sr IND.2" "Ca IND.2" "Cu IND.3" "O IND.10+"delta"" ceramics. Brazilian Journal of Physics, v. 35, n. 3A, p. 680-688, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v35_680.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Govea-Alcaide, E., & Jardim, R. F. (2005). Normals-state properties of uniaxially pressed "Bi IND. 1.65" "Pb IND. 035" "Sr IND.2" "Ca IND.2" "Cu IND.3" "O IND.10+"delta"" ceramics. Brazilian Journal of Physics, 35( 3A), 680-688. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v35_680.pdf
NLM
Govea-Alcaide E, Jardim RF. Normals-state properties of uniaxially pressed "Bi IND. 1.65" "Pb IND. 035" "Sr IND.2" "Ca IND.2" "Cu IND.3" "O IND.10+"delta"" ceramics [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2005 ; 35( 3A): 680-688.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v35_680.pdf
Vancouver
Govea-Alcaide E, Jardim RF. Normals-state properties of uniaxially pressed "Bi IND. 1.65" "Pb IND. 035" "Sr IND.2" "Ca IND.2" "Cu IND.3" "O IND.10+"delta"" ceramics [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2005 ; 35( 3A): 680-688.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v35_680.pdf
Artigo de periodico
Magnetic field induced absorption in 'Pb IND. x''Eu IND. 1-x'Te magnetic semiconductors (2004)
Hanamoto, L K; Henriques, André Bohomoletz; Rappl, P H de O; Oliveira Jr., N. F.; Ueta, A Y; Abramof, E
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, SUPERCONDUTIVIDADE
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ABNT
HANAMOTO, L K et al. Magnetic field induced absorption in 'Pb IND. x''Eu IND. 1-x'Te magnetic semiconductors. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a44v342b.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Hanamoto, L. K., Henriques, A. B., Rappl, P. H. de O., Oliveira Jr., N. F., Ueta, A. Y., & Abramof, E. (2004). Magnetic field induced absorption in 'Pb IND. x''Eu IND. 1-x'Te magnetic semiconductors. Brazilian Journal of Physics. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a44v342b.pdf
NLM
Hanamoto LK, Henriques AB, Rappl PH de O, Oliveira Jr. NF, Ueta AY, Abramof E. Magnetic field induced absorption in 'Pb IND. x''Eu IND. 1-x'Te magnetic semiconductors [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a44v342b.pdf
Vancouver
Hanamoto LK, Henriques AB, Rappl PH de O, Oliveira Jr. NF, Ueta AY, Abramof E. Magnetic field induced absorption in 'Pb IND. x''Eu IND. 1-x'Te magnetic semiconductors [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a44v342b.pdf
Artigo de periodico
Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400016
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Artigo de periodico
Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards (2004)
Sotomayor, N M; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOTOMAYOR, N M e GUSEV, Guennadii Michailovich e LEITE, J. R. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400028. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Sotomayor, N. M., Gusev, G. M., & Leite, J. R. (2004). Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400028
NLM
Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400028
Vancouver
Sotomayor NM, Gusev GM, Leite JR. Evolution from commensurability to size-effects structures in three-dimensional billiards [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400028
Artigo de periodico
Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, EFEITO MOSSBAUER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400041
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041
Artigo de periodico
Electronic properties of isolated nickel in diamond (2004)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2004). Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400038
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
Artigo de periodico
MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te (2004)
Ueta, A Y; Rappl, P H O; Closs, H; Motisuke, P; Abramof, E; Anjos, V R dos; Chitta, V A; Coaquira, J. A. H. ; Oliveira Jr., N. F.; Bauer, G
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
UETA, A Y et al. MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a39v342b.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Ueta, A. Y., Rappl, P. H. O., Closs, H., Motisuke, P., Abramof, E., Anjos, V. R. dos, et al. (2004). MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te. Brazilian Journal of Physics. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a39v342b.pdf
NLM
Ueta AY, Rappl PHO, Closs H, Motisuke P, Abramof E, Anjos VR dos, Chitta VA, Coaquira JAH, Oliveira Jr. NF, Bauer G. MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a39v342b.pdf
Vancouver
Ueta AY, Rappl PHO, Closs H, Motisuke P, Abramof E, Anjos VR dos, Chitta VA, Coaquira JAH, Oliveira Jr. NF, Bauer G. MBE growth and characterization of 'Sn IND. 1-x''Eu IND. x'Te [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a39v342b.pdf
Artigo de periodico
A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects (2004)
Ayres, F; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
AYRES, F et al. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400042
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042
Artigo de periodico
C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure (2004)
Miotto, R; Oliveira, M C; Pinto, M M; Léon-Perez, F de; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIOTTO, R et al. C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Oliveira, M. C., Pinto, M. M., Léon-Perez, F. de, & Ferraz, A. C. (2004). C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure. Brazilian Journal of Physics. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf
NLM
Miotto R, Oliveira MC, Pinto MM, Léon-Perez F de, Ferraz AC. C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf
Vancouver
Miotto R, Oliveira MC, Pinto MM, Léon-Perez F de, Ferraz AC. C 'H IND. 3'CN on Si(001): adsorption geometries and electronic structure [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a45v342b.pdf
Artigo de periodico
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs (2004)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Poças, L C; Toginho Filho, D O; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Poças, L. C., Toginho Filho, D. O., & Leite, J. R. (2004). Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000300031
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Artigo de periodico
Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400021
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021
Artigo de periodico
Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study (2004)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PAIVA, R de et al. Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2004). Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study. Brazilian Journal of Physics. Recuperado de http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Diluted magnetic 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'N alloys: a first-principles study [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.scielo.br/pdf/bjp/v34n2b/a31v342b.pdf

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