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ABNT
NUNES, O A C et al. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Nunes, O. A. C., Fonseca, A. L. A., Fanyao, Q., Daud, S. P., & Leite, J. R. (2002). 2D-3D transition in a parabolic quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Nunes OAC, Fonseca ALA, Fanyao Q, Daud SP, Leite JR. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 13 ]
Vancouver
Nunes OAC, Fonseca ALA, Fanyao Q, Daud SP, Leite JR. 2D-3D transition in a parabolic quantum well. Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 13 ]
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ABNT
RAMOS, L. E. et al. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, v. 63, n. 16, p. 5210/1-5210/10, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Ramos, L. E., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Castineira, J. L. P., Rosa, A. L., & Leite, J. R. (2001). Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, 63( 16), 5210/1-5210/10. doi:10.1103/physrevb.63.165210
NLM
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Vancouver
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
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ABNT
DANTAS, N O et al. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 13 out. 2024.
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NLM
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 13 ]
Vancouver
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 13 ]
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CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 13 out. 2024.
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Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
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Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 13 ]
Vancouver
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 13 ]
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ABNT
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Qu F, Dantas NO, Leite JR, Silva ECF da. Investigation of h-band emission in single heterojunctions: doping role of Si atoms. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 13 ]
Vancouver
Qu F, Dantas NO, Leite JR, Silva ECF da. Investigation of h-band emission in single heterojunctions: doping role of Si atoms. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 13 ]
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DANTAS, N O et al. The optical property of delta-dopped single heterojunctions: growth direction effects. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 13 out. 2024.
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Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical property of delta-dopped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 13 ]
Vancouver
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical property of delta-dopped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 13 ]
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LINO, Antonio Tadeu et al. Níveis de energia de poços quânticos parabólicos submetidos a campos magnéticos in-plane. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 13 out. 2024.
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Lino, A. T., Qu, F., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2000). Níveis de energia de poços quânticos parabólicos submetidos a campos magnéticos in-plane. In Resumos. São Paulo: SBF.
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Lino AT, Qu F, Leite JR, Scolfaro LMR. Níveis de energia de poços quânticos parabólicos submetidos a campos magnéticos in-plane. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 13 ]
Vancouver
Lino AT, Qu F, Leite JR, Scolfaro LMR. Níveis de energia de poços quânticos parabólicos submetidos a campos magnéticos in-plane. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 13 ]
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ABNT
LINO, Antonio Tadeu et al. Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 13 out. 2024.
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Lino, A. T., Enders Neto, B., Moreira, M. D., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Beliaev, D. (1999). Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. In Resumos. São Paulo: SBF.
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Lino AT, Enders Neto B, Moreira MD, Leite JR, Scolfaro LMR, Beliaev D. Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 13 ]
Vancouver
Lino AT, Enders Neto B, Moreira MD, Leite JR, Scolfaro LMR, Beliaev D. Cruzamento de minibandas em estruturas periódicas unidimensionais. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 13 ]
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ABNT
CASTINEIRA, Jose Luis Petricelli et al. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 13 out. 2024.
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Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Ramos, L. E., & Scolfaro, L. M. R. (1999). Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
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Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 13 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Ramos LE, Scolfaro LMR. Vacancies in boron nitride - a systematic ab-initio study. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 13 ]